标签: 测温

01 概述 SCCK33112H6A是一款 高精度、低功耗、可替代NTC / PTC热敏电阻的数字温度传感器 ，可用于通信、计算机、消费类电子、环境、工业和仪器仪表应用中的温度测量。SCCK33112H6A在-40°C至+125°C的正常工作范围内，可提供≤±0.5℃的温度精度，并具有良好的温度线性度。SCCK33112H6A可提供扩展测温模式，将测温范围扩展为-55℃至+150℃。SCCK33112H6A的额定工作电压范围为1.4V~5.5V，在整个工作范围内最大静态电流为10µA（测温频率4Hz时）。集成在芯片内部的12位ADC分辨率低至0.0625°C。 SCCK33112H6A采用1.6mm×1.6mm的SOT563/DFNWB封装，兼容SMBus和I2C接口，在一条总线上最多可挂载四个从机，并具有SMBus报警功能。 02 封装示意图 03 引脚和配置功能 04 芯片功能模式 1 连续转换模式 SCCK33112H6A 的默认工作模式是连续转换模式，典型转换时间为 26ms。在此模式下芯片内部的ADC执行连续温度转换，将每次的测温结果存储于温度寄存器，并覆盖前次结果。配置寄存器中的转换速率位CR1和CR0可将SCCK33112H6A 配置为 0.25Hz、1Hz、4Hz 或 8Hz 的转换速率。可通过配置 CR1、CR0 以改变转换速率，SCCK33112H6A 将在完成当次转换后，掉电并等待由 CR1、CR0 设置的延时，之后再进行下次转换，如图3所示。CR1 和 CR0 的配置详见表 1。 2 扩展模式(Extended Mode) SCCK33112H6A 在正常测温模式下测温范围为-40℃至+125℃。通过将配置寄存器中的EM位写为1，可使SCCK33112H6A 进入扩展测温模式，此时 SCCK33112H6A 的温度寄存器和温度限制寄存器均被配置为13位数据格式，以实现对高于+128℃的温度测量。SCCK33112H6A 中的只读温度寄存器采用两个字节来存储测温结果，如表 8、表9 所示。字节1 为MSB，字节2 为 LSB，高 12 位（扩展模式下为 13 位）用于指示温度。当不需要 LSB 的温度信息时可不必读取LSB。SCCK33112H6A 测温结果的数据格式在表 2 和表 3 中列出，其中 1LSB = 0.0625°C，负数以二进制补码的形式表示。当上电或复位后，SCCK33112H6A 的温度寄存器将被置为 00h，直到下一次温度转换完成。温度寄存器中未使用的位始终读为 0（下表中未给出）。 3 关 断 模 式 (Shutdown Mode) 关断模式通过关闭除串行接口以外的所有电路来降低芯片功耗，从而将芯片的电流降至低于0.5μA（典型值）。将配置寄存器中的 SD 位写为 1，可开启关断模式；如此配置寄存器后，SCCK33112H6A 将在完成当次转换后关断。若想退出关断模式，可将 SD 位写为 0，SCCK33112H6A 将重新进入连续转换模式。 4 单 次 转 换 模 式 (One-Shot Mode) SCCK33112H6A 可被配置为 One-Shot 模式。当 SCCK33112H6A 处于关断模式时，向配置寄存器中的OS位写1 可开启单次温度转换。在温度转换期间 OS 位读为 0。单次温度转换完成后，SCCK33112H6A 将重新返回关断状态，OS 位读为 1。当不需要连续测温时，此功能可大幅降低芯片功耗。由于 SCCK33112H6A 单次测温时间仅需 26ms（典型值），因此可通过该模式实现更高的测温速率。通过将SCCK33112H6A 连续以 One-Shot 模式进行测温，可实现每秒 30 次甚至更多次的温度测量。 5 报 警 功 能 (ALERT) SCCK33112H6A 具有温度报警功能，可选择将配置寄存器中的 TM 位写为 0 或1，从而将SCCK33112H6A配置为比较模式（Comparator Mode）或中断模式（Interrupt Mode），以实现不同的报警功能。 在比较模式（TM=0）中，当测温结果连续等于或超过温度上限寄存器值 THIGH的次数，达到由配置寄存器中F1/F0位定义的值时（如表 4 所示），ALERT 引脚将被激活。ALERT 引脚将始终保持激活状态，直到测温结果连续低于温度下限寄存器值 TLOW 的次数达到由 F1/F0 定义的值。在中断模式（TM=1）中，当测温结果连续等于或超过 THIGH 的次数达到由 F1/F0 定义的值时（如表4所示），ALERT 引脚将被激活。ALERT 引脚将始终保持激活状态，直到读取 SCCK33112H6A 的任何寄存器、或SCCK33112H6A 成功响应了 SMBus 报警命令、或 SCCK33112H6A 进入关断模式后，ALERT 引脚状态才会被清除。当 ALERT 引脚状态被清除后，仅当测温结果连续低于 TLOW的次数达到由 F1/F0 定义的值时，该引脚才会再次被激活并保持，此后 ALERT 引脚状态再次被清除的条件同上。也可通过使用全局响应复位命令（General Call）来重置SCCK33112H6A 以清除 ALERT 引脚状态，此操作还会复位 SCCK33112H6A 中的其他内部寄存器，使芯片返回到比较模式（TM=0）。表 4 给出了 F1/F0 位具体配置情况。 配置寄存器中的极性位（POL）允许用户调整 ALERT 引脚输出的极性。如果将 POL 位写为0（默认值），ALERT引脚被激活时为低电平。若将 POL 位配置为 1，ALERT 引脚被激活时为高电平。上述各情况如图4 所示。 