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  • 2020-7-17 14:09
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    ​​ ​联芸科技|MAXIO ------------------------------------------------------------------ 公司简介 联芸科技于2014年11月在中国杭州滨江创建,公司专注于数据存储管理芯片的研究及产业化。基于高集成度、高性能的SOC芯片平台,搭载客制化的软硬件解决方案,联芸科技为客户提供完整的交钥匙解决方案。联芸科技客户涵盖中国本土及全球制造商,为中国乃至全球新兴市场的客户提供卓越的高端存储管理芯片及解决方案。 联芸科技总部位于杭州,在广州/深圳设有从事研发、市场和技术支持的分支机构。公司以数据存储管理、信息安全、SOC芯片为核心研发方向,是目前国际上为数不多掌握高端数据存储管理芯片核心技术企业之一。产品可广泛应用于消费电子、工控、通讯、能源、金融等众多领域。 发展历程 2020 年 2月/获批“浙江省高新技术企业研发中心” 4月/成为全球仅有两家适配长江存储128层3D QLC NAND闪存SSD控制芯片原厂之一 4月/ MAP1202固态硬盘控制芯片实现MP流片 6月/ MAS1101固态硬盘控制芯片实现MP流片 6月/ MAP1201固态硬盘控制芯片实现MP流片 2019 年 1月/荣获杭州市专利试点企业 1月/荣获国密局颁发的“商用密码产品型号”证书 3月/获评浙江省领军型创新创业团队 5月/ MAP1001固态硬盘控制芯片实现量产流片 5月/ MAS090X系列固态硬盘控制芯片荣获“中国半导体创新产品和技术”奖 8月/ MAP1002固态硬盘控制芯片实现量产流片 10月/ MAP100X系列固态硬盘控制芯片获CCID中国芯“优秀技术创新产品”奖 10月/ MAS1102固态硬盘控制芯片实现MP流片 2018 年 3月/获得滨江国家高新区“5050计划”重点支持 6月/获批2018年杭州市企业高新技术研究开发中心 9月/ MAP100X系列固态硬盘控制芯片实现MPW流片 9月/国内首发支持64层3D QLC闪存颗粒固态硬盘解决方案并实现量产 11月/数据智能处理芯片获得浙江省科技重大创新专项立项支持 11月/通过2018年杭州市级企业技术中心认定 11月/ MAS090X系列固态硬盘控制芯片获CCID中国芯“优秀市场表现产品”奖 2017 年 1月/通过ISO9001质量管理体系认证 4月/ MAS090X系列固态硬盘控制芯片实现量产流片 10月/ MAS090X系列固态硬盘控制芯片获工信部CSIP中国芯“最具潜质产品”奖 11月/获批国家高新技术企业 11月/“新一代固态硬盘控制芯片研究及产业化项目”获杭州市重大科技创新专项立项支持 2016 年 7月/荣获浙江省科技型中小企业证书 11月/荣获国密局颁发的“商用密码产品生产定点单位”证书 12月/ MAS090X系列固态硬盘控制芯片成功实现生产流片 12月/固态硬盘控制芯片联芸科技出货量全球排名第三---集邦科技排名 2015 年 6月/ MAS080X系列固态硬盘控制芯片实现生产流片 10月/ MAS080X系列固态硬盘控制芯片通过严格验收测试 12月/ MAS080X系列固态硬盘控制芯片获得首批商用出货 2014 年 11月/在杭州滨江注册成立 12月/立项开发MAS080X系列固态硬盘控制芯片 主营产品 固态硬盘主控芯片 MAS090X系列固态硬盘控制芯片 MAP100X系列固态硬盘控制芯片 SATA SSD 主控芯片 PCIE SSD 主控芯片 G M T Y 