原创 12N50-ASEMI电源逆变器专用12N50

编辑：LL

12N50-ASEMI电源逆变器专用12N50

型号：12N50

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：12A

漏源击穿电压：500V

批号：最新

RDS（ON）Max：0.54Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

封装尺寸：如图

特性：MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

12N50系列MOSFET是专为高压、高可靠性场景设计的N沟道功率器件，涵盖TO220、TO247等封装形式，适用于电源逆变器、工业控制、电动汽车及智能照明等领域。其核心参数包括650V漏极-源极电压（VDS）、10V栅极驱动下的低导通电阻（RDS(ON) 80mΩ~430mΩ）及高达40A的连续漏极电流（ID）‌。

‌高压耐受能力‌：VDS范围500V-650V，支持高功率密度设计，满足严苛的电压环境需求‌。

‌低导通损耗‌：RDS(ON)最低达80mΩ（@VGS=10V），显著降低导通损耗，提升系统能效‌。

‌高可靠性设计‌：采用平面技术或工艺，支持±30V栅极电压（VGS），确保高温、高负载下的稳定性‌。

三、应用场景与模块

‌电源逆变器‌

用于DC-AC转换模块，支持太阳能逆变器、UPS电源等场景，实现高效电能转换‌。

‌电动汽车与充电桩‌

应用于电机驱动、电池管理系统及充电桩电源模块，提供高精度电流控制与快速响应‌。

‌工业控制‌

集成于电机驱动器、AC-DC变换器，优化工业设备的功率管理与运行效率‌。

‌智能照明‌

驱动LED照明系统，支持高电压输入下的稳定调光与低功耗运行‌。

四、技术亮点

‌封装多样性‌：TO220F封装适配紧凑型设计，TO247封装满足大电流场景需求‌。

‌宽阈值电压‌：Vth范围3.5V-3.8V，兼容多种驱动电路，降低设计复杂度。