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中美关税冲击愈演愈烈，中国半导体产业置身于风暴中心，承受着巨大的压力。然而，危与机总是并存，江西万年芯微电子有限公司作为半导体行业的一员，正努力寻找突破，借助国产替代的东风，加速自身发展，为实现中国半导体产业的自主可控贡献力量。 关税混战，挑战与机遇并存 美国对华发起的关税战对中国半导体产业产生了多方面影响。从挑战来看，一方面，加征关税使得部分依赖进口原材料和设备的半导体企业成本上升，压缩了利润空间；另一方面，技术封锁和出口管制限制了中国企业获取先进技术和设备的渠道，延缓了技术升级的速度。但与此同时，也激发了中国半导体产业的内生动力，加速了国产替代的进程。 万年芯微电子公司敏锐地捕捉到了这一机遇，加大了在技术研发和产品创新方面的投入，致力于提升产品的性能和质量，以满足国内市场对高端半导体产品的需求。公司利用自身在封装测试等领域的技术优势，与国内芯片设计企业紧密合作，共同推动国产半导体产品的升级换代。 技术创新，万年芯的突围利刃 在大背景下，技术创新成为了万年芯等半导体公司突围的关键。第三代半导体从业者深知，只有掌握核心技术和知识产权，才能在激烈的市场竞争中立于不败之地。 万年芯不断探索新的半导体技术和工艺，如传感器系列和碳化硅（ SiC）功率器件等。其研发的传感器系列 产品针对客户行业工况精心设计，采用先进工艺满足客户实际需求。基于 MEMS（微机电系统）技术的传感器在出厂前都进行了严格的零点和宽温度范围补偿；变送器内置高性能电路，广泛应用于石油、城市煤气、水利、消防、船舶、家用家电、消费电子等领域。 而碳化硅 SiC PIM 模块系列、SiC IPM 智能功率模块系列以及超低内阻 SiC MOSFET 系列等产品，具有高耐压、高可靠性、低损耗等优越性能，能够满足新能源汽车、无人机、充电桩、储能、变频家电等不同应用场景需求，成为国产替代的新代表。 同时，万年芯也非常注重人才的引进和培养，建立了一支高素质的研发团队，并与多所高校和科研机构建立了合作关系，为技术创新提供了源源不断的动力。 江西万年芯微电子有限公司成立于 2017年，是一家专业从事集成电路、存储芯片、传感器类产品、大功率模块及功率器件等封装测试研发的高新科技企业。公司拥有发明专利、实用新型专利等 150余项，是国家级专精特新“重点小巨人”企业、“国家知识产权优势企业”，拥有国家级博士后工作站；公司与与北京邮电大学建立“先进射频封装技术联合实验室”；为海关AEO高级认证企业，将坚持以实力推动科技创新的高质量发展。在未来的发展中，万年芯将继续坚持技术创新和产业协同的发展战略，不断提升自身的核心竞争力，努力实现从“跟跑”到“并跑”再到“领跑”的转变。

一、‌基础原理验证与分析‌ 1、‌理解霍尔效应基本机制‌ 通过实验观察磁场中导体或半导体材料的电荷偏转现象，验证霍尔电压与磁场强度、电流方向的关系，直观认识洛伦兹力对载流子的作用‌。 2、‌探索磁电效应关联性‌ 研究霍尔效应与材料电学特性（如载流子类型、浓度）的关联，揭示半导体材料的导电机制（如N型/P型半导体）。 二、‌参数测量与标定‌ 1、‌关键物理量测量‌ 掌握霍尔元件灵敏度（K H ）、霍尔系数（R H ）、电导率（σ）及载流子迁移率（μ）的测量方法，为半导体材料性能评估提供数据支持。 2、‌磁场强度与分布测定‌ 利用霍尔效应测量螺线管、电磁铁等装置的磁感应强度（B），绘制磁场分布曲线，验证理论模型的准确性。 三、‌实验技术与误差控制‌ 1、‌副效应消除方法‌ 通过“对称交换测量法”（切换电流I S 与磁场I M 方向）修正热磁效应、不等位电势等干扰信号，提升测量精度‌。 2、‌系统误差校准‌ 学习使用调零旋钮和标准磁场校准仪器基线，确保实验数据的可靠性与可重复性‌。 四、‌应用能力培养‌ 1、‌仪器操作规范‌ 熟悉霍尔效应实验仪、测试仪等设备的操作流程，掌握非接触式电流与磁场检测的工程化实现方法‌。 2、‌跨学科研究基础‌ 为半导体器件设计、磁场传感技术及量子霍尔效应研究提供实验基础与数据分析能力‌。 总结 霍尔效应实验旨在通过理论与实践结合，系统掌握电磁学核心规律、材料特性分析方法及精密测量技术，为后续科学研究与工程应用奠定基础。

