MOSFET的开关速度将决定未来POL电源的性能 Directfet ___________________________________________________________________________________ 技术文章 MOSFET 的开关速度将决定未来 POL 电源的性能 Carl Blake, 国际整流器公司 一个采用 DirectFET MOSFET 并基于四相同步整流器的 VRM 能够于高达 2MHz/相 位下工作，并提供 120A 电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。 ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比，功率 MOSFET 技术在发展方向上正经历着一场重大的变革。如今，并在可以预见的未 来，开关速度正在逐步成为负载点（POL）电源应用的决定性因素。对于工作电压 为 1V 或以下且对时钟速度和电流需求更高的下一代微处理器而言，开关速度是满 足其供电要求的关键因素。电源的性能将取决于功率 MOSFET 能否进行高效开关操 作并提供所需的瞬态响应。自 1999 年至今，瞬态响应要求已经从 20A/μs 提高至 325A/μs 左右，预计将于 2004 年达到 400A/μ……