混频器性能比较第20卷 第1期
2000 年 2 月
Vol . 20, N o. 1 固体电子学研究与进展 Feb. , 2000 R ESEA RCH & PRO GR ESS O F SSE
GaA s MM IC M ESFET 混频器性能比较
孙晓玮 程知群 夏冠群
( 中国科学院上海冶金研究所, 200050)
19980608 收稿, 19981102 收改稿
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摘要: 给出了几种 GaA s M ESFET 单片混频器结构与芯片测试结果比较。 实验表明, 在相同 本振功率激励下 GaA s MM IC 双栅混频器具有良好变频特性, 栅混频器指标次之, 漏混频器结构 最简单, 但变频特性不如前两种。另外, 单片巴仑双平衡混频器具有高的动态范围和宽频段工作特 点。 关键词: 砷化镓单片集成电路; 双栅场效应晶体管; 混频器 中图分类号: TN 38616 文献标识码: A 文章编号: 100023819 ( 2000) 0120110206
Performance Com par ison for GaA s MM IC M ixers
Sun X iaow ei Cheng Zh iqun X ia Guanqun
(S hang ha i Institu te of M eta llu rgy , A cad em ia S in ica , 200050, CH N )
Abstract: T he com p a rison s of the con st ruct ion s and m ea su rem en t resu lt s fo r a few k ind s of GaA s MM IC m ixers a re invest iga ted. T he exp eri m en t show s ……
