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MOSFET器件的高压CV测试详解.pdf
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资料介绍

MOSFET、IGBT 和 BJT 等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为 了满足电路的效率,设计者需要知道这些参数。例如,设计一个高效的开关电源 将要求设计者知道设备的电容,因为这将影响开关速度,从而影响效率。这些信 息通常在 MOSFET 的指标说明书中提供。

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