原创 10N50-ASEMI电源管理专用10N50

编辑：LL

10N50-ASEMI电源管理专用10N50

型号：10N50

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：10A

漏源击穿电压：500V

批号：最新

RDS（ON）Max：0.68Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

封装尺寸：如图

特性：MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

10N50是一款N沟道功率MOS管，其型号中“10”代表漏极电流为10A，“50”表示漏源击穿电压高达500V，适用于中高压场景‌。该器件采用TO-220、TO-252等封装形式，兼具散热性能与紧凑设计，可满足工业、汽车电子等高要求领域的需求‌。

二、核心性能优势

‌高效开关特性‌

‌快速响应‌：10N50的开关速度极快，支持高频电路设计，可显著降低开关损耗‌。

‌低导通电阻‌：漏源导通电阻（Rds(on)）低至440mΩ，有效减少发热，提升系统效率‌。

‌高输入阻抗‌：栅极驱动电流需求极低，简化驱动电路设计‌。

‌卓越稳定性‌

‌耐压与耐流能力‌：漏源电压（Vds）达500V，漏极电流（Id）为10A，适用于高功率场景‌。

‌热阻优化‌：封装设计显著降低热阻，支持长时间大电流工作‌。

‌内置保护二极管‌：寄生二极管可反向吸收瞬态电压，防止器件击穿‌。

‌环保与兼容性‌

符合RoHS规范，适配绿色能源与智能设备的设计趋势‌。

三、典型应用场景

‌电源管理‌：用于开关电源、DC-DC转换器，提升能效与稳定性‌。

‌汽车电子‌：HID车灯驱动、电机控制等，满足高温、高振动环境需求‌。

‌工业控制‌：光伏逆变器、电动工具等，支持大电流、高电压负载‌。

‌LED照明‌：搭配低内阻设计，解决频闪问题，提升照明系统可靠性‌。

四、技术解析：为何选择10N50？

‌结构优势‌：N沟道增强型设计，通过栅极电压（Vgs）控制导电沟道，实现精准开关‌。

‌驱动简化‌：仅需满足Ugs>阈值电压（如4V）即可导通，适配低功耗控制电路‌。

‌多场景适配‌：TO-220F等封装支持灵活布局，适用于贴片与插件工艺。