MOSFET、IGBT 和 BJT 等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为 了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源 将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信 息通常在 MOSFET 的指标说明书中提供。
MOSFET、IGBT 和 BJT 等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为 了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源 将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信 息通常在 MOSFET 的指标说明书中提供。