检测语言世界语中文简体中文繁体丹麦语乌克兰语乌兹别克语乌尔都语亚美尼亚语伊博语俄语保加利亚语信德语修纳语僧伽罗语克罗地亚语冰岛语加利西亚语加泰罗尼亚语匈牙利语南非祖鲁语卡纳达语卢森堡语印地语印尼巽他语印尼爪哇语印尼语古吉拉特语吉尔吉斯语哈萨克语土耳其语塔吉克语塞尔维亚语塞索托语夏威夷语威尔士语孟加拉语宿务语尼泊尔语巴斯克语布尔语(南非荷兰语)希伯来语希腊语库尔德语弗里西语德语意大利语意第绪语拉丁语拉脱维亚语挪威语捷克语斯洛伐克语斯洛文尼亚语斯瓦希里语旁遮普语日语普什图语格鲁吉亚语毛利语法语波兰语波斯尼亚语波斯语泰卢固语泰米尔语泰语海地克里奥尔语爱尔兰语爱沙尼亚语瑞典语白俄罗斯语科萨科西嘉语立陶宛语索马里语约鲁巴语缅甸语罗马尼亚语老挝语芬兰语苏格兰盖尔语苗语英语荷兰语菲律宾语萨摩亚语葡萄牙语蒙古语西班牙语豪萨语越南语阿塞拜疆语阿姆哈拉语阿尔巴尼亚语阿拉伯语韩语马其顿语马尔加什语马拉地语马拉雅拉姆语马来语马耳他语高棉语齐切瓦语 世界语中文简体中文繁体丹麦语乌克兰语乌兹别克语乌尔都语亚美尼亚语伊博语俄语保加利亚语信德语修纳语僧伽罗语克罗地亚语冰岛语加利西亚语加泰罗尼亚语匈牙利语南非祖鲁语卡纳达语卢森堡语印地语印尼巽他语印尼爪哇语印尼语古吉拉特语吉尔吉斯语哈萨克语土耳其语塔吉克语塞尔维亚语塞索托语夏威夷语威尔士语孟加拉语宿务语尼泊尔语巴斯克语布尔语(南非荷兰语)希伯来语希腊语库尔德语弗里西语德语意大利语意第绪语拉丁语拉脱维亚语挪威语捷克语斯洛伐克语斯洛文尼亚语斯瓦希里语旁遮普语日语普什图语格鲁吉亚语毛利语法语波兰语波斯尼亚语波斯语泰卢固语泰米尔语泰语海地克里奥尔语爱尔兰语爱沙尼亚语瑞典语白俄罗斯语科萨科西嘉语立陶宛语索马里语约鲁巴语缅甸语罗马尼亚语老挝语芬兰语苏格兰盖尔语苗语英语荷兰语菲律宾语萨摩亚语葡萄牙语蒙古语西班牙语豪萨语越南语阿塞拜疆语阿姆哈拉语阿尔巴尼亚语阿拉伯语韩语马其顿语马尔加什语马拉地语马拉雅拉姆语马来语马耳他语高棉语齐切瓦语 文本转语音功能仅限200个字符 选项 : 历史 : 反馈 : Donate 关闭
  • 2020-7-16 14:20
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    ​​ 企业简介 扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、功率模块、碳化硅等,为客户提供一揽子产品解决方案。 公司产品广泛应用于电源、家电、照明、安防、网通、消费电子、新能源、工控、汽车电子等多个领域。 发展历程 自2000年以来,经过20年的发展,已成为行业内有影响力的企业,是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。工厂总面积120,000平方米,现有员工3200余人,办事处遍布全球,公司一直秉持人文理念的发展模式。 2000年 成立江苏扬杰科技电子有限公司 2006年 设立桥堆二极管产线 2009年 设立4寸芯片产线 2012年 高端模块成立;IPO成功过会 2013年 设立4寸芯片第二条产线;大规模自动化设备取代手工;通过philips 认证 2014年 成功登录深交所;台湾办事处成立;通过Delta认证 2017年 设立小信号产线 2018年 设立汽车电子产线;收购宜兴杰芯高压MOS产线,持有51%股份 2019年 日本办事处成立 旗下公司 扬州扬杰电子股份有限公司上海分公司 扬州扬杰电子股份有限公司深圳分公司 扬州扬杰电子股份有限公司邗江分公司 投资公司 深圳市美微科半导体有限公司 扬州扬杰电力发展有限公司 苏州美微芯半导体有限公司 扬州杰盈汽车芯片有限公司 江苏美微科半导体有限公司 江苏扬杰半导体有限公司 上海派骐微电子有限公司 扬州杰瑞开发置业有限公司 泗洪红芯半导体有限公司 扬州杰利半导体有限公司 ……共20家 主营产品 G M T Y 