展会名称： 2025成都国际工业博览会（简称：成都工博会） 展会日期： 4月23 -25日 展会地址： 西部国际博览城 展 位 号： 15H-E010 科士威传动将展示智能制造较新技术及全套解决方案。 2025年4月23-25日，中国西部国际博览城将迎来一场工业领域的年度盛会——2025成都国际工业博览会。 这场以 “创链新工业，共碳新未来”为主题的展会上，来自全球的600+ 家参展企业将齐聚一堂，共同展示智能制造产业链中的关键产品及解决方案，助力制造业向数字化、网络化、智能化转型。科士威传动将受邀参展。 此次展会共展示工业自动化、数控机床与金属加工、机器人、新一代信息技术与工业互联网、节能与工业配套及新材料等智能制造产业链中的关键产品及解决方案，为上下游企业搭建高效的供需对接，促进制造业向数字化网络化智能化转型。 科士威传动将携系列产品：滚珠导轨、微型导轨、滚珠丝杆、微型丝杆、支撑座等多款产品及技术解决方案展出，产品广泛应用于数控机床、机器人、自动化设备、医疗设备、半导体、汽车制造、工业制造、航空航天、 3C、光伏、印刷、机械臂等多个领域。产品以“高精度、低噪音、行径顺”等特点，完成与BYD、富士康、京东方等多家知名企业的战略合作对象。 展会上公司的技术团队将与线下的专业观众及用户现场零距离沟通互动，分享产品应用及技术相关问题等疑点，现场一站式采购。通过深入沟通，进一步了解市场需求，为后续优化产品与服务，制定更贴合市场的发展策略，在不断地更新中更好的服务社会。 4月23-25日，科士威传动在成都西部国际博览城 15H-E010 期待与您的到来！

探针台是一种用于半导体、光电、集成电路等领域的精密测试设备，主要用于对芯片、晶圆、微电子器件等进行电气性能测试和分析。以下是探针台的主要用途和功能。 1.‌半导体行业‌ ‌晶圆测试‌：在晶圆制造过程中，探针台用于检测晶圆上各个芯片的电气性能，及时发现缺陷芯片，避免后续封装成本的浪费。 ‌失效分析与可靠性验证‌：通过高精度测试，探针台能够识别芯片设计中的微小缺陷，确保产品的质量和可靠性。 2.‌光电行业‌ ‌光电元件测试‌：探针台用于测试LED、光电探测器和激光器等光电元件的性能，支持光电通信和显示技术等领域的研究。 ‌光伏器件研究‌：对于太阳能电池等光伏器件，探针台可测量其光电转换效率、填充因子等关键性能指标。 3.‌材料科学‌ ‌新材料研发‌：探针台用于测量超导材料、纳米材料、二维材料等的电学性能，如电阻、电容、电感等，支持新材料的研发和应用。 ‌微观形态分析‌：通过表征材料表面的微观形态（如表面缺陷、晶粒大小），探针台为材料研究提供重要支持。 4.‌微电子与纳米技术‌ ‌精密电气测量‌：探针台用于复杂、高速器件的精密电气测量，支持失效分析与可靠性验证。 ‌纳米材料测试‌：在纳米尺度上，探针台能够提供高精度的测试数据，支持纳米材料和纳米结构的制备与表征。 5.‌生物医学‌ ‌生物相容性研究‌：探针台用于研究生物材料表面的生物相容性，支持生物分子、细胞和组织的高分辨率成像和分析。 6.‌科研与教育‌ ‌科研与教学‌：在研究所和高校中，探针台用于科研和教学，支持基础和应用研究。 7.‌其他应用领域‌ ‌能源行业‌：如太阳能电池的性能测试。 ‌航天航空与汽车电子‌：用于复杂器件的可靠性验证。 ‌通信技术与量子计算‌：支持高频信号测试和新型器件的研发。 ‌总结‌：探针台是一种功能强大、应用广泛的测试设备，在半导体、光电、材料科学、微电子、纳米技术、生物医学等多个领域中发挥着重要作用，确保产品质量、提高研发效率，并支持新技术的开发与应用。

碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在高性能电子器件制造中扮演着至关重要的角色。然而，碳化硅衬底的加工精度，尤其是总厚度变化（TTV）的均匀性，对最终器件的性能有着决定性影响。在碳化硅衬底的加工过程中，研磨是一个关键步骤，而研磨刀片与碳化硅衬底间的振动是影响TTV均匀性的一个重要因素。本文旨在探讨如何通过减少这种振动，以提高碳化硅衬底的TTV均匀性。 一、振动对碳化硅衬底TTV均匀性的影响 在研磨过程中，研磨刀片与碳化硅衬底之间的振动会导致以下几个问题： 不均匀的材料去除：振动会导致研磨刀片在碳化硅衬底表面的接触压力分布不均，从而导致材料去除速率的不均匀，进而影响TTV的均匀性。 表面损伤：振动还可能引起研磨刀片与碳化硅衬底之间的微小碰撞，这些碰撞会在衬底表面产生划痕或微裂纹，进一步影响TTV的均匀性和衬底的整体质量。 加工效率下降：振动会增加研磨过程中的能量损失，导致加工效率下降，同时增加研磨刀片的磨损，缩短其使用寿命。 二、减少振动的策略 为了减少研磨刀片与碳化硅衬底间的振动，提高TTV均匀性，可以采取以下策略： 1.优化研磨设备： 采用高精度、高刚性的研磨设备，以减少设备本身的振动。 确保研磨设备的各个部件（如主轴、工作台等）都经过精密加工和装配，以提高整体的稳定性和精度。 2.选择合适的研磨刀片： 根据碳化硅衬底的特性和加工要求，选择合适的研磨刀片材质和形状。 确保研磨刀片的刃口锋利、均匀，以减少研磨过程中的振动和划痕。 3.优化研磨参数： 合理设置研磨压力、转速和研磨液的流量等参数，以减少振动和提高加工效率。 通过实验和仿真分析，找到最佳的研磨参数组合，以实现最佳的TTV均匀性。 4.采用先进的振动控制技术： 利用主动或被动振动控制技术，如主动减震器、隔振垫等，来减少研磨过程中的振动。 通过实时监测和分析研磨过程中的振动数据，对振动进行主动控制，以进一步提高TTV均匀性。 5.加强工艺监控和质量控制： 在研磨过程中，使用高精度的测量仪器对碳化硅衬底的TTV进行实时监测和反馈。 根据监测结果，及时调整研磨参数或采取其他措施，以确保TTV的均匀性达到设计要求。 三、结论 减少研磨刀片与碳化硅衬底间的振动是提高碳化硅衬底TTV均匀性的关键。通过优化研磨设备、选择合适的研磨刀片、优化研磨参数、采用先进的振动控制技术以及加强工艺监控和质量控制等措施，可以有效地减少振动，提高碳化硅衬底的加工精度和产品质量。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的重要方向。 高通量晶圆测厚系统 高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。 高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。 1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。 重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测） 粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆） 低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比） 绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多 层 结 构，厚 度 可 从μm级到数百μm 级不等。 可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可达1nm。 2，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，充分提高重复性测量能力。 3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。 4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。