05 组件的使用 1 Gitee链接地址 Demo位于amaziot_bloom_os_sdk\sample\3rd\1.1_SCCK33112H6A Gitee源码地址：https://gitee.com/ning./hongdou Github源码地址：https://github.com/ayumid/hongdou 编译指令：.\build.bat -l .\amaziot_bloom_os_sdk\sample\3rd\1.1_SCCK33112H6A 2 组件功能介绍 驱动温度芯片，定时读取芯片寄存器，计算出当前温度，设置温度高限，低限，当温度触发门限后，会产生中断，用户在使用时，可以根据中断相关服务函数，进行后续的处理。 3 代码讲解 1 drv_scck33112h6a_i2c_init 功能：该函数用于，将发送数据长度写入scck33112h6a寄存器。 参数：五 返回值：无 示例： C //初始化i2c总线 ret = drv_scck33112h6a_i2c_init(); 2 drv_scck33112h6a_i2c_read 功能：该函数用于，读取I2C从机。 参数：五 返回值：无 示例： C RegAddr = 0x00; ret = drv_scck33112h6a_i2c_read(&RegAddr, &RegReadValue0); sample_scck33112h6a_catstudio_printf("read reg 00 i2c value=0x%x, ret=%d\n", RegReadValue0, ret); 3 drv_scck33112h6a_i2c_write 功能：该函数用于，发送数据到I2C从机。 参数：五 返回值：无 示例： C RegAddr = 0x06; RegWriteValue = 0xFF; ret = drv_scck33112h6a_i2c_write(&RegAddr, &RegReadValue0); sample_scck33112h6a_catstudio_printf("write i2c value=0x%x, ret=%d\n", RegWriteValue, ret); 4 Demo实战 4.1 创建一个Demo 复制20.1_file_xtu示例工程，到同一个文件夹下，修改文件名为3.1_SSD1315，如图： 4.2 修改makefile 增加文件组件所在目录头文件路径，和源文件路径，如图： 4.3 增加头文件 使用代码编辑器，将新建的工程文件加入代码编辑器中，打开main.c，修改main.c，加入am.h等头文件，如图： 4.4 修改代码 在Phase2Inits_exit 创建一个任务，如图： 4.5 宏定义介绍 sample_scck33112h6a_uart_printf 输出日志到DEBUG 串口，日志比较少，可以输出到这个串口，如果日志比较多，需要输出到usb口，以免不必要的问题出现 sample_scck33112h6a_catstudio_printf 输出日志到USB 串口，使用catstudio查看，catstudio查看日志需要更新对应版本mdb.txt文件，软件打开filtter过滤日志，只查看用户输出的日志 SAMPLE_SSCK33112H6A_STACK_SIZE 栈空间宏定义 4.6 全局变量介绍 sample_scck33112h6a_int_detect_stack_ptr 任务栈空间，本例使用数组实现，用户在做项目时，可以预先估算下当先任务需要的大致栈空间，OS没有提供可以查看栈空间使用情况的API sample_scck33112h6a_int_detect_task_ref 任务指针 4.7 函数介绍 Phase1Inits_enter 底层初始化，本例空 Phase1Inits_exit 底层初始化，本例空 Phase2Inits_enter 底层初始化，本例空 Phase2Inits_exit 创建主任务，初始化消息队列，定时器，任务等。 代码片段： C int ret = 0; GPIOConfiguration config = {0}; //创建定时器 OSATimerCreate(&sample_scck33112h6a_int_detect_timer_ref); //创建中断事件 OSAFlagCreate( &sample_scck33112h6a_int_detect_flg_ref); Os_Create_HISR(&sample_scck33112h6a_int_detect_hisr, "sample_scck33112h6a_int_detect_hisr", sample_scck33112h6a_detect_handler, 2); //创建中断处理任务 OSATaskCreate(&sample_scck33112h6a_int_detect_task_ref, sample_scck33112h6a_int_detect_stack_ptr, SAMPLE_SSCK33112H6A_STACK_SIZE, 100, "detect_task", sample_scck33112h6a_detect_task, NULL); //创建中断处理任务 OSATaskCreate(&sample_scck33112h6a_read_task_ref, sample_scck33112h6a_read_stack_ptr, SAMPLE_SSCK33112H6A_STACK_SIZE, 100, "read_task", sample_scck33112h6a_read_task, NULL); //初始化int引脚，这里使用70脚 gpio126 config.pinDir = GPIO_IN_PIN; config.pinEd = GPIO_TWO_EDGE; config.pinPull = GPIO_PULLUP_ENABLE; config.isr = sample_scck33112h6a_irq_handler; GpioInitConfiguration(SAMPLE_GPIO_ISR_PIN_NUM, config); sample_scck33112h6a_read_task 主任务，获取读温度信息等参数信息。 