检测语言世界语中文简体中文繁体丹麦语乌克兰语乌兹别克语乌尔都语亚美尼亚语伊博语俄语保加利亚语信德语修纳语僧伽罗语克罗地亚语冰岛语加利西亚语加泰罗尼亚语匈牙利语南非祖鲁语卡纳达语卢森堡语印地语印尼巽他语印尼爪哇语印尼语古吉拉特语吉尔吉斯语哈萨克语土耳其语塔吉克语塞尔维亚语塞索托语夏威夷语威尔士语孟加拉语宿务语尼泊尔语巴斯克语布尔语(南非荷兰语)希伯来语希腊语库尔德语弗里西语德语意大利语意第绪语拉丁语拉脱维亚语挪威语捷克语斯洛伐克语斯洛文尼亚语斯瓦希里语旁遮普语日语普什图语格鲁吉亚语毛利语法语波兰语波斯尼亚语波斯语泰卢固语泰米尔语泰语海地克里奥尔语爱尔兰语爱沙尼亚语瑞典语白俄罗斯语科萨科西嘉语立陶宛语索马里语约鲁巴语缅甸语罗马尼亚语老挝语芬兰语苏格兰盖尔语苗语英语荷兰语菲律宾语萨摩亚语葡萄牙语蒙古语西班牙语豪萨语越南语阿塞拜疆语阿姆哈拉语阿尔巴尼亚语阿拉伯语韩语马其顿语马尔加什语马拉地语马拉雅拉姆语马来语马耳他语高棉语齐切瓦语 世界语中文简体中文繁体丹麦语乌克兰语乌兹别克语乌尔都语亚美尼亚语伊博语俄语保加利亚语信德语修纳语僧伽罗语克罗地亚语冰岛语加利西亚语加泰罗尼亚语匈牙利语南非祖鲁语卡纳达语卢森堡语印地语印尼巽他语印尼爪哇语印尼语古吉拉特语吉尔吉斯语哈萨克语土耳其语塔吉克语塞尔维亚语塞索托语夏威夷语威尔士语孟加拉语宿务语尼泊尔语巴斯克语布尔语(南非荷兰语)希伯来语希腊语库尔德语弗里西语德语意大利语意第绪语拉丁语拉脱维亚语挪威语捷克语斯洛伐克语斯洛文尼亚语斯瓦希里语旁遮普语日语普什图语格鲁吉亚语毛利语法语波兰语波斯尼亚语波斯语泰卢固语泰米尔语泰语海地克里奥尔语爱尔兰语爱沙尼亚语瑞典语白俄罗斯语科萨科西嘉语立陶宛语索马里语约鲁巴语缅甸语罗马尼亚语老挝语芬兰语苏格兰盖尔语苗语英语荷兰语菲律宾语萨摩亚语葡萄牙语蒙古语西班牙语豪萨语越南语阿塞拜疆语阿姆哈拉语阿尔巴尼亚语阿拉伯语韩语马其顿语马尔加什语马拉地语马拉雅拉姆语马来语马耳他语高棉语齐切瓦语 文本转语音功能仅限200个字符 选项 : 历史 : 反馈 : Donate 关闭
  • 2020-7-16 14:14
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    ​​ 企业简介 扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、功率模块、碳化硅等,为客户提供一揽子产品解决方案。 公司产品广泛应用于电源、家电、照明、安防、网通、消费电子、新能源、工控、汽车电子等多个领域。 发展历程 自2000年以来,经过20年的发展,已成为行业内有影响力的企业,是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化(IDM)的杰出厂商。工厂总面积120,000平方米,现有员工3200余人,办事处遍布全球,公司一直秉持人文理念的发展模式。 2000年 成立江苏扬杰科技电子有限公司 2006年 设立桥堆二极管产线 2009年 设立4寸芯片产线 2012年 高端模块成立;IPO成功过会 2013年 设立4寸芯片第二条产线;大规模自动化设备取代手工;通过philips 认证 2014年 成功登录深交所;台湾办事处成立;通过Delta认证 2017年 设立小信号产线 2018年 设立汽车电子产线;收购宜兴杰芯高压MOS产线,持有51%股份 2019年 日本办事处成立 旗下公司 扬州扬杰电子股份有限公司上海分公司 扬州扬杰电子股份有限公司深圳分公司 扬州扬杰电子股份有限公司邗江分公司 投资公司 深圳市美微科半导体有限公司 扬州扬杰电力发展有限公司 苏州美微芯半导体有限公司 扬州杰盈汽车芯片有限公司 江苏美微科半导体有限公司 江苏扬杰半导体有限公司 上海派骐微电子有限公司 扬州杰瑞开发置业有限公司 泗洪红芯半导体有限公司 扬州杰利半导体有限公司 ……共20家 主营产品
  • 2020-7-10 13:36
