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近日，广电计量在聚焦离子束（FIB）领域编写的专业著作《聚焦离子束：失效分析》正式出版，填补了国内聚焦离子束领域实践性专业书籍的空白，为该领域的技术发展与知识传播提供了重要助力。 随着芯片技术不断发展，芯片的集成度越来越高，结构也日益复杂。这使得传统的失效分析方法面临巨大挑战。FIB技术的出现，为芯片失效分析带来了新的解决方案。它能够在纳米尺度上对芯片进行精确加工和分析。当芯片出现故障时，工程师可以借助FIB技术，像医生给病人做手术一样，对芯片内部进行极其精细的 “手术”，找到故障点并进行修复，保障电子产品的正常运行。例如在航空航天领域，飞行器的零部件需要具备极高的可靠性和稳定性。FIB技术可以对这些零部件的微观结构进行分析和优化，提升其性能和耐用性，确保飞行器在极端环境下也能安全飞行。 本书编著团队实力雄厚，成员来自南京大学、上海交通大学、中国科技大学等国内知名高校，广电计量作为唯一一家企业单位参与其中。这种产学研结合的编著模式充分融合了学术界的理论深度与企业界的实践经验，确保书中内容既具备前沿的学术价值，又拥有极高的实践指导意义。 本书从简要、易懂、可操作性强的编写角度出发，概述FIB在各类失效分析中的应用原理、方法及重要性；通过大量实际工作案例，示例说明FIB在失效分析过程的具体操作步骤与注意要点；同时还深入阐述了聚焦离子束原位分析方法、应用及步骤过程，并介绍了该技术在自动化操作方向的最新发展动态与实际应用案例。书中丰富的鲜活案例，凝聚了编者们对当前FIB技术应用的实践总结，具有很强的时效性和参考性。 作为国内领先的半导体质量评价与可靠性解决方案服务机构，广电计量将以本书出版为契机，不断推动国内FIB失效分析技术的广泛应用，并与行业各方携手共进，共同探索FIB技术的无限可能，助力我国在该领域持续创新、迈向国际前沿，构建更加完善、繁荣的行业生态。

引言 碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制备过程中，揭膜后的脏污问题一直是影响外延片质量和后续器件性能的关键因素。脏污主要包括颗粒物、有机物、无机化合物以及重金属离子等，它们可能来源于外延生长过程中的反应副产物、空气中的污染物或处理过程中的残留物。为了获得高质量、高可靠性的SiC外延片，必须采取有效的清洗方法去除这些脏污。本文将介绍一种创新的去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法，该方法结合了多种化学药液浸泡和物理清洗技术，旨在高效、彻底地去除脏污，同时保护外延片的表面质量。 清洗方法概述 该方法主要包括以下步骤：有机药液浸泡、SPM药液浸泡、氨水药液浸泡和自动式晶片双面清洗。每个步骤都经过精心设计和优化，以确保最佳的清洗效果和最低的损伤风险。 有机药液浸泡 将碳化硅外延片置于含有丙酮和无水乙醇的混合溶液中浸泡。丙酮具有优异的溶解能力，能有效去除有机物和油脂；无水乙醇则用于进一步清洗和干燥。 控制丙酮和无水乙醇的温度分别在40～60℃和20～30℃之间，处理时间各控制在5～15分钟。温度控制有助于提高清洗效率和减少损伤。 将清洗后的外延片转移至纯水槽中，进行第一次QDR（Quick Drain and Rinse，快速排放和冲洗）清洗处理，以去除残留的有机药液。 SPM药液浸泡 将外延片置于SPM（Sulfuric Acid and Peroxide Mix，硫酸和过氧化氢混合物）药液中浸泡。SPM药液具有强氧化性，能有效去除无机化合物和重金属离子。 控制SPM药液的温度在110～130℃之间，药液比例为98%浓硫酸与30%-32%过氧化氢按3:1或7:3的比例混合，处理时间控制在15～30分钟。 将清洗后的外延片再次转移至纯水槽中，进行第二次QDR清洗处理。 氨水药液浸泡 将外延片置于氨水药液中浸泡。氨水药液能进一步去除残留的无机物和有机物，同时有助于中和前面的强酸处理。 控制氨水药液的温度在55～75℃之间，药液比例为氨水溶液、过氧化氢和去离子水纯水按1:2:8或1:1:7的比例混合，处理时间控制在15～30分钟。 将清洗后的外延片转移至纯水槽中，进行第三次QDR清洗处理。 自动式晶片双面清洗 采用自动式晶片清洗设备，对外延片进行双面清洗。该步骤结合了水和高纯氮气的二流体注入喷气式雾状清洗，以及去离子水和HF药液的冲洗。 使用中心旋转吸盘固定外延片，并以800-1200rpm的高速旋转，同时注入水和高纯氮气进行清洗，时间控制在60-80秒。水和高纯氮气的压力控制在30-50psi之间。 分别用去离子水和2-4%的HF药液对外延片两面进行冲洗，循环2-4次，以去除表面的自然氧化膜和残留物。 增加转速至1500-2000rpm，通过高转速甩干外延片表面的水分。 