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13N50-ASEMI工业电机控制专用13N50
型号:13N50
品牌:ASEMI
封装:TO-220F
批号:最新
最大漏源电流:13A
漏源击穿电压:500V
RDS(ON)Max:0.48Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管、中低压MOS管
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55℃~150℃
13N50系列N沟道增强型高压功率MOSFET专为高电压、高速开关场景设计,覆盖TO-220、TO-247等封装形式,适用于电子镇流器、逆变器、工业电机驱动及智能电源系统。其核心参数包括500V漏源电压(VDS)、13A连续漏极电流(ID)、低至0.4Ω的导通电阻(RDS(ON) @VGS=10V),以及±30V栅源电压(VGS)的宽耐受范围。
二、核心性能优势
高压与大电流兼容:500V VDS与13A ID支持高功率密度设计,适配逆变器后级电路、H桥电机驱动等高负载场景。
低损耗与高效率:RDS(ON)低至0.36Ω(典型值@VGS=10V),显著降低导通损耗,提升系统能效。
快速响应能力:低栅极电荷(典型值45nC)与优化开关速度(上升/下降时间100ns)确保高频场景下的稳定性。
高可靠性设计:支持雪崩能量耐受与改进的dv/dt能力,适用于严苛工况下的长期稳定运行。
典型应用场景
电子镇流器与照明系统
驱动紫外线灯、LED调光电路,支持高压输入下的稳定电流控制。
电源转换模块
用于DC-AC逆变器(如500W后级电路)、DC-DC转换器,优化电能转换效率。
工业电机控制
集成于高压H桥PWM驱动系统,提升电机调速精度与动态响应性能。
新能源与储能设备
适配太阳能逆变器、充电桩电源模块,实现高效能能源管理。
四、技术亮点与兼容性
封装灵活性:TO-220封装适配紧凑设计,TO-247满足大电流散热需求,支持快速安装与系统集成。
国产化替代优势:国产型号如FHP13N50W可直接替换进口器件,参数匹配度高且成本可控。
宽阈值电压范围:Vth典型值2-4V,兼容主流驱动电路设计,降低开发复杂度。
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