标签: 移相全桥

移相全桥功率电路（带参数）

应用DSP实现移相全桥控制

DSP控制移相全桥DC-DC变换器的研究与设计

基于DSP28335IR2110芯片的移相全桥驱动电路设计.

基于DSP28335IR2110芯片的移相全桥驱动电路设计 

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。

基于移相全桥软开关技术的车载充电机研究

基于Motorola+DSP控制的移相全桥软开关变换器设计研究

基于DSP和CPLD的移相全桥软开关电源数字控制器

基于移相全桥软开关技术的光伏并网逆变器MPPT研究及其实现

基于DSP和CPLD的移相全桥软开关电源数字控制器

基于DSP28335+IR2110芯片的移相全桥驱动电路设计.

移相全桥的12种工作模态详细分析

介绍了一种单片机控制的实用大功率铅酸电池充电器的设计方法.在大功率铅酸电池充电器的设计中,主电路采用功率因数校正(PFC)+移相全桥的拓扑结构,提高了电源效率,保证了足够的输出功率;输出控制引入智能单片机,实时检测铅酸电池的状态,并且充电过程按照经验的优化曲线进行,保护了电池,又延长了电池的使用寿命.一种单片机控制的大功率铅酸电池充电器设计祁小辉，郭绪阳，周凤荣（济南市半导体元件实验所，山东济南２５００１４）摘要：介绍了一种单片机控制的实用大功率铅酸电池充电器的设计方法。在大功率铅酸电池充电器的设计中，主电路采用功率因数校正（ＰＦＣ）＋移相全桥的拓扑结构，提高了电源效率，保证了足够的输出功率；输出控制引入智能单片机，实时检测铅酸电池的状态，并且充电过程按照经验的优化曲线进行，保护了电池，又孳长了电池的使用寿命。关键词：功率因数校正（ＰＦＣ）移相全桥智能单片机优化曲线随着全球环保意识的增强，使用铅酸电池的各种车控，并能按照经验的优化曲线对电池进行充电，加入了辆不断进入人们的视野，然而目前世界上用于铅酸电池单片机控制。这种充电器的硬件结构框图如图１所示。的充电器却是五花八门。这些充电器造成铅酸电池过充在充电器的输入回路中，加入了功率因数校正（ＰＦＣ）或充电不足的现象时有发生，后果是铅酸电池的使用寿电路，控制芯片Ｉｃ选用ＳＴ公司的Ｌ４９８１，该ＩＣ芯片采用命降低。在大功率铅酸电池充电器的设计中，减小功率连续功率因数修正（ＣＣＭ）的控制方式，即平均电流控制损失，按照经验的优化曲线实现充电，是保障铅酸电池模式。在实际应用中，这种控制方式在输出大于２５０Ｗ的使用寿命的理……