代码片段： C void sample_scck33112h6a_read_task(void *param) { GPIO_ReturnCode ret = 0; UINT32 value = 0; OSA_STATUS status = OS_SUCCESS; UINT32 flag_value = 0; unsigned char RegAddr = 0; UINT8 pR1_Data = {0}; UINT16 reg0 = 0; UINT16 reg1 = 0; UINT16 reg2 = 0; UINT16 reg3 = 0; //初始化i2c总线 ret = drv_scck33112h6a_i2c_init(); sample_scck33112h6a_catstudio_printf("ql_i2c_init ret %d", ret); //等1s OSATaskSleep(1 * 200); //写配置寄存器 RegAddr = DRV_SCCK33112H6A_REGISTER1_ADDRESS; pR1_Data = 0x60; pR1_Data = 0x90; ql_i2c_write_ext(DRV_SCCK33112H6A_I2C_NUM, DRV_SCCK33112H6A_I2C_SLAVE_ADDR, &RegAddr , 1, pR1_Data, 2); RegAddr = DRV_SCCK33112H6A_REGISTER3_ADDRESS; //写温度高限寄存器 pR1_Data = 0x11; pR1_Data = 0x00; ql_i2c_write_ext(DRV_SCCK33112H6A_I2C_NUM, DRV_SCCK33112H6A_I2C_SLAVE_ADDR, &RegAddr , 1, pR1_Data, 2); //写温度低限寄存器 RegAddr = DRV_SCCK33112H6A_REGISTER2_ADDRESS; pR1_Data = 0x0A; pR1_Data = 0x00; ql_i2c_write_ext(DRV_SCCK33112H6A_I2C_NUM, DRV_SCCK33112H6A_I2C_SLAVE_ADDR, &RegAddr , 1, pR1_Data, 2); //读配置寄存器 RegAddr = DRV_SCCK33112H6A_REGISTER1_ADDRESS; ql_i2c_read_ext(DRV_SCCK33112H6A_I2C_NUM, DRV_SCCK33112H6A_I2C_SLAVE_ADDR, &RegAddr , 1, pR1_Data, 2); reg1 = (UINT16)(pR1_Data << 8 + pR1_Data ); sample_scck33112h6a_catstudio_printf("reg1 value=0x%x, ret=%d\n", reg1, ret); //读温度高限寄存器 RegAddr = DRV_SCCK33112H6A_REGISTER3_ADDRESS; ql_i2c_read_ext(DRV_SCCK33112H6A_I2C_NUM, DRV_SCCK33112H6A_I2C_SLAVE_ADDR, &RegAddr , 1, pR1_Data, 2); reg3 = (UINT16)(pR1_Data < 4; sample_scck33112h6a_catstudio_printf("reg3 value=0x%x, ret=%d\n", reg3, ret); //读温度低限寄存器 RegAddr = DRV_SCCK33112H6A_REGISTER2_ADDRESS; ql_i2c_read_ext(DRV_SCCK33112H6A_I2C_NUM, DRV_SCCK33112H6A_I2C_SLAVE_ADDR, &RegAddr , 1, pR1_Data, 2); reg3 = (UINT16)(pR1_Data < 4; sample_scck33112h6a_catstudio_printf("reg2 value=0x%x, ret=%d\n", reg3, ret); //等1s OSATaskSleep(1 * 200); while(1) { RegAddr = DRV_SCCK33112H6A_REGISTER0_ADDRESS; ql_i2c_read_ext(DRV_SCCK33112H6A_I2C_NUM, DRV_SCCK33112H6A_I2C_SLAVE_ADDR, &RegAddr , 1, pR1_Data, 2); float temp = 0.0; int data = 0; data = (pR1_Data < 4; //判断如果是负数，需要按照二进制补码，去掉符号位，减一取反后取低12位，再乘0.0625，再用0减变为负数 if((data & DRV_SCCK33112H6A_TEMP_SIGNED) == DRV_SCCK33112H6A_TEMP_SIGNED) { temp = (float)(0 - (~((data & DRV_SCCK33112H6A_TEMP_MSK) - 1) & DRV_SCCK33112H6A_TEMP_MSK) * DRV_SCCK33112H6A_TEMP_1LSB); } //正数直接乘0.0625 else { temp = (float)data * DRV_SCCK33112H6A_TEMP_1LSB; } sample_scck33112h6a_catstudio_printf("data: 0x%X data: %d temp:%f\n", data, data, temp); sample_scck33112h6a_catstudio_printf("temprature:%f\n", temp); //等1s OSATaskSleep(1 * 200); } } 4.8 编译 在SDK根目录打开命令行，输入命令.\build.bat -l .\amaziot_bloom_os_sdk\sample\3rd\1.1_SCCK33112H6A\ C++ PS F:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF λ .\build.bat -l .\amaziot_bloom_os_sdk\sample\3rd\1.1_SCCK33112H6A\ 子目录或文件 out\bin 已经存在。 命令语法不正确。 子目录或文件 build\obj 已经存在。 gnumake: Entering directory `F:/3.asr-b/cat.1-asr1606/1.software/BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF/amaziot_bloom_os_sdk/sample/3rd/1.1_SCCK33112H6A' armcc.exe -c --cpu Cortex-R4 --no_unaligned_access -g -O2 --apcs /inter --diag_suppress 2084,1,2,177,188,223,550,1296,2795,6319,9931,9933 --diag_error=warning --gnu --thumb --loose_implicit_cast -DDATA_COLLECTOR_IMPL -DISPT_OVER_SSP -DDIAG_SSP_DOUBLE_BUFFER_USE_DYNAMIC_ALLOCATION -DENV_XSCALE -DL1_DCXO_ENABLED -DLTE_HIGH_MOBILITY_OPTIMIZATION -DRUN_XIP_MODE -DCRANE_Z2 -DCA_LONG_IPC_MSG -DNEZHA3 -DNEZHA3_1826 -DUPGRADE_PLMS -DUPGRADE_PLMS_SR -DLTE_GSMMULTIBCCH -DGPLC_LTE_RSSI_SCAN -DL1V_NEW_RSSI -DUPGRADE_PLMS_3G -DUPGRADE_PLMS_L1 -DUPGRADE_FG_PLMS -DFG_PLMS_URR -DUPGRADE_L1A_FG_PLMS -DUPGRADE_PLMS_STAGE_2 -DUPGRADE_MBCCH -DMULTI_BCCH_READY_IND -DURR_MRAT_ICS_SEARCH -DUPGRADE_ICS -DMRAT_NAS -DUPGRADE_PLMS_SEARCH_API -DICS_MBCCH -DICS_MBCCH_2G_RSSI -DDIAG_NEWPP -DPHS_SW_DEMO -DPHS_SW_DEMO_TTC -DPHS_SW_DEMO_TTC_PM -DFULL_SYSTEM -D_DDR_INIT_ -D_TAVOR_HARBELL_ -DUPGRADE_ARBEL_PLATFORM -D_TAVOR_B0_SILICON_ -DTDL1C_SPY_ENABLE -DDLM_TAVOR -DTAVOR -DFLAVOR_DUALCORE -DDEBUG_D2_MOR_REG_RESEREVED_ENABLE -D_DIAG_USE_COMMSTACK_ -D_TAVOR_DIAG_ -DPM_DEBUG_MODE_ENABLED -DPM_D2FULL_MODE -DPM_EXT_DBG_INT_ARR -DFEATURE_WB_AMR_PS -DMACRO_FOR_LWG -DHL_LWG -DOPTIMIZE_FOR_2G_BCCH -DPLAT_TEST -D_FDI_USE_OSA_ -DPLAT_USE_THREADX -DLWIP_IPNETBUF_SUPPORT -DCRANE_MCU_DONGLE -DAT_OVER_UART -DPHS_SW_DEMO_TTC_PM -DUPGRADE_LTE_ONLY -DEXT_AT_MODEM_SUPPORT -DLTEONLY_THIN_SINGLE_SIM -DLFS_FILE_SYS -DLFS_FILE_SYS_V2 -DPSM_ENABLE -DNO_PAHO_MQTT -DNO_XML -DNO_LWM2M -DREMOVE_MBEDTLS -DNO_AT_NET -DCRANE_SD_NOT_SUPPORT -DNTP -DYMODEM_EEH_DUMP -DENABLE_DM_LTEONLY -DLTEONLY_THIN -DNO_EXTEND_MY_Q_AT -DNOT_SUPPORT_HTTPS -DNOT_SUPPORT_PM813 -DCRANEL_4MRAM -DREMOVE_PB -DUART_NEW_VERSION -DREMOVE_MEP -DREMOVE_SMS -DREMOVE_ENVSIM -DAPN_INCODE -DLTEONLY_THIN_SINGLE_SIM_2MFLASH -DASR160X_OPENCPU_FEATURE -DENABLE_UART3_FEATRUE -DENABLE_UART4_FEATRUE -DYUGE_MBEDTLS_3_2_1 -DENABLE_MAC_TX_DATA_LOGGING -DDISABLE_NVRAM_ACCESS -DINTEL_UPGRADE_EE_HANDLER_SUPPORT -DLTE_W_PS -DL1_DUAL_MODE -DUPGRADE_HERMON_DUAL -DINTEL_UPGRADE_DUAL_RAT -DINTEL_UPGRADE_GPRS_CIPHER_FLUSH -DUPGRADE_ENHANCED_QUAD_BAND -DINTEL_2CHIP_PLAT -DI_2CHIP_PLAT -DUPGRDE_TAVOR_COMMUNICATION -DRUN_WIRELESS_MODEM -DFLAVOR_DDR12MB_GB1MB5 -DFEATURE_SHMEM -DACIPC_ENABLE_NEW_CALLBACK_MECHANISM -DRELIABLE_DATA -DMAP_NSS -DTV_FNAME="\"SW_PLATFORM=PMD2NONE PHS_SW_DEMO PHS_SW_DEMO_PM SRCNUCLEUS FULL_SYSTEM NOACRTC PDFLT PLAT_TEST PV2 DIAGOSHMEM NVM WITHL1V\"" -DTV_FDESC="\"SW_DESCRIPTION=\"" -DENABLE_ACIPC -D_DATAOMSL_ENABLED_ -DUSB_CABLE_DETECTION_VIA_PMIC -DMIPS_TEST -DMIPS_TEST_RAM -DFLAVOR_DIET_RAM -DNVM_INCLUDE -DMSL_INCLUDE -DMSL_POOL_MEM -DNO_AUDIO -DOSA_QUEUE_NAMES -D_DIAG_DISABLE_USB_ -DOSA_NUCLEUS -DOSA_USED -DPM_D2NONE_MODE -DCRANE_SOC_TEMPERATURE_SENSOR -DL1_SW_UPDATE_FOR_DIGRF -DPHS_L1_SW_UPDATE_R7 -DUPGRADE_LTE -DFRBD_CALIB_NVM -DFRBD_AGC_CALIB -DFRBD_FDT_CALIB -DHSPA_MPR -DCAPT_PARAMS_OPTIMIZE -DL1_WB_R99_ONLY -DL1V_WB_R99_ONLY -DINTERGRATED_RF_SUPPORT -DL1_RX_DIV_SUPPORT -DENABLE_OOS_HANDLING -DTAVOR_D2_WB_L1_SUPPORT -DL1_DDR_HIGH_FREQ -DUPGRADE_DIGRF3G_SUPPORT -DW_PS_PLUS_G_PAGING -D"NO_APLP=0" -DINTEL_UPGRADE_UNIFIED_VOICE_TASK -DINTEL_UPGRADE_R99 -DAPLP_SPY_ENABLE -D__TARGET_FEATURE_DOUBLEWORD -DWHOLE_UMTS_STACK -DUSE_TTPCOM_CSR_BLUETOOTH_AUDIO_GAIN_CONTROL -DL1_UPGRADE_R5 -DUPGRADE_EDGE -DUPGRADE_R4_FS1 -DINTEL_UPGRADE_GSM_CRL_IF -DUPGRADE_EGPRS_M -DINTEL_UPGRADE_EGPRS_M -DINTEL_UPGRADE_RF_PARAMS_IN_CF_TDS -DINTEL_UPGRADE_2SAMPLES_PER_SYMBOL -D"GPRS_MULTISLOT_CLASS=12" -D"EGPRS_MULTISLOT_CLASS=12" -DMARVELL_UPGRADE_BSIC_REDESIGN -DMSL_INCLUDE -DINTEL_HERMON_SAC -DCRANE_CUST_BUILD -DL1_SW_UPDATE_FOR_DIGRF -DFLAVOR_COM -DSILICON_PV2 -DSILICON_SEAGULL -DSILICON_TTC_CORE_SEAGULL -DPCAC_INCLUDE -Otime -DBUILD_DATE="\"06 21 2024\"" -DBUILD_TIME="\"10:56:09\"" -Iatcmds\inc -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\hop\telephony\yuge\inc -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\hal\UART\inc -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\hal\core\inc -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\hal\PMU\inc -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\hal\GPIO\inc -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\os\posix\inc -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\diag\diag_logic\src -IF:\3.asr-b\cat.1-asr1606\1.software\BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF\include\asr160x\csw\SysCfg\inc 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|--------|--------|--------.--------.--------.--------|------------------------------| 0x00145000| 1.270(MB)| |------------------------------------------------------------------------------------| cp_1606L.axf cp_1606L.bin cp_1606L.map gnumake: Leaving directory `F:/3.asr-b/cat.1-asr1606/1.software/BlOOM_OS_1606_OPENCPU_1191_A09_WIHT_NEWRF/amaziot_bloom_os_sdk/sample/3rd/1.1_SCCK33112H6A' "copy NEZHAC_CP_CNR_MIFI_TX.bin to ./ " 已复制 1 个文件。 4.9 生成固件 参考入门中开发工具，生成工具。 4.10 测试 测试步骤： 参考编译教程，和文档开头的编译指令，进行编译 按照编译教程选择对应的选项 烧录 4.11 固件 上电后，串口助手会打印出当前获取到的温度，以及芯片寄存器原始信息； 注：本文部分内容来源于网络，如有侵权，请及时联系我们。 本文章源自奇迹物联开源的物联网应用知识库Cellular IoT Wiki，更多技术干货欢迎关注收藏Wiki： Cellular IoT Wiki 知识库(https://rckrv97mzx.feishu.cn/wiki/wikcnBvAC9WOkEYG5CLqGwm6PHf)

热电偶 与热电阻均属于温度测量中的接触式测温，尽管其作用相同都是测量物体的温度，但是他们的原理与特点却不尽相同。 热电偶是温度测量中应用最广泛的温，他的主要特点就是测温范围宽，性能比较稳定，同时结构简单，动态响应好，更能够远传 4-20mA电信号，便于自动控制和集中控制。热电偶的测温原理是基于 热电效应 。将两种不同的导体或半导体连接成闭合回路，当两个接点处的温度不同时，回路中将产生热 电势 ，这种现象称为热电效应，又称为 塞贝克效应 。闭合回路中产生的热电势有两种电势组成； 温差电势 和接触电势。温差电势是指同一导体的两端因温度不同而产生的电势，不同的导体具有不同的 电子密度 ，所以他们产生的电势也不相同，而接触电势顾名思义就是指两种不同的导体相接触时，因为他们的电子密度不同所以产生一定的电子扩散，当他们达到一定的平衡后所形成的电势，接触电势的大小取决于两种不同导体的材料性质以及他们接触点的温度。国际上应用的热电偶具有一个标准规范，国际上规定热电偶分为八个不同的分度，分别为 B，R，S，K，N，E，J和T，其测量温度的最低可测零下270℃，最高可达1800℃，其中B，R，S属于铂系列的热电偶，由于铂属于贵重金属，所以他们又被称为贵 金属热电偶 而剩下的几个则称为廉价金属热电偶。热电偶的结构有两种，普通型和 铠装 型。普通性热电偶一般由热电极，绝缘管，保护套管和接线盒等部分组成，而铠装型热电偶则是将 热电偶丝 ，绝缘材料和金属保护套管三者组合装配后，经过拉伸加工而成的一种坚实的组合体。但是热电偶的电信号却需要一种特殊的导线来进行传递，这种导线我们称为 补偿导线 。不同的热电偶需要不同的补偿导线，其主要作用就是与热电偶连接，使热电偶的参比端远离电源，从而使参比端温度稳定。补偿导线又分为补偿型和延长型两种，延长导线的化学成分与被补偿的热电偶相同，但是实际中，延长型的导线也并不是用和热电偶相同材质的金属，一般采用和热电偶具有相同电子密度的导线代替。补偿导线的与热电偶的连线一般都是很明了，热电偶的正极连接补偿导线的红色线，而 负极 则连接剩下的颜色。一般的补偿导线的材质大部分都采用 铜镍合金 。 热电阻不仅广泛应用于工业测温，而且被制成标准的基准仪。但是由于他的测温范围使他的应用受到了一定的限制，热电阻的测温原理是基于导体或半导体的电阻值随着温度的变化而变化的特性。其优点也很多，也可以远传电信号，灵敏度高，稳定性强，互换性以及准确性都比较好，但是需要电源激励，不能够瞬时测量温度的变化。工业用热电阻一般采用 Pt100，Pt10，Cu50，Cu100， 铂热电阻 的测温的范围一般为零下 200-800℃，铜热电阻为零下40到140℃。热电阻和热电偶一样的区分类型，但是他却不需要补偿导线，而且比热电偶便宜。 铂热电阻的安装形式很多，有固定螺纹安装，活动螺纹安装，固定 法兰 安装，活动法兰安装，活动管接头安装，直行管接头安装等等。 热电阻与热电偶的选择最大的区别就是温度范围的选择，热电阻是测量低温的 温度传感器 ，一般测量温度在 -200~800℃，而热电偶是测量中高温的温度传感器，一般测量温度在400~1800℃，在选择时如果测量温度在200℃左右就应该选择热电阻测量，如果测量温度在600℃就应该选择 K型热电偶 ，如果测量温度在 1200~1600℃就应该选择S型或者 B型热电偶 。 热电阻与热电偶相比有以下特点： 1、同样温度下输出信号较大，易于测量。 2、测电阻必须借助外加电源。 3、热电阻感温部分尺寸较大，而热电偶工作端是很小的焊点，因而热电阻测温的反应速度比热电偶慢； 4、同类材料制成的热电阻不如热电偶测温上限高。

