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晶体管烧毁机理的研究：Iｆ一，，真空与低温ｖａｃｕｕｍ＆Ｃｒｙｏｇｅｎｉｃｓ一第１３卷第８期１９９４￣９月缎邵一．：象刊３醛ｌＳＡＭ．，Ｅ微波ＧａＡｓ功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ｉ．直流烧毁查至垂苎圭塑．（兰州物理研究竹）ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｂｕｒｎｏｕｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｍｉｃｒｏｗａｖｅＧａＡｓｐｏｗｅｒＦＥＴｓ：ＰａｒｔＩ．Ｄ．Ｃ．ｂｕｒｎｏｕｔＹｕａｎＺｅｌｉａｎｇＦａｎＣｈｕｉｚｈｅｎ（Ｌａｎｚｈｏｕｉｎｓｋ；￣ｕｔｅｏＦＰｈｙｓｉｃｓ）ＡｂｓＬｒａｃｔＭｉｃ１＂ＯｗａｙｅＧａＡ。Ｐ０ＷｅｒＦＥＴＣｈｉＰｆａｂｒｃａｔｅｄｂｙｕｓＷｈｉｃｈａＰｐｅａｒＤ・Ｃ・ｂｕｒｎｏｕｔｄｕｒｉｎｇｔｈｅｔｅｓｔｉｎｇｒｅｉａｖｅｓｔｊｇａｔｅｄｂＹｍｅａｎｓｏｆ５ＣＢｎｎ―ｊｇｅｌｅｃｔｆｏｎｍｊｃＴＯＳＣ０ＰＹ（ＳＥＭ）ａｎｄＡ……