编辑： ll 11N50-ASEMI 电机驱动控制专用 11N50 型号： 11N50 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 批号：最新 最大漏源电流： 11A 漏源击穿电压： 500V RDS （ ON ） Max ： 0.55 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管、中低压 MOS 管 漏电流： ua 特性： N 沟道 MOS 管、场效应管 工作温度： -55 ℃ ~150 ℃ 11N50 作为 N 沟道 MOSFET ，凭借 550V 漏源击穿电压（ Vds ）和 18A 连续漏极电流（ Id ），在高压大功率场景中展现卓越性能 。其 260mΩ@10V 的低导通电阻（ Rds(on) ）结合 3V 阈值电压（ Vth ），可实现快速切换与低功耗控制，特别适配工业级电源系统与智能设备 。 二、结构创新：从封装到技术的全面优化 TO220F 封装设计 ：兼顾散热效率与紧凑布局，支持 -55℃~150℃ 宽温域工作 Plannar 平面工艺 ：提升器件耐压稳定性，降低高压环境下的漏电流风险 栅极电荷优化 ：仅需 ±30V 驱动电压（ Vgs ），简化外围电路设计 三、应用场景：覆盖能源与智能控制全链路 工业电源模块 用于高频开关电源与 DC-DC 转换器，通过低导通电阻减少 30% 以上的功率损耗 新能源逆变系统 适配光伏逆变器与储能设备， 550V 耐压值显著提升电网接入安全性 电机驱动控制 支持工业机器人伺服系统， 18A 电流承载能力保障高扭矩输出稳定性 智能硬件保护电路 寄生二极管特性有效抑制电压浪涌，延长消费电子设备 。
标签: 11N50
