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    2025-3-27 09:14
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    纳祥科技NX7011采用先进的沟槽技术,提供了出色的RDS(ON)和较低的栅极电荷。该器件具有两个独立的 MOSFET且漏源导通电阻低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型产品的应用。 在性能上,NX7011可以PIN TO PIN 兼容替代 AP20G02BDF 。 ▲NX7011芯片主图 (一) NX7011 主要特性 NX7011的主要特性有以下几个: ● 30V,30A ● RDS(ON) =7.3mΩ (Typ.) @ VGS = 10V ● RDS(ON)=9.8mΩ (Typ.) @ VGS = 4.5V ● 先进的沟槽技术 ● 提供先进的RDS(ON) ▲NX7011功能框图 (二) NX7011 芯片亮点 NX7011采用小型化封装,导通电阻低,电路性能优良。 ① 小型化封装 NX7011采用PDFN3*3小型化封装,有助于节省PCB设计空间。NX7011还具备良好的电气性能与热性能,通用性和兼容性强。 ② 低漏源导通电阻 在栅极电压为 10V 时,NX7011的漏极与源极之间呈现的典型导通电阻为 7.3 mΩ ,能够减少功率损耗,简化散热要求,增强电路性能。 ▲NX7011管脚配置 (三) NX7011 应用领域 ‌因其性能特质,NX7011应用范围广泛,特别适用于需要高电流处理和大功率控制的场合,如无线充,电动工具、液晶电视、电动自行车、安防、电机‌等领域中。 ▲NX7011应用示例图
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    2025-3-22 08:49
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    纳祥科技NX7010是一款30V 20A双N沟道MOSFET,它的工作原理是基于栅源电压的控制。 当栅源电压大于导通电压时,两个MOS管都处于导通状态,电流从N1的源极流向N2的漏极,再从N2的源极回到N1的漏极;当栅极电压小于截止电压时,两个MOS管都处于截止状态,电路中的电流几乎为零。 在性能上,NX7010可以PIN TO PIN替代AP20H03DF 。 ▲NX7010芯片主图 (一) NX7010 主要特性 NX7010主要具备以下特性: ● 30V,20A ● RDS (ON) =11.5mΩ(Typ.)@VGS=10V ● RDS (ON) =16.6mΩ(Typ.)@VGS=4.5V ▲NX7010功能框图 (二) NX7010 芯片亮点 NX7010采用小型化封装,结合其优良性能,成为许多高性能电子设备的理想选择。 ① 小型化封装 NX7010采用PDFN3*3封装,具备良好的接地性能,底部金属片设计利于散热,整体尺寸小巧,重量轻,有助于节省PCB设计空间。 ② 电源效率高 在栅极电压为 10V 时,NX7010的漏极与源极之间呈现的典型导通电阻为 11.5 mΩ ,能减少功率损耗和发热,提高电路效率。 ▲NX7010管脚配置 (三) NX7010 应用领域 因其低功耗、高可靠性和快速开关速度的特点,NX7010被广泛应用于以下这些应用中—— ● 电源开关‌ ● 信号放大器‌ ● 振荡器‌ ● 电动工具、液晶电视、电动自行车、安防、电机‌ ● 智能小家电、电源产品、开关电源、LED调光和驱动产品、音频放大器、继电器驱动‌ ▲NX7010应用示例图
  • 2024-11-13 11:11
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    高效能的功率转换器:TPH1500CNH
    随着电子设备对能效和可靠性的要求不断提高,工程师们在选择功率转换器时面临着前所未有的挑战。如何在高效率、高密度和高可靠性之间取得平衡,成为了当今电源设计的关键。而TPH1500CNH正是为了应对这些挑战而生的。 产品概述 TPH1500CNH是一款集成了最新功率半导体技术的高效功率转换器。该器件采用N沟道增强型功率MOSFET结构,旨在满足高效能电源管理应用的需求。其卓越的性能在诸如电动汽车充电器、太阳能逆变器以及数据中心电源等多种应用场景中得到了充分的验证。 技术优势 高效率 TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计,极大地降低了导通电阻(R DS(on) ),使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MOSFET,TPH1500CNH在转换效率上有着显著提升,这对电源管理系统的整体性能提高具有关键作用。 出色的热管理性能 对于高功率应用,热管理一直是设计中的难题。