技术优势 高效去除脏污：结合多种化学药液浸泡和物理清洗技术，能有效去除碳化硅外延片表面的颗粒物、有机物、无机化合物和重金属离子等脏污。 保护表面质量：通过精确控制药液温度、比例和处理时间，以及采用温和的清洗方式，最大限度地减少对外延片表面的损伤。 提高良品率：有效的清洗方法有助于减少外延片在后续工艺中的缺陷和失效，从而提高良品率和生产效率。 环保节能：该方法采用的化学药液可以回收再利用，减少废水排放，符合环保要求。同时，高效的清洗方式也有助于节约能源。 应用前景 该方法在碳化硅外延片制备领域具有广阔的应用前景。随着SiC半导体材料技术的不断发展，对高质量、高可靠性的SiC外延片的需求日益增长。通过采用该方法，可以显著提高SiC外延片的质量和性能，为制造高性能、高可靠性的SiC器件提供有力支持。此外，该方法还适用于其他半导体材料的外延片清洗过程，具有广泛的适用性和推广价值。 结论 去除碳化硅外延片揭膜后的脏污是确保外延片质量和后续器件性能的关键步骤。通过采用创新的清洗方法，结合多种化学药液浸泡和物理清洗技术，可以高效、彻底地去除脏污，同时保护外延片的表面质量。该方法在SiC外延片制备领域具有重要的应用价值，有助于推动SiC半导体材料技术的发展和应用。高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

探针台是半导体测试领域的重要设备，用于支撑和固定待测芯片，以便进行jing确的电气测试。在使用过程中，探针台可能会出现位置偏移，这时就需要进行复位操作。下面，我们将详细介绍探针台复位的zui简单三个步骤。 一、确定复位基准点 复位操作的di一步是确定复位基准点。通常，探针台会配备有明确的复位标记或感应点。用户需要仔细查找并确认这些标记，确保复位操作的准确性。找到基准点后，将探针台移动到该位置附近，准备进行下一步操作。 二、执行复位动作 在确认基准点后，接下来需要执行复位动作。根据探针台的具体型号和操作指南，用户需要按照正确的顺序和方法进行操作。一般来说，复位动作可能包括旋转、平移或升降等操作，以确保探针台jing确对准复位基准点。在执行复位动作时，用户需保持耐心和细心，避免操作过快或过度用力导致设备损坏。 三、验证复位效果 完成复位动作后，用户需要验证复位效果。这通常涉及使用测量工具（如显微镜、测量尺等）来检查探针台是否已准确复位到基准点。如果发现位置仍有偏差，用户应重新进行复位操作，直到达到满意的效果为止。验证复位效果是确保后续测试准确性和设备稳定性的重要步骤，不容忽视。 通过遵循以上三个简单步骤，用户可以轻松完成探针台的复位操作。这不仅有助于提高测试精度，还能延长设备的使用寿命。在进行复位操作时，请务必参考设备的操作手册和安全指南，以确保操作的安全性和有效性。

引言 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制造过程中，表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此，采用高效的化学机械清洗方法，以彻底去除SiC外延片表面的污染物，成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法，包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片制造中的应用优势。 清洗步骤 SiC外延片的化学机械清洗方法主要包括以下几个步骤： 初步固定与旋转 将SiC外延片放置在专用的基座上，并通过基座实现旋转。旋转有助于均匀分布清洗液，提高清洗效率。 化学抛光清洗 采用毛刷作为抛光刷，抛光刷自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行化学抛光清洗。在这一步骤中，抛光液通过抛光刷喷洒在晶片的表面。抛光液通常包含能够去除表面污染物的化学试剂，如去离子水、抛光剂和其他添加剂。 去离子水清洗 在完成化学抛光清洗后，提起抛光刷，放下清洗刷。清洗刷同样自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行清洗。在这一步骤中，去离子水通过清洗刷喷洒在晶片的表面，以去除残留的抛光液和污染物。 去离子水冲洗 提起清洗刷后，用去离子水对晶片表面进行冲洗，以进一步去除残留的化学物质和松动的污染物。 热氮气吹扫干燥 最后，用热氮气吹扫旋转的晶片表面，以干燥晶片。热氮气能够快速带走晶片表面的水分，防止水渍和二次污染的产生。 所用化学试剂及工具 SiC外延片的化学机械清洗方法所用的主要化学试剂包括抛光液、去离子水和热氮气。抛光液通常包含抛光剂、去离子水和其他添加剂，用于去除晶片表面的污染物。去离子水用于清洗和冲洗晶片表面，去除残留的化学物质和污染物。热氮气用于干燥晶片表面，防止水渍和二次污染的产生。 在工具方面，主要使用毛刷作为抛光刷和清洗刷，以及专用的基座和旋转装置。