tag 标签: 芯片制造

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    2024-1-16 15:23
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    本期话题 芯片被称为信息产业的粮食和“大脑”,是信息社会的基石,在信息化、智能化不断加快的今天,芯片已经成为战略性、基础性产业。可以说,芯片作为支撑中国经济持续高质量发展、特别是支撑战略性新兴产业崛起,其地位更是无可替代。然而,芯片制造是一项极为复杂和精细的工艺,很多重要环节都需要精密的检测手段发现缺陷。本期“专家访谈”栏目邀请半导体显微技术大咖、无锡广电计量副总经理陈振博士,畅谈电子显微技术在芯片、半导体检测领域的应用,破解芯片制造难题。 陈 振 无锡广电计量副总经理 复旦大学博士,上海“科技创新行动计划”专业技术服务平台项目负责人,江苏省第三代半导体器件性能测试与材料分析工程研究中心副主任,南京大学和西安电子科技大学硕士研究生兼职导师,所主持的先进制程芯片显微分析项目获得2023年度上海市“十大检验检测创新案例”。 精通多种显微分析技术,在显微分析技术领域拥有近10年的研究积累,主要从事半导体材料及工艺的显微分析、芯片失效分析等相关技术的研究与工程应用工作,具有丰富的为晶圆厂、封装厂、芯片设计公司等提供半导体分析检测服务的经验。参与多项国家级研究课题,发表SCI论文及英文论著十多篇。 芯片先进制程不断迭代 良率危机凸显 随着集成电路制造技术的不断发展,芯片结构和功能日益复杂,芯片的制造难度也日益增加,新材料、新工艺的导入为芯片设计、生产和制造带来了全新的挑战,特别是工艺制程不断迭代,芯片关键结构的尺寸逐渐减小到常规检测手段无法观测的纳米级尺寸。芯片晶圆制造工艺中的微纳结构的精准分析,是提升芯片制造良率和产品性能的关键,也成为芯片晶圆制造行业普遍关注的问题。 芯片良率就是晶圆上合格芯片数量与芯片总数的比值,这个数值越大,说明有用芯片数量越多,浪费越少,成本也就越低,利润越高。芯片制造的每一个阶段,从晶圆制造、中测、封装到成测,每一步都会对总良率产生影响。 芯片良率如此重要,全行业都非常关注,晶圆厂、IC设计企业、半导体设备和材料厂商,以及行业科研机构都在进行各种研究探索,为提升芯片良率添砖加瓦。在此背景下,分辨率可达到原子尺度的电子显微技术,如透射电子显微镜(TEM)等,就成为了芯片制造工艺监控、失效分析、良率提升、工艺研发和失效分析必不可少的工具。 擦亮工业“眼睛” 突破“卡脖子”技术 人眼的分辨能力大概只能到0.1-0.2mm,光学显微镜的分辨能力大概只能到0.2um左右,如果想观察更微小的结构,就需要借助到基于电子显微技术的电子显微镜去实现。电子显微镜是一种借助电子束作为光源,利用 电磁透镜 聚焦成像的高端科学仪器。它能让人看到纳米级的微观世界,近些年发展的高分辨透射电子显微镜甚至可以让人看到皮米级的原子像。电子显微镜的出现,把人们由宏观世界引入到了微观世界,极大的促进了当代科技的发展。 在工业发展中,电子显微镜是工业的“眼睛”,尤其是高科技相关领域的工业应用中,电子显微镜可以说具有极其重要的地位。电子显微镜常见的主要有三种,分别是透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)和聚焦离子束电子显微镜(FIB)。透射电子显微镜(TEM)曾被《科技日报》评为制约我国工业发展的35项“卡脖子”技术之一,可见其在工业应用中具有举足轻重的地位。 在芯片领域,为了不断提升芯片性能,制造商们需要将芯片内部的晶体管阵列设计得如同城市网络般复杂纷繁,达到在芯片中容纳更多晶体管的目的。因此,晶体管尺寸被设计得越来越小,它们之间的距离也靠得越来越近。如此精密的设计与排布,也令到行业遇到一个难题:如何才能在不破坏芯片的前提下,去观察芯片的内部结构?电子显微镜的应用,让工程师们能够看清楚芯片的内部结构,确保完工的芯片结构与最初的设计相吻合。 洞悉芯片微观构造 良率提升的关键手段 基于电子显微技术的电子显微镜,如透射电子显微镜、聚焦离子束电子显微镜等,在半导体制造领域具有非常广泛的用途,如晶圆制造工艺分析、芯片失效分析、芯片逆向分析等,成为了精准解析先进制程晶圆制造工艺中微纳结构的关键设备。 在半导体制造领域如芯片的晶圆制造领域,电子显微镜通常会作为新工艺研发、量产导入验证、量产工艺监控、量产良率提升和失效分析的分析手段,电子显微镜的使用,贯穿于大部分关键的芯片晶圆制造工艺段,如刻蚀、薄膜生长等工艺段,可以说,电子显微镜是工程师的眼睛,工艺监控和调整,时刻离不开电子显微镜的辅助。 除了应用在半导体制造领域外,电子显微镜还在半导体设备研发、新材料研发、新型微纳器件研发制造等领域具有非常广泛的应用。 在半导体设备研发领域,尤其是刻蚀设备和薄膜生长设备的研发,电子显微镜也充当了工程师的眼睛,是工程师验证设备性能的关键分析手段。 在新材料研发领域,如铁电材料、超导材料、新型电极材料、特种合金材料的研发等,电子显微镜也是关键的分析手段,可以借助电子显微镜的电子衍射、电子能量损失谱、电子能谱仪、高分辨成像等从极微观的角度来分析材料的基本特性,包括原子组成、原子构效关系、晶体结构、微区化学成分等,从而指导新型材料的研发。 在新型微纳器件研发制造领域,如半导体器件MEMS、激光器芯片、量子芯片等,电子显微镜也是辅助人们进行微纳结构设计、解剖、性能优化和量产良率提升的关键手段。 聚焦显微分析技术领域 找准“中国芯”对策 4nm制程晶圆级TEM分析图 国家正大力攻关集成电路领域,着力解决高端芯片 “卡脖子”问题,加快自主创新步伐。 