编辑： ll 7N50-ASEMI 光伏逆变器电路专用 7N50 型号： 7N50 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 批号：最新 最大漏源电流： 7A 漏源击穿电压： 500V RDS （ ON ） Max ： 0.85 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管、中低压 MOS 管 漏电流： ua 特性： N 沟道 MOS 管、场效应管 工作温度： -55 ℃ ~150 ℃ 在电力电子技术飞速发展的今天，设备对功率器件的需求已不再局限于 “ 够用 ” ，而是追求 “ 更强、更快、更可靠 ” 。 7N50 MOSFET 应势而生，以 700V 高压承载、超低损耗与智能温控设计 ，成为工业升级与新能源革命的 “ 核心引擎 ” 。无论是严苛的工业环境，还是追求极致能效的绿色能源系统， 7N50 都能以硬核性能，为工程师提供更优解。 作为N 沟道功率 MOSFET 的革新之作， 7N50 在多项关键参数上实现突破： 超高耐压 700V ：从容应对电网波动、电机反峰等复杂工况，安全性提升 30% 。 连续电流 7A@100℃ ：高温环境下仍可稳定输出大电流，告别降额烦恼。 导通电阻低至 0.6Ω ：较上一代 6N50 降低 33% ，显著减少导通损耗，效率突破 95% 。 纳秒级开关速度 ：支持 200kHz 以上高频开关，为 LLC 谐振拓扑、数字电源设计铺平道路。 从智能电网到超充桩，从工业机器人到数据中心电源，7N50 以 “ 高耐压、低损耗、快响应 ” 三位一体优势，重塑功率转换边界。 第五代沟槽栅极工艺 芯片密度提升 50% ，在相同封装下实现更低，同时优化栅极电荷，兼顾高频与低损耗。 智能温控封装 TO-220F/TO-247 封装内置热敏反馈层，可实时监测结温并联动外部电路，避免过热损坏，寿命延长至 10 万小时以上。 抗雪崩能力升级 单脉冲雪崩能量达 300mJ ，轻松应对雷击、感性负载突变等极端场景，系统可靠性提升至工业级标准。 新能源领域 光伏逆变器MPPT 电路： 7N50 的快速响应特性最大化提升光照波动下的能量捕获效率。 电动汽车OBC （车载充电机）：支持双向充放电，助力 800V 高压平台普及。 工业自动化 伺服驱动器与变频器：低损耗特性减少电机发热，提升产线连续作业稳定性。 5G 基站电源： -40℃~150℃ 宽温工作范围，无惧户外极端气候。 消费电子 氮化镓快充适配器：搭配GaN 器件实现 95W 以上高密度设计，体积缩小 50% 。 智能家居电源：待机功耗10mW ，满足全球能效法规要求。
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