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    ​火炬电子|TORCH ELECTRON ----------------------------------------------------------------------------- 企业简介 火炬电子始创于1989年,现有6家全资子公司及3家控股子公司,主要从事电容器研发、制造、销售和服务工作。作为我国首批通过宇航级产品认证的企业。公司当前已有1000多家用户,产品广泛应用于航空、航天、船舶以及通讯、电力、轨道、新能源等领域。2015年1月,公司在上海证券交易所正式挂牌交易,股票代码:603678。 公司是国家高新技术企业、福建省“十一五”规划电子元器件发展支柱企业,拥有通过CNAS国家实验室认可的火炬电子实验室、省级企业技术中心、省级工程研究中心,设立国家博士后科研工作站,先后通过了ISO9001质量管理体系、ISO14001环境管理体系、GB/T28001-2011职业健康安全管理体系和SA8000社会责任管理体系认证。截止2019年6月30日已获得发明专利38项,外观专利7项,实用新型91项。 公司通过清晰的产品定位和市场定位,构建稳定、独特、高效的营销模式,形成差异化竞争优势。2016年始,公司布局“元器件、新材料和贸易”三大板块平台战略,借助资本市场,积极向具有渠道和技术协同效应的其他类型元器件产品延伸,全力推进产品核心技术的研发,为我国电子元器件和新材料产业的发展做出贡献。 火炬电子一直专注陶瓷电容器领域的研发,生产,销售及服务工作。 素有电容专家之美誉 火炬牌产品以技术领先质量可靠而广泛的应用于通讯设备、工业控制设备、精密仪表仪器、医疗设备、石油勘探设备等民用高端领域。 发展历程 1989年 泉州火炬电子元件厂成立 1997年 火炬电子子公司福建毫米电子有限公司(原泉州火炬电子有限公司)于福建泉州成立 2003年 火炬电子全资子公司苏州雷度电子有限公司于苏州成立 2004年 火炬电子高可靠多层陶瓷电容器被列入国家级火炬计划项目 2007年 火炬电子全资子公司厦门雷度电子有限公司于厦门成立;同年,公司整体改制为股份制公司 2008年 火炬电子福建泉州江南高新技术电子信息园厂区正式启动 2010年 火炬电子被国家发改委评为国家高新技术产业化示范工程;同年,火炬电子全资子公司火炬集团控股有限公司于香港成立 2011年 火炬电子被评选为全国598家国家火炬计划重点高新技术企业之一 2013年 火炬电子与厦门大学资产经营有限公司共同出资于漳州设立子公司——福建立亚特陶有限公司 2015年 福建火炬电子科技股份有限公司在上海证券交易所上市,同年公司全资子公司福建立亚新材有限公司成立于福建泉州 2017年 火炬电子第三厂区暨多层瓷介电容器产业基地及研发中心项目竣工 2018年 火炬电子成立30周年。同年,于深圳成立全资子公司深圳雷度电子有限公司,并收购广州天极电子科技有限公司60%股权。 旗下公司 火炬国际有限公司 厦门雷度电子有限公司 苏州雷度电子有限公司 福建毫米电子有限公司 深圳雷度电子有限公司 福建立亚化学有限公司 广州天极电子科技有限公司 投资公司 深圳立亚新材有限公司 福建立亚特陶有限公司 主营产品 片式多层瓷介电容器 涂装引线式多层瓷介电容器 模压表贴瓷介电容器 片式高分子固体电解质钽电容器 高性能炭基双电层电容器 更多内容请点击: 芯梦享
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    2020-7-10 10:11
