编辑： LL 10N50-ASEMI 电源管理专用 10N50 型号： 10N50 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 最大漏源电流： 10A 漏源击穿电压 ： 500V 批号：最新 RDS （ ON ） Max ： 0.68 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管 封装尺寸：如图 特性： MOS 管、 N 沟道 MOS 管 工作结温 ： - 55 ℃~1 50 ℃ 10N50 是一款 N 沟道功率 MOS 管，其型号中 “10” 代表漏极电流为 10A ， “50” 表示漏源击穿电压高达 500V ，适用于中高压场景 。该器件采用 TO-220 、 TO-252 等封装形式，兼具散热性能与紧凑设计，可满足工业、汽车电子等高要求领域的需求 。 二、核心性能优势 高效开关特性 快速响应 ： 10N50 的开关速度极快，支持高频电路设计，可显著降低开关损耗 。 低导通电阻 ：漏源导通电阻（ Rds(on) ）低至 440mΩ ，有效减少发热，提升系统效率 。 高输入阻抗 ：栅极驱动电流需求极低，简化驱动电路设计 。 卓越稳定性 耐压与耐流能力 ：漏源电压（ Vds ）达 500V ，漏极电流（ Id ）为 10A ，适用于高功率场景 。 热阻优化 ：封装设计显著降低热阻，支持长时间大电流工作 。 内置保护二极管 ：寄生二极管可反向吸收瞬态电压，防止器件击穿 。 环保与兼容性 符合RoHS 规范，适配绿色能源与智能设备的设计趋势 。 三、典型应用场景 电源管理 ：用于开关电源、 DC-DC 转换器，提升能效与稳定性 。 汽车电子 ： HID 车灯驱动、电机控制等，满足高温、高振动环境需求 。 工业控制 ：光伏逆变器、电动工具等，支持大电流、高电压负载 。 LED 照明 ：搭配低内阻设计，解决频闪问题，提升照明系统可靠性 。 四、技术解析：为何选择10N50 ？ 结构优势 ： N 沟道增强型设计，通过栅极电压（ Vgs ）控制导电沟道，实现精准开关 。 驱动简化 ：仅需满足 Ugs 阈值电压（如 4V ）即可导通，适配低功耗控制电路 。 多场景适配 ： TO-220F 等封装支持灵活布局，适用于贴片与插件工艺 。
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