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MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能Directfet___________________________________________________________________________________技术文章MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能CarlBlake,国际整流器公司一个采用DirectFETMOSFET并基于四相同步整流器的VRM能够于高达2MHz/相位下工作，并提供120A电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。-------------------------------------------------------------------------------------------------------与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比，功率MOSFET技术在发展方向上正经历着一场重大的变革。如今，并在可以预见的未来，开关速度正在逐步成为负载点（POL）电源应用的决定性因素。对于工作电压为1V或以下且对时钟速度和电流需求更高的下一代微处理器而言，开关速度是满足其供电要求的关键因素。电源的性能将取决于功率MOSFET能否进行高效开关操作并提供所需的瞬态响应。自1999年至今，瞬态响应要求已经从20A/μs提高至325A/μs左右，预计将于2004年达到400A/μ……

采用DirectFETMOSFET可获得更大的功率密度SO-8DirectFETMOSFETPCBDirectFETDirectFETMOSFETDC-DCDirectFETwww.irf.com/www.irf-asia.com/www.irf.com.cnwww.irf.com/www.irf-asia.com/www.irf.com.cnIRFS8382A-AP-1206-01+861068038195+862168877600+8675583683686……