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    配图来自Canva 近日,中芯国际成功登陆科创板。按照中芯国际发行价27.46元/股,发行16.86亿股计算,本次的募资金额是462.87亿元,比此前招股书规划的200亿元高出一倍多。 在超额配售选择权行使后,发行总股数扩大至19.38亿股,融资规模超过530亿元,创下国内近10年最大规模IPO纪录,成为科创板当之无愧的募资王。 中芯国际在资本市场受到的优待令人称羡,但在半导体行业内这并非孤例,实际上近几年国内半导体企业融资规模普遍都在急速扩大。 半导体受资本追捧 半导体产业属于高度技术及资本密集型产业,离不开资本的扶持。同时,半导体作为战略产业,政府牵头进行反周期投资,也是韩国、日本等半导体产业领先国家的常规手段。 为扶持国内半导体产业发展,尤其是为了推动集成电路芯片制造业发展,自2014年起,政府牵头成立了国家集成电路产业投资基金(简称“大基金”)。到2018年,大基金一期即已经完成了近1400亿元人民币的投资。 大基金一期投资项目中,集成电路制造占67%,设计占17%,封测占10%,装备材料类占6%。涉及包括中芯国际、紫光展讯、长电科技、北方华创、长江储存等在内的数十家知名企业。 大基金以大手笔的投资,扶持半导体产业发展,短短数年内就取得了显著成效。以专注于3D NAND闪存领域的长江储存为例,在取得了充足的资本助力后,2016年公司正式成立,到今年为止,只用短短4年时间就追赶上了国际先进水平,推出国产128层3D NAND闪存。 大基金的投资行动对民间资本市场形成了一定的刺激带动作用,2018年之后民间资本积极追随国家资本的步伐,不断加大对半导体产业的投资力度。阿里巴巴创投、联想创投等大型科技公司内部的风险投资部门,对半导体产业领域的关注度也在持续提高。 这使得无论是中芯国际这样的老牌半导体巨头,还是寒武纪这样新晋崛起的半导体初创公司,都有机会获得越来越多的,来自各方面的资本助力,整个半导体产业的融资规模急速扩大。 数据显示,2019年中国半导体相关企业融资额达到640亿元。截至到7月5日,2020年的融资额已达到约1440亿元人民币,仅仅约半年的时间就达到了去年的2.2倍。半导体行业融资已经呈现出倍数级增长的趋势。 半导体何以成为资本洼地? 从国家资本积极带头,到民间资本持续跟进,为什么半导体这样投资回报周期长且需要高额资金持续投入的产业会成为资本洼地,使得资本不断加速汇集? 实际上,这是内外合力之下的必然结果。 一方面,我国智能制造业建设,离不开半导体产业的支撑。 近十几年来,我国制造业持续快速发展,已经形成了门类齐全、独立完整的产业体系,有力推动了我国工业化和现代化的进程。但随之而来,推动产业进一步升级也成为了必然选择。 伴随全球信息革命的持续演化,尤其是智能手机加速普及,制造业产业升级和数字化、智能化技术紧密的联系起来,信息化和工业化两化深度融合成为大势所趋,也成为建设智能制造业的关键。而信息化建设的根基,实际上一直都在于半导体产业。 遗憾的是,受各种因素影响,长期以来我国的半导体产业发展并不充分,至今半导体产业发展相比国际先进水平依然存在显著差距。换句话说,半导体产业成为制造业升级的一大短板,拖了智能制造的后腿。 现在半导体产业加速追赶国际先进水平,实际上相当于补课,这中间不能缺少资本的全力支持。 另一方面,近年伴随信息技术从移动互联网向物联网方向迈进,半导体产业发展也迎来了变革的契机。 自2010年左右的智能手机加速普及开始,智能手机含硅量的不断提升,成为推动全球半导体行业快速发展的主要动力。在这个过程中,中国企业在全球半导体产业链中的参与度越来越高,比如华为海思的芯片设计能力,就是在此阶段内获得了快速提升。 近一两年,5G、人工智能、物联网等新一代的信息技术加速商业化落地,这使得半导体产业发展迎来了新的机会和动力。比如华为、阿里和百度都推出了自己设计的AI芯片,但依然还需要下游的芯片制造厂商配合才能造出成品。 总之,无论是国家智能制造发展的需要,还是新的信息技术提供的机会,都一定会推动半导体产业未来快速发展,资本看重的正是半导体产业的这一光辉前景。 国产半导体迎突破 中国是全球最大的半导体消费市场和应用市场,本身就具备巨大的市场优势。中国通信学会数据显示,2018年全球手机终端的出货量达20亿台,其中15亿台由中国加工制造,11亿台出口。 