当有两种不同的导体或半导体 A 和 B 组成一个回路，其两端相互连接时，只要两结点处的温度不同，一端温度为 T ，称为工作端或热端，另一端温度为 T0 ，称为自由端（也称参考端）或冷端，回路中将产生一个电动势，该电动势的方向和大小与导体的材料及两接点的温度有关。这种现象称为 “ 热电效应 ” ，两种导体组成的回路称为 “ 热电偶 ” ，这两种导体称为 “ 热电极 ” ，产生的电动势则称为 “ 热电动势 ” 。 热电动势由两部分电动势组成，一部分是两种导体的接触电动势，另一部分是单一导体的温差电动势。 热电偶回路中热电动势的大小，只与组成热电偶的导体材料和两接点的温度有关，而与热电偶的形状尺寸无关。当热电偶两电极材料固定后，热电动势便是两接点温度 t 和 t0 。的函数差。即 这一关系式在实际测温中得到了广泛应用。因为冷端 t0 恒定，热电偶产生的热电动势只随热端 ( 测量端 ) 温度的变化而变化，即一定的热电动势对应着一定的温度。我们只要用测量热电动势的方法就可达到测温的目的。 热 电偶 测温的基本原理是两种不同成份的材质导体组成闭合回路，当两端存在温度梯度时，回路中就会有电流通过，此时两端之间就存在电动势 —— 热电动势，这就是所谓的 塞贝克效应 (Seebeck effect ）。两种不同成份的均质导体为热电极，温度较高的一端为工作端，温度较低的一端为自由端，自由端通常处于某个恒定的温度下。根据热电动势与温度的函数关系，制成热电偶分度表； 分度表 是自由端温度在 0℃ 时的条件下得到的，不同的热电偶具有不同的分度表。 在热电偶回路中接入第三种金属材料时，只要该材料两个接点的温度相同，热电偶所产生的热 电势 将保持不变，即不受第三种金属接入回路中的影响。因此，在热电偶测温时，可接入 测量仪表 ，测得热电动势后，即可知道被测介质的温度。热电偶测量温度时要求其冷端（测量端为热端，通过引线与 测量电路 连接的端称为冷端）的温度保持不变，其热电势大小才与测量温度呈一定的比例关系。若测量时，冷端的（环境）温度变化，将严重影响测量的准确性。在冷端采取一定措施补偿由于冷端温度变化造成的影响称为热电偶的冷端补偿正常。与 测量仪表 连接用专用补偿导线。 热电偶冷端补偿计算方法： 从毫伏到温度：测量冷端温度，换算为对应毫伏值，与热电偶的毫伏值相加，换算出温度； 从温度到毫伏：测量出实际温度与冷端温度，分别换算为毫伏值，相减後得出毫伏值，即得温度。

为了延长变压器的使用寿命，需要一个测量系统来监测内部整个绕组区域的温度。它必须明确温度升高发生的位置及其强度。您可以在此处了解为什么会这样以及如何在实践中实施? PART 1 变压器多点测温问题 变压器的工作温度越高，使用寿命越短。这里主要存在的问题是绝缘材料的温度依赖性老化，它随着温度呈指数增长。 温度分布均匀，所有部件热负荷均等，有利于使用寿命的延长。但是，如果出现温度热点，会导致老化，从而导致变压器故障。变压器制造后，无法再从外部检测到此类热点。但是，如果变压器在制造过程中已经扩展了测量系统，则可以对变压器进行多点温度测量以进行温度监控。 在变压器上的这种多点温度测量中，温度热点被自动检测并传输到报警系统。 PART 2 在Micronor帮助下的解决方案 变压器上的多点温度测量可以通过光纤测量系统实现。电换能器不适合，一方面因为由于高电流和相关电磁场，数据将不可靠，因此无法实现其目的。另一方面，使用光纤测量系统的变压器上的多点温度测量可提供可靠的数据，并且不受发生的干扰因素的影响。基于拉曼效应，只需要一根光纤。在变压器的生产中，这种光纤被封装并沿着绕组铺设。纤维的长度可达250m。 变压器多点温度测量的测量原理如下：用激光将短光脉冲照射到光纤中。结果，这种光脉冲的光子散射在玻璃纤维的分子上。当温度升高时，背散射光子的波长会发生变化。波长的这种偏移与发生的温差成正比，从而可以在变压器上进行可靠的多点温度测量。 通过额外测量在探测器上测量光子所需的时间，可以精确确定温度升高的位置。这使得在任何一点上记录光纤的温度成为可能。 PART 3 用于变压器多点温度测量的产品 MICRONOR为变压器的多点温度测量提供合适的产品：HK-MR610控制器是基于 拉曼效应 进行温度测定的评估单元。控制器可以 对变压器进行温度监控 ，并在每次 测量后立即检测薄弱点 。 此外，您还可以找到HK-MR610控制器所需的附件。HK-MR611 传感器光纤已完全组装好，可用于变压器上的多点温度测量。它已经包含一个连接光纤和一个油底壳。HK-MR612 测量光纤与 HK-MR614 连接光纤一起，并被 HK-MR615 集水池光纤淹没，也为 HK-MR610 控制器提供了完整的测量电缆。还提供另一种测量光纤 HK-MR613。 结果 变压器上的多点温度测量问题可以通过MICRONOR的特殊解决方案可靠地解决。你也有特殊问题吗？请随时与我们联系。我们将共同找到解决方案。获取有关变压器多点温度测量的建议，或直接在我们的网站上索取产品。 关于我们 虹科传感器技术 我们致力于更加精确简单的测量方案，与全球领先的高精度、高可靠性的传感器厂家进行技术合作，为客户提供全球先进的测量方案，包括光纤传感器、压力传感器、激光测距、粘密度测量、机械检测设备等。通过提供各种不同的技术进行关键测量，消除了在恶劣严苛环境中对传感的限制，使客户能够得到最理想的结果。

