编辑： LL 12N50-ASEMI 电源逆变器专用 12N50 型号： 12N50 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 最大漏源电流： 12A 漏源击穿电压 ： 500V 批号：最新 RDS （ ON ） Max ： 0.54 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管 封装尺寸：如图 特性： MOS 管、 N 沟道 MOS 管 工作结温 ： - 55 ℃~1 50 ℃ 12N50 系列 MOSFET 是专为高压、高可靠性场景设计的 N 沟道功率器件，涵盖 TO220 、 TO247 等封装形式，适用于电源逆变器、工业控制、电动汽车及智能照明等领域。其核心参数包括 650V 漏极 - 源极电压（ VDS ）、 10V 栅极驱动下的低导通电阻（ RDS(ON) 80mΩ~430mΩ ）及高达 40A 的连续漏极电流（ ID ） 。 高压耐受能力 ： VDS 范围 500V-650V ，支持高功率密度设计，满足严苛的电压环境需求 。 低导通损耗 ： RDS(ON) 最低达 80mΩ （ @VGS=10V ），显著降低导通损耗，提升系统能效 。 高可靠性设计 ：采用平面技术或工艺，支持 ±30V 栅极电压（ VGS ），确保高温、高负载下的稳定性 。 三、应用场景与模块 电源逆变器 用于DC-AC 转换模块，支持太阳能逆变器、 UPS 电源等场景，实现高效电能转换 。 电动汽车与充电桩 应用于电机驱动、电池管理系统及充电桩电源模块，提供高精度电流控制与快速响应 。 工业控制 集成于电机驱动器、AC-DC 变换器，优化工业设备的功率管理与运行效率 。 智能照明 驱动LED 照明系统，支持高电压输入下的稳定调光与低功耗运行 。 四、技术亮点 封装多样性 ： TO220F 封装适配紧凑型设计， TO247 封装满足大电流场景需求 。 宽阈值电压 ： Vth 范围 3.5V-3.8V ，兼容多种驱动电路，降低设计复杂度 。
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