而在资本的加持下,近两年半导体制造,乃至更上游的半导体设备和半导体材料等领域都在尽力追赶世界先进水平,整个半导体产业链的短板在慢慢被补齐。比如前文提到的长江储存在3D NAND闪存领域追平国际先进水平。 再比如中芯国际2019年实现了14nm FinFET正式量产,先进制程节点带动国内半导体产业链同步快速发展,大量采用了北方华创等国产厂商的半导体设备。 但本次科创板上市期间,高盛对中芯国际的技术升级路线作出了预测,认为中芯国际2022年可升级到7nm工艺,2024年下半年将升级到5nm工艺,到达今年台积电的水平。也就是说,在集成电路芯片制造领域,目前我国与世界先进水平还存在4年左右的差距。当然,在中芯国际等国内企业的尽力追赶下,相信这个差距有可能会进一步缩小。 现实差距客观存在,但不必因此沮丧,因为时间是站在我们这一边的。 全球半导体产业加速向中国转移 近几年全球半导体产业向中国转移的历史趋势,已经得到了事实验证。 开源证券分析,随着中国半导体制造业的迅猛发展,设备需求不断增长,2019年以149亿美元的市场规模居全球第二位,并有望在2021年跃居首位。 半导体设备市场规模的急速扩张,意味着我国的半导体生产能力在不断提高,半导体自给率也在不断提升。 美国集成电路研究公司数据显示,截至2019年12月,中国台湾、韩国、日本的半导体生产能力位居世界前三,中国大陆排名第四,但已超过美国。中国大陆有望在2020年排名第三,2022年升至第二位。事实上,全球半导体产业向中国转移的速度正在不断加快。 中国正处于全球半导体产业第三次转移的历史机遇期。同时硅芯片制造工艺逼近物理极限,也为中国企业追赶世界一流技术水平留下了时间窗口。 当前,中国半导体产业正处于产业升级的关键阶段,掌握核心技术是中国半导体产业现阶段最重要的目标。为了实现这一目标,中国半导体企业都在全力以赴地攻坚克难,当然,这个过程中资本的助力也是不可或缺的。 文/刘旷公众号,ID:liukuang110
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    本书通过四种最有代表性的封装类设计实例(QFP、PBGA、FC-PBGA、SiP),详细介绍了封装设计过程及基板、封装加工、生产方面的知识。本书还涵盖封装技术的概念、常用封装材料介绍及封装工艺流程、金属线框QFP的设计、WireBond介绍、PBGA设计、基板工艺、封装工艺、8个Die堆叠的SiP设计与制作过程、高速SerDes的FC-PBGA设计关键点、FlipChip设计过程中Die与Package的局部Co-Design。作者:毛忠宇、潘计划、袁正红。第1章常用封装简介1.1封装1.2封装级别的定义1.3封装的发展趋势简介1.4常见封装类型介绍1.4.1TO(TransistorOutline)1.4.2DIP(DualIn-linePackage)1.4.3SOP(SmallOut-LinePackage)/SOJ(SmallOut-LineJ-LeadPackage)1.4.4PLCC(PlasticLeadedChipCarrier)1.4.5QFP(QuadFlatPackage)1.4.6QFN(QuadFlatNo-lead)/LCCC(LeadlessCeramicChipCarrier)1.4.7Leadframe的进化1.4.8PGA(PinGridArrayPackage)1.4.9LGA(LandGridArray)1.4.10BGA(BallGridArrayPackage)1.4.11TBGA(TapeBallGridArrayPackage)1.4.12PBGA(PlasticBallGridArrayPackage)1.4.13CSP(ChipScalePackage)/FBGA(FinePitchBGA)1.4.14FC-PBGA(FlipChipPlasticBallGridArray)1.4.15