低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的研究进展第 33 卷第 4 期
2003 年 8 月
微 电 子 学
M icroelectron ics
V o l133, № 4 A ug 12003
文章编号: 100423365 ( 2003) 0420317207
低电压低功耗 CM O S 射频低噪声放大器的研究进展
曹 克, 杨华中, 汪 蕙
( 清华大学 电子工程系, 北京 100084)
摘 要: 由于无线移动终端重量、 体积以及成本等各方面的限制, 电路必须满足低电压、 低功耗的 要求。 在 CM O S 射频低噪声放大器中, 如何在满足性能指标要求的同时降低电源电压和功耗, 已成 为当前研究的热点。 文章综述了几种降低 CM O S 低噪声放大器电源电压和功耗的方法, 讨论了一 些相关的设计问题。 最后, 展望了低电压、 低功耗 CM O S 低噪声放大器的未来发展趋势。 关键词: 低电压; 低功耗; CM O S 射频电路; 低噪声放大器 中图分类号: TN 722. 3 文献标识码: A
An O verv iew of L ow- Voltage and L ow- Power CM O S RF L ow- No ise Am pl if iers
CAO Ke, YAN G H ua 2zhong, W AN G H u i
(D ep t1 E lectron ics E ng ineering , T sing hua U n iversity , B eij ing , 100084, P 1 R 1 C h ina )
Abstract: IC’s u sed in po rtab le w ireless term ina l system s m u st be low 2vo ltage com p a tib le and low 2pow e……