毛刷具有柔软且耐磨的特性，能够均匀分布清洗液，并对晶片表面进行细致的清洗。基座和旋转装置则用于固定和旋转晶片，提高清洗效率。 应用优势 SiC外延片的化学机械清洗方法具有以下应用优势： 高效去除污染物 该方法通过化学抛光清洗和去离子水清洗相结合的方式，能够高效去除晶片表面的各种污染物，包括尘埃颗粒、有机物残留薄膜和金属离子等。 提高表面质量 化学机械清洗方法不仅能够去除污染物，还能够对晶片表面进行一定的修饰，提高表面粗糙度和去除表面应力，从而改善外延层的生长质量和器件的性能。 适用于大规模生产 该方法具有自动化程度高、清洗效率高等特点，适用于大规模生产中的SiC外延片清洗。通过优化清洗参数和工艺条件，可以进一步提高清洗效率和质量稳定性。 环保节能 化学机械清洗方法所使用的化学试剂和工具均符合环保要求，且清洗过程中产生的废液和废气可以通过适当的处理进行回收利用或安全排放。同时，该方法具有较低的能耗和较高的资源利用率。 结论 综上所述，SiC外延片的化学机械清洗方法是一种高效、可靠且环保的清洗技术。通过优化清洗步骤、选用合适的化学试剂和工具以及控制清洗参数和工艺条件，可以彻底去除SiC外延片表面的污染物，提高外延片的质量和性能。随着半导体技术的不断进步和应用领域的拓展，SiC外延片的化学机械清洗方法将在半导体制造业中发挥越来越重要的作用。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。

引言 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制造过程中，表面污染物的存在会严重影响外延片的质量和性能。因此，采用高效的化学机械清洗方法，以彻底去除SiC外延片表面的污染物，成为保证外延片质量的关键步骤。本文将详细介绍SiC外延片的化学机械清洗方法，包括清洗步骤、所用化学试剂及工具、以及该方法在SiC外延片制造中的应用优势。 清洗步骤 SiC外延片的化学机械清洗方法主要包括以下几个步骤： 初步固定与旋转 将SiC外延片放置在专用的基座上，并通过基座实现旋转。旋转有助于均匀分布清洗液，提高清洗效率。 化学抛光清洗 采用毛刷作为抛光刷，抛光刷自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行化学抛光清洗。在这一步骤中，抛光液通过抛光刷喷洒在晶片的表面。抛光液通常包含能够去除表面污染物的化学试剂，如去离子水、抛光剂和其他添加剂。 去离子水清洗 在完成化学抛光清洗后，提起抛光刷，放下清洗刷。清洗刷同样自转并沿着晶片半径方向往复移动，对晶片的表面进行清洗。在这一步骤中，去离子水通过清洗刷喷洒在晶片的表面，以去除残留的抛光液和污染物。 去离子水冲洗 提起清洗刷后，用去离子水对晶片表面进行冲洗，以进一步去除残留的化学物质和松动的污染物。 热氮气吹扫干燥 最后，用热氮气吹扫旋转的晶片表面，以干燥晶片。热氮气能够快速带走晶片表面的水分，防止水渍和二次污染的产生。 所用化学试剂及工具 SiC外延片的化学机械清洗方法所用的主要化学试剂包括抛光液、去离子水和热氮气。抛光液通常包含抛光剂、去离子水和其他添加剂，用于去除晶片表面的污染物。去离子水用于清洗和冲洗晶片表面，去除残留的化学物质和污染物。热氮气用于干燥晶片表面，防止水渍和二次污染的产生。 在工具方面，主要使用毛刷作为抛光刷和清洗刷，以及专用的基座和旋转装置。毛刷具有柔软且耐磨的特性，能够均匀分布清洗液，并对晶片表面进行细致的清洗。基座和旋转装置则用于固定和旋转晶片，提高清洗效率。 应用优势 SiC外延片的化学机械清洗方法具有以下应用优势： 高效去除污染物 该方法通过化学抛光清洗和去离子水清洗相结合的方式，能够高效去除晶片表面的各种污染物，包括尘埃颗粒、有机物残留薄膜和金属离子等。 提高表面质量 化学机械清洗方法不仅能够去除污染物，还能够对晶片表面进行一定的修饰，提高表面粗糙度和去除表面应力，从而改善外延层的生长质量和器件的性能。 适用于大规模生产 该方法具有自动化程度高、清洗效率高等特点，适用于大规模生产中的SiC外延片清洗。通过优化清洗参数和工艺条件，可以进一步提高清洗效率和质量稳定性。 环保节能 化学机械清洗方法所使用的化学试剂和工具均符合环保要求，且清洗过程中产生的废液和废气可以通过适当的处理进行回收利用或安全排放。同时，该方法具有较低的能耗和较高的资源利用率。 结论 综上所述，SiC外延片的化学机械清洗方法是一种高效、可靠且环保的清洗技术。通过优化清洗步骤、选用合适的化学试剂和工具以及控制清洗参数和工艺条件，可以彻底去除SiC外延片表面的污染物，提高外延片的质量和性能。随着半导体技术的不断进步和应用领域的拓展，SiC外延片的化学机械清洗方法将在半导体制造业中发挥越来越重要的作用。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。