WLCSP(Wafer-LevelChipScalePackage)1.4.16MCM(Multi-ChipModule)1.4.17SiP(SysteminPackage)1.4.18SoC(SystemonChip)1.4.19PiP(PackageinPackage)1.4.20PoP(PackageonPackage)1.4.21TSV(ThroughSiliconVia)1.5封装介绍总结第2章WireBonding介绍2.1WireBonding的特点2.2WireBonding的类型与操作过程2.2.1线弧结构2.2.2引线键合参数2.2.3线弧类型2.2.4键合步骤2.2.5WireBonding的流程图2.3WireBonding工艺适合的封装2.3.1QFN2.3.2功率器件2.3.3BGA2.3.4多芯片叠层键合2.3.5射频模块2.3.6多排线键合2.3.7芯片内侧键合2.4WireBonding设备介绍2.4.1WireBonding设备的硬件组成2.4.2金线键合设备2.4.3楔焊设备2.4.4铜线键合设备第3章QFP封装设计3.1QFP及Leadframe介绍3.2Leadframe材料介绍3.3LeadframeDesignRule3.4QFP设计方法3.5WireBonding设计过程3.6QFPMolding过程3.7QFPPunch成型3.8常用Molding材料介绍3.9QFPLeadframe生产加工流程第4章WB-PBGA封装设计4.1新建.mcm设计文件4.2导入芯片文件4.3生成BGA4.4编辑BGA4.5设置叠层Cross-Section4.6设置Nets颜色4.7定义差分对4.8标识电源网络4.9定义电源/地环4.10设置Wirebond导向线WB_GUIDE_LINE4.11设置Wirebond参数4.12添加金线(WirebondAdd)4.13编辑bondingwire4.14BGA附网络(Assignnets)4.15网络交换(Pinsswap)4.16创建过孔4.17定义设计规则4.18基板布线(Layout)4.19铺电源\地平面(Power\Groundplane)4.20调整关键信号布线(Diff)4.21添加MoldingGate和FiducialMark4.22添加电镀线(PlatingBar)4.23添加放气孔(DegasVoid)4.24创建阻焊开窗(CreatingSoldermask)4.25最终检查(Check)4.26出制造文件(Gerber)4.27制造文件检查(GerberCheck)4.28基板加工文件4.29封装加工文件第5章WB-PBGA基板工艺5.1基板分类5.2基板加工涉及的主要问题5.3基板结构5.3.1截面(Crosssection)5.3.2Top层5.3.3Bottom层5.4CAM前处理5.5SubstrateFabricateFlow(基板加工流程)5.5.1BoardCut&Pre-Bake(发料、烘烤)5.5.2InnerlayerPattern(内层线路)5.5.3AOI(自动光学检测)5.5.4Lamination(压合)5.5.5Drill(钻孔)5.5.6CuPlating(镀铜)5.5.7PlugHole(塞孔)5.5.8ViaCapPlating(孔帽镀铜)5.5.9OutLayerPattern(外层线路)5.5.10AOI(自动光学检测)5.5.11SolderMask(绿油)5.5.12Ni/AuPlating(电镀镍金)5.5.13Routing(成型)5.5.14FIT(终检)5.5.15Packaging&Shipping(打包、发货)第6章WB-PBGA封装工艺6.1WaferGrinding(晶圆研磨)6.1.1Taping(贴膜)6.1.2BackGrinding(背面研磨)6.1.3Detaping(去膜)6.2WaferSawing(晶