TPH1500CNH通过优化器件结构,有效降低了结电阻(R θJC ),使得在高功率运行时热量能够迅速散发,确保器件的长期稳定运行。这一特点在高密度、高功率的应用场景中尤为重要。 宽电压范围 该产品支持高达150V的最大电压,这使得其在高压输入条件下仍能稳定运行,尤其适用于需要大幅提升输入电压范围的应用,如电动汽车充电器或工业电源设备。 高可靠性 作为一款专为高要求应用设计的功率转换器,TPH1500CNH在可靠性方面表现出色。其采用了先进的封装技术,能够在严苛的环境中保持稳定的性能。无论是在高温还是高湿度的工作条件下,TPH1500CNH都能提供卓越的耐用性。 应用场景 电动汽车充电器 :随着新能源汽车的普及,充电器的能效和可靠性至关重要。TPH1500CNH能够提供高效的电能转换,并且其出色的热管理性能确保了长时间充电的稳定性。 太阳能逆变器 :在太阳能系统中,逆变器的性能直接影响整个系统的能效。TPH1500CNH在高电压下的稳定表现,使其成为太阳能逆变器中的理想选择。 数据中心电源 :随着数据中心对能效的要求不断提高,TPH1500CNH凭借其高转换效率和可靠的热管理,成为了构建高效数据中心电源的关键组件。
  • 2024-11-13 11:04
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    TPH11003NL是一款由东芝生产的N沟道MOSFET,它采用了最新的U-MOSⅧ-H技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高效的电源管理应用,尤其是在DC-DC转换器和开关电压调节器等领域。本文将深入探讨TPH11003NL的核心特性及其在实际应用中的优势。 1. 主要特性 TPH11003NL的设计聚焦于优化电源转换效率。以下是其一些重要的技术参数 导通电阻(RDS(ON))低 :在4.5V的栅极驱动电压下,其典型值为12.6 mΩ,这使得在负载电流较大时,功耗显著降低,从而提高了整体系统的效率。 栅极电荷低 :其栅极电荷(QSW)典型值为2.0 nC,使得它在开关转换过程中损耗小,适用于高频应用场景。 高效的热管理 :TPH11003NL的通道至壳体热阻为5.95 °C/W,通道至环境热阻在不同条件下分别为44.6 °C/W和78.1 °C/W,确保了在高功率条件下的稳定性和可靠性。 2. 适用领域 TPH11003NL广泛应用于各类需要高效电源转换的设备中,例如 DC-DC转换器 :TPH11003NL的低导通电阻和快速开关速度使得它能够有效减少转换损耗,提升系统效率。 开关电压调节器 :其增强型设计(阈值电压Vth为1.3到2.3V)确保了MOSFET的开关动作迅速且稳定,从而适应复杂的电压调节需求。 此外,其低漏电流特性(最大10 µA)和高抗干扰能力使得该器件在高精度应用中表现尤为出色。 3. 热管理与稳定性 在高功率应用中,MOSFET的热管理显得尤为重要。TPH11003NL不仅具有出色的热导特性,还提供了多种额外的保护机制,以防止过热或因高电流引起的失效。其最大通道温度为150°C,并通过单脉冲雪崩能量和雪崩电流指标提供额外的保护,确保其在苛刻环境下依然能够稳定工作。 4. 可靠性与设计考虑 TPH11003NL在设计上特别强调了其长期稳定性和高可靠性。在长时间工作条件下,产品可能会因为持续的高温高压环境导致性能下降,因此东芝建议在设计过程中需考虑适当的降额使用策略,并参考《东芝半导体可靠性手册》中提供的详细设计指南。 此外,TPH11003NL具有良好的电气特性,其击穿电压为30V,最大脉冲电流高达63A,足以应对大部分高压高流应用。与此同时,其小型SOP封装(重量为0.069g)为设备的紧凑设计提供了更多的可能性。 5. 动态性能 在动态性能方面,TPH11003NL也表现不俗。其输入电容典型值为510 pF,反向传输电容为18 pF,输出电容为300 pF,能够有效减少开关过程中的能量损耗。这些特性使得它在高速开关电路中具有优异的性能,特别适合用于高频率的电源管理系统。 此外,其开关时间(典型值)分别为: 上升时间:2.1 ns 开通时间:7.5 ns 下降时间:1.9 ns 关断时间:13.5 ns 这些数据表明TPH11003NL在高速应用中的响应时间非常短,能够满足苛刻的时序要求,进一步提升系统的整体效率。 6. 应用中的注意事项 虽然TPH11003NL具有出色的性能,但在使用过程中仍需注意其工作条件。特别是在处理高压高频电路时,设计人员需确保栅极驱动电压在安全范围内(±20V),并且必须做好电路中的静电防护措施。由于该器件对静电放电敏感,因此在安装和使用过程中应采取相应的ESD防护。
  • 2024-5-18 17:57
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    NTGD3148NT1G-VB一种2个N沟道SOT23-6封装MOS管
