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混频器性能比较第20卷第1期2000年2月Vol.20,No.1固体电子学研究与进展Feb.,2000RESEARCH&PROGRESSOFSSEGaAsMMICMESFET混频器性能比较孙晓玮程知群夏冠群(中国科学院上海冶金研究所,200050)19980608收稿,19981102收改稿Ξ摘要:给出了几种GaAsMESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明,在相同本振功率激励下GaAsMMIC双栅混频器具有良好变频特性,栅混频器指标次之,漏混频器结构最简单,但变频特性不如前两种。另外,单片巴仑双平衡混频器具有高的动态范围和宽频段工作特点。关键词:砷化镓单片集成电路;双栅场效应晶体管;混频器中图分类号:TN38616文献标识码:A文章编号:100023819(2000)0120110206PerformanceComparisonforGaAsMMICMixersSunXiaoweiChengZhiqunXiaGuanqun(ShanghaiInstituteofMetallurgy,AcademiaSinica,200050,CHN)Abstract:ThecomparisonsoftheconstructionsandmeasurementresultsforafewkindsofGaAsMMICmixersareinvestigated.Theexperimentshows……