圆切割)6.2.1WaferMounting(晶圆贴片)6.2.2WaferSawing(晶圆切割)6.2.3UVIllumination(紫外光照射)6.3SubstrateCuring(基板预烘烤)6.4DieAttach(芯片贴装)6.5EpoxyCure(银胶烘烤)6.6PlasmaClean(电浆清洗BeforeWB)6.7WireBonding(绑定)6.8PlasmaClean(电浆清洗BeforeMolding)6.9Molding(塑封)6.10PostMoldCure(塑封后烘烤)6.11Marking(印字)6.12BallMount(置球)6.13Singulation(切单)6.14Inspection(检测)6.15Testing(测试)6.16Packaging&Shipping(包装出货)第7章SiP封装设计7.1SiPDesign流程7.2SubstrateDesignRule7.3Assemblyrule7.4多Die导入及操作7.4.1创建芯片7.4.2创建原理图7.4.3设置SiP环境,封装叠层7.4.4导入原理图数据7.4.5分配芯片层别及封装结构7.4.6各芯片的具体位置放置7.5Power/GndRing7.5.1创建Ring7.5.2分割Ring7.5.3分配Net7.6WirebondCreateandedit7.6.1创建线型7.6.2添加金线与Finger7.6.3创建Guide7.7DesignaDifferentialPair7.7.1创建差分对7.7.2计算差分阻抗7.7.3设置约束7.7.4分配约束7.7.5添加BondingWire7.8PowerSplit7.8.1创建整块的平面7.8.2分割Shape7.9PlatingBar7.9.1引出电镀引线7.9.2添加电镀总线7.9.3EtchBack设置7.10八层芯片叠层7.11GerberFileExport7.11.1建立钻孔文件7.11.2输出光绘7.12封装加工文件输出7.13SiP加工流程及每步说明第8章FC-PBGA封装设计8.1FC-PBGA封装的相关基础知识8.1.1FC-PBGA封装外形8.1.2FC-PBGA封装截面图8.1.3Wafer(晶圆)8.1.4Die及ScribeLines8.1.5MPW(MultiProjectWafer)及Pilot8.1.6Bump(芯片上的焊球)8.1.7BGABall(BGA封装上的焊球)8.1.8RDL(重新布线层)8.1.9NSMD与SMD的定义8.1.10FlipChip到PCB链路的关键因素8.2封装选型8.3局部Co-Design设计8.4软件商推荐的Co-Design流程8.5实际工程设计中的Co-Design流程8.6FlipChip局部Co-Design实例8.6.1材料设置8.6.2Pad_Via定义8.6.3Die输入文件介绍8.7Die与BGA的生成处理8.7.1Die的导入与生成8.7.2BGA的生成及修改8.7.3封装网络分配8.7.4通过Excel表格进行的NetAssinment8.7.5BGA中部分Pin网络整体右移四列的实例8.7.6规则定义8.7.7基板Layout8.8光绘输出第9章封装链路无源测试9.1基板链路测试9.2测量仪器9.3测量实例9.4没有SMA头的测试第10章封装设计自开发辅助工具10.1软件免责声明10.2Excel表格PinMap转入APD10.2.1程序说明10.2.2软件操作10.2.3问题与解决10.3ExcelPinmap任意角度翻转及生成PINNET格式10.3.1程序说明10.3.2软件操作10.3.3问题与解决10.4把PINNET格式的文件转为ExcelPinMap形式10.4.1程序说明10.4.2软件操作10.4.3问题与解决
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