    NTGD3148NT1GVBsemi MOSFET Datasheet VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RDS(ON))分别为22mΩ @ 4.5V和28mΩ @ 2.5V。此外,该产品支持12Vgs(±V)的驱动电压范围,其阈值电压范围为1.2~2.2V。 NTGD3148NT1G MOS管采用紧凑的SOT23-6封装,为各种电路设计提供了高度的灵活性和集成性。在多个领域都具有广泛的应用。在电源管理、开关电源和功率放大等领域,NTGD3148NT1G MOS管可以发挥其优越的电性能,实现高效能源转换。在电池管理系统中,该产品可用于电池充放电管理、保护及控制。此外,在电子设备中,它还可以用于信号放大和开关控制等功能,提供可靠的性能和稳定性。 总之,NTGD3148NT1G MOS管是VBsemi为满足不同领域需求而推出的高品质产品。其在电源管理、电池管理、信号放大和开关控制等领域的应用,为各种模块的设计提供了高效可靠的解决方案。
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    TPH3R704PCMOSFET提供了一系列优异的特性,这些特性使其具备高效和可靠的性能:高速开关:该MOSFET专为高速开关应用而设计,非常适合需要快速开关过渡的电路。其快速开关能力有助于最大限度地减少功耗,这对于对电源敏感的应用(如DC-DC转换器)至关重要。低漏源导通电阻(RDS(ON)):TPH3R704PC的典型导通电阻仅为2.9mΩ(VGS=10V)。较低的电阻意味着在导通期间能量损失更少,使得该MOSFET在电源敏感型应用中表现出色。低导通电阻是设计高效电源管理系统时的一个关键性能指标。低输出和栅极电荷:TPH3R704PC的典型输出电荷(Qoss)为28nC,栅极开关电荷(QSW)为14nC。这确保了在开关过程中最小的延迟和能量损失。低栅极电荷允许较低的驱动功耗,这在节能设计中非常重要。高漏极电流:该MOSFET能够处理高达82A的连续漏极电流(Tc=25°C),使其适用于高电流应用,如电机驱动器和高效DC-DC转换器。高电流能力确保了在严苛环境下的可靠性能。增强型模式工作:TPH3R704PC在增强模式下工作,其栅极阈值电压(Vth)范围为1.4V至2.4V。这一范围确保了稳定的操作,当未达到足够高的电压时,MOSFET保持关闭状态,从而减少泄漏和待机时的功耗。热管理:该器件具有优异的热特性,其通道到壳体的热阻仅为1.66°C/W,确保在操作过程中高效散热。良好的热性能对于高功率应用中的长期可靠性至关重要。
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    时间: 2024-9-11 15:06
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    上传者: 东芝铠侠代理
    应用领域TPHR9003NL主要用于电压调节器和DC-DC转换器。这些设备广泛存在于移动设备、电源系统和通信基础设施中,MOSFET的高效开关能力有助于降低系统的功耗并提高转换效率。此外,它还能够应用于汽车电子、工业控制以及各种嵌入式系统中,适应各种不同环境的需求。2.关键特性TPHR9003NL的成功在于其出色的电气性能和结构设计。以下是该器件的几个关键特性:高速开关:该MOSFET具有极快的开关速度,使其在需要快速响应的应用中表现出色。低栅极电荷:典型值为16nC。较低的栅极电荷意味着更低的驱动损耗,从而提高了整个系统的效率。低漏源导通电阻(RDS(ON)):在VGS=4.5V的情况下,典型值为1.1mΩ。这一特性减少了传导损耗,有助于提高设备的能源利用率。低漏电流:最大值仅为10µA,表明其在高压环境下漏电流的影响非常小,进一步提高了系统的稳定性和可靠性。增强模式:其阈值电压范围在1.3V至2.3V之间,确保了MOSFET在开启状态时能够有效控制电流。这些特性使得TPHR9003NL能够在高效能系统中发挥重要作用,特别是在需要高速切换和低功耗的应用中。3.结构和封装TPHR9003NL采用了SOPAdvance封装,其设计考虑了在有限的空间内提供良好的热管理和电气性能。该封装有以下优势:尺寸紧凑:适用于空间有限的设计,特别是那些需要高度集成的电路。低热阻:在Tc=25°C时,沟道到外壳的热阻为1.60°C/W,确保了MOSFET在高功率操作时能够有效散热。重量轻:约0.087克,适合于轻量化设计需求。这种封装设计使得TPHR9003NL在提供高性能的同时,也能够适应紧凑的电子设备。4.绝对最大额定值根据产品规格,TPHR9003NL的一些关键最大额定值包括:漏-源电压(VDSS):最大30V栅-源电压(VGSS):最大±20V漏极电流(ID):在Tc=25°C时,最大220A(DC),60A(脉冲)功率耗散:最大值为78W,表明其能够在较高功率的应用中稳定运行。此外,TPHR9003NL的工作温度范围为-55°C至150°C,使其在各种极端环境下均能保持可靠的性能。