广电计量 拥有透射电子显微镜(TEM)、双束聚焦离子束(DB FIB)、扫描电子显微镜(SEM)等电子显微分析常用到的高端设备,在半导体显微分析相关领域具有丰富的经验,能够更好地服务我国芯片设计及制造企业,保障自主知识产权安全。 在晶圆制造工艺分析方面,可以提供4nm及以上先进制程晶圆制造工艺分析、存储芯片晶圆制造工艺分析等; 在芯片失效分析方面,可以提供芯片失效点位置微观形貌及微区成分分析,包含漏电、短路、烧毁、异物等异常失效点位的平面制样分析、截面制样分析以及平面转截面分析。包含形貌观察、尺寸量测、微区成分分析,可精准到1.0 nm以内; 在芯片逆向分析方面,可以提供各种半导体器件关键微纳结构的解析能力,包括关键工艺结构解剖、尺寸量测、微区结构成分分析等; 在封装工艺分析方面,可以提供封装工艺异常分析,如TSV孔、Via孔、RDL布线层、凸点等异常分析;在半导体工艺分析方面,可以提供刻蚀设备工艺、成膜设备工艺的异常分析; 在材料分析方面,可以提供高分辨原子级成像分析、微区材料成分定性分析、晶格缺陷分析、析出相分析等。
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    2014-5-15 08:57
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    英特尔周一正式发布Ivy Bridge处理器。Ivy Bridge是英特尔首款22纳米工艺处理器,并引入“Tri-gate”3D晶体管技术。虽然很多人见过处理器,但是对于芯片的制作过程可能并不了解。 简单地说,处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核 心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。本段视频展示了从沙子到芯片的全过程。   编者按: 下面是视频。由于网络原因,如果无法显示,请到优酷 http://v.youku.com/v_show/id_XMjQyMDAyMTUy.html  观看。    
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    本书是一部介绍半导体集成电路和器件技术的专业书籍。其英文版在半导体领域享有很高的声誉,被列为业界最畅销的书籍之一,第五版的出版就是最好的证明。本书的范围包括半导体工艺的每个阶段,从原材料制备到封装、测试以及传统和现代工艺。每章包含有习题和复习总结,并辅以丰富的术语表。本书主要特点是简洁明了,避开了复杂的数学理论,非常便于读者理解。本书与时俱进地加入了半导体业界的最新成果,可使读者了解工艺技术发展的最新趋势。
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    第六版本的芯片制造,半导体,工艺制程,教程,封装,光刻。
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    第4章-芯片制造概述芯片的制造,分为4个阶段:原料制作、单晶生长和晶圆的制集成电路晶圆的生产、集成电路的封装。前两个阶段已经在前面第3章涉及。本章讲述的是第3个
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    芯片制造概述本书介绍了半导体工艺的制作制程、诞生、发展、半导体材料和化学品的性质等方面阐述。
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    芯片制造工艺流程简介芯片制造全工艺流程详情我们每天运行程序的芯片是这样造出来的,放大后的芯片机构,无与伦比的美,在如此微观世界,人类科技之巅。芯片一般是指集成电路的载体,也是..
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    《芯片制造:半导体工艺制程实用教程(第六版)》,电子工业出版社出版,外文书名:MicrochipFabrication:aPracticalGuidetoSemiconductorProcessing,SixthEdition,作者:赞特(PeterVanZant)(作者),韩郑生(译者)。《芯片制造:半导体工艺制程实用教程(第六版)》本书是一本介绍半导体集成电路和器件制造技术的专业书籍,在半导体领域享有很高的声誉。本书的讨论范围包括半导体工艺的每个阶段:从原材料的制备到封装、测试和成品运输,以及传统的和现代的工艺。全书提供了详细的插图和实例,每章包含回顾总结和习题,并辅以丰富的术语表。第六版修订了微芯片制造领域的新进展,讨论了用于图形化、掺杂和薄膜步骤的先进工艺和尖端技术,使隐含在复杂的现代半导体制造材料与工艺中的物理、化学和电子的基础信息更易理解。本书的主要特点是避开了复杂的数学问题介绍工艺技术内容,并加入了半导体业界的新成果,可以使读者了解工艺技术发展的趋势。《芯片制造:半导体工艺制程实用教程(第六版)》图书目录第1章半导体产业1.1引言1.2一个产业的诞生1.3固态时代1.4集成电路1.5工艺和产品趋势1.6半导体产业的构成1.7生产阶段1.8微芯片制造过程发展的60年1.9纳米时代习题参考文献第2章半导体材料和化学品的特性2.1引言2.2原子结构2.3元素周期表2.4电传导2.5绝缘体和电容器2.6本征半导体2.7掺杂半导体2.8电子和空穴传导2.9半导体生产材料2.10半导体化合物2.11锗化硅2.12衬底工程2.13铁电材料2.14金刚石半导体2.15工艺化学品2.16物质的状态2.17物质的性质2.18压力和真空2.19酸、碱和溶剂2.20化学纯化和清洗习题参考文献第3章晶体生长与硅晶圆制备3.1引言3.2半导体硅制备3.3晶体材料3.4晶体定向3.5晶体生长3.6