原创 11N50-ASEMI电机驱动控制专用11N50

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11N50-ASEMI电机驱动控制专用11N50

型号：11N50

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：11A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：0.55Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

11N50作为N沟道MOSFET，凭借550V漏源击穿电压（Vds）和18A连续漏极电流（Id），在高压大功率场景中展现卓越性能‌。其260mΩ@10V的低导通电阻（Rds(on)）结合3V阈值电压（Vth），可实现快速切换与低功耗控制，特别适配工业级电源系统与智能设备‌。

二、结构创新：从封装到技术的全面优化

‌TO220F封装设计‌：兼顾散热效率与紧凑布局，支持-55℃~150℃宽温域工作‌

‌Plannar平面工艺‌：提升器件耐压稳定性，降低高压环境下的漏电流风险‌

‌栅极电荷优化‌：仅需±30V驱动电压（Vgs），简化外围电路设计‌

三、应用场景：覆盖能源与智能控制全链路

‌工业电源模块‌
用于高频开关电源与DC-DC转换器，通过低导通电阻减少30%以上的功率损耗‌

‌新能源逆变系统‌
适配光伏逆变器与储能设备，550V耐压值显著提升电网接入安全性‌

‌电机驱动控制‌
支持工业机器人伺服系统，18A电流承载能力保障高扭矩输出稳定性‌

‌智能硬件保护电路‌

寄生二极管特性有效抑制电压浪涌，延长消费电子设备。