本篇对第三章的内容挑最重要的部分做一下阅读总结。
第三章详细讲解了半导体元件的基本操作，包括PN结，二极管，双极性晶体管，MOS晶体管（NMOS，PMOS），CMOS等等。
后面又讲了DRAM和闪存。
1、PN结
当N型半导体与P型半导体接触时，N型半导体中的电子向P型半导体区域移动。反之，P型半导体中的空穴向N型半导体移动，彼此融合并消失。然后在两个半导体的接触面上形成一个不存在电子和空穴的区域，称为耗尽层。
耗尽层的产生是由于扩散现象。
当PN结正向偏置（电池正极接在P侧，负极接在N侧）时，从电池的一个电极向N型半导体共给电子。
当PN结反向偏置（电池正极接在N侧，负极接在P侧）时，则电子从电池的负极共给P型半导体，并与P型半导体的空穴结合而消失。
二极管的单向导电性就是PN结的正向偏置和反向偏置的特性导致的。
整流其实就是利用了二极管的单向导电性。
2、双极型晶体管
NPN型晶体管和PNP型晶体管实际上可以看成由两个PN结组成的晶体管。
同时，双极型晶体管具有电流放大作用。这也是由PN结的特性决定的。
3、MOS晶体管
mos晶体管实际上只是改变了N型半导体和P型半导体的分布结构使得晶体管性能更好，功耗更低，然后更小型化，便于大规模集成。
与双极型晶体管类似，MOS晶体管又分为NMOS和PMOS。
同时MOS管和双机型晶体管的另一个区别是MOS管是电压驱动，双机型晶体管是电流驱动。
另外，PMOS和NMOS组合起来使用又形成了CMOS。
4、DRAM和闪存
DRAM的存储单元由一个MOS晶体管和一个电容组成。通过字线和位线进行控制。
在DRAM中，由于存储单元的读取操作会引起存储单元中的电荷流失，存储内容会消失。所以DRAM要定时刷新才能保持存储内容不丢失。这也是叫DRAM的原因。
闪存实际上就是串联或者并联了存储单元而做成的存储器。串联的叫NAND Flash，并联的叫NOR Flash。
闪存的内容是非易失的。但是是由一定的擦写寿命的，一般是10000~100000次。
以上这些就是本书第三章节的内容。
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