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低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展第33卷第4期2003年8月微电子学MicroelectronicsVol133,№4Aug12003文章编号:100423365(2003)0420317207低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展曹克,杨华中,汪蕙(清华大学电子工程系,北京100084)摘要:由于无线移动终端重量、体积以及成本等各方面的限制,电路必须满足低电压、低功耗的要求。在CMOS射频低噪声放大器中,如何在满足性能指标要求的同时降低电源电压和功耗,已成为当前研究的热点。文章综述了几种降低CMOS低噪声放大器电源电压和功耗的方法,讨论了一些相关的设计问题。最后,展望了低电压、低功耗CMOS低噪声放大器的未来发展趋势。关键词:低电压;低功耗;CMOS射频电路;低噪声放大器中图分类号:TN722.3文献标识码:AAnOverviewofLow-VoltageandLow-PowerCMOSRFLow-NoiseAmplifiersCAOKe,YANGHua2zhong,WANGHui(Dept1ElectronicsEngineering,TsinghuaUniversity,Beijing,100084,P1R1China)Abstract:IC’susedinportablewirelessterminalsystemsmustbelow2voltagecompatibleandlow2powe……