    最近搞了一个红外测温，在网上找了很久，用的比较多的芯片是MLX90614,在淘宝上看看其价格还挺贵的-几十块，还有一个比较便宜的芯片是TI的TMP006，这个芯片体积小、价格也便宜，官网上也就1.5美元，关键是可以申请免费样品啊！于是就申请了10个。     按照TMP006的layout指导，画了一块小板子。如下    样品和板子到了，就焊几块吧！用热风*吹了3块，有两个芯片引脚短路，有个没短路。然后调程序，死活不能正确的读到芯片ID，怀疑焊接不好。 后来将芯片中间那块敷铜用刀片给割了，再用热风*吹，吹了两个都可以正确读到芯片的两个ID。    关于程序，我有一个IO模拟IIC的程序，单片机是用的STM32。TMP006的寄存器还是比较简单，总共就5个，其中2个是制造商ID( 5449h )和设备ID( 0067h )，调试时，能正确读出这两个，那硬件和IIC就没问题了。还有三个是配置寄存器、设备自身温度寄存器、目标传感电压。测温主要就靠自身温度和目标传感电压计算而出的。      读出寄存器00和01的值，转换成自身温度Tdie（单位 ℉ ）和目标传感电压Vobj（单位nV），再根据下图公式计算出目标温度   读Tdie和Vobj模块如下： typedef struct {         float Tdie;         short int  Vobj; }TMP006_TypeDef; TMP006_TypeDef Tmp006; void TMP006_Read(void) { unsigned char RxData ;   do { //读配置寄存器 IIC_Read(TMP006_ADDRESS,CONF_REG,RxData,2); } while((RxData 0x80)!=0x80); //等待转换完成 //  IIC_Read(TMP006_ADDRESS,TEMPERATURE_REG,RxData,2);       Tmp006.Tdie=((RxData 8)+RxData )*0.0078125 + 273.15;   IIC_Read(TMP006_ADDRESS,VOBJECT_REG,RxData,2);       Tmp006.Vobj=(RxData 8)+RxData ;  } 读Tobj计算模块如下： float TMP006_Tobj(void) { float Vos = 0; float Tobj = 0; //单位 ℉ float fvobj = 0; float S = 0; float temp = 0; //红外转换电压值 单位nV TMP006_Read(); //读取Tdie和Vobj S = S0*(1+a1*(Tmp006.Tdie-Tref)+a2*(Tmp006.Tdie-Tref)*(Tmp006.Tdie-Tref)); Vos = b0+b1*(Tmp006.Tdie-Tref)+b2*(Tmp006.Tdie-Tref)*(Tmp006.Tdie-Tref); if(Tmp006.Vobj = 0x8000) temp = -(0xffff-Tmp006.Vobj)*156.25; else temp = Tmp006.Vobj*156.25; temp *= 1e-009; fvobj = (temp-Vos) + c2*(temp-Vos)*(temp-Vos); Tobj = sqrt(sqrt(Tmp006.Tdie*Tmp006.Tdie*Tmp006.Tdie*Tmp006.Tdie + (fvobj/S))); //单位 ℉ return (Tobj-273.15); //单位℃ }    本打算隔着玻璃测温度，后发现普通的玻璃远红外透不过去，3um波长以上的基本都透不过了，换成温度也就是700℃以下的波长基本穿不过去。所以如果要么订制透远红外的玻璃或者亚克力也行。还有一个问题，就是关于物体的发射率，越亮的物体发射率越接近0，越黑的物体越接近1.所以红外测温时，要根据被测物来调整发射率，上面计算公式中的S0就是用来校准物体的发射率的。我就 没有去校准，用了一个典型的值: Typical values for S0 are between 5 × 10–14 and 7 × 10–14 .    在TI文档中，还介绍了被测物体与传感器的距离，在什么样的条件下，测出的温度比较接近目标温度。其实TMP006的视角有180°，在淘宝上有红外测温*和红外测温笔，基本上红外测温*的视角比较小，故可远距离测。红外测温笔视角应该和TMP006差不多，所以最好靠着测才准确。      实物图：    完整代码见附件！代码对应ADR0与ADR1接地    官网资料 链接 ：http://www.ti.com.cn/product/cn/TMP006/samplebuy    其他论坛相关链接：http://bbs.eeworld.com.cn/thread-341966-1-1.html    在 TMP006 User Guide中写出来测量精度和距离的问题，发热面越大越靠近传感器，精度越高（缺点就是这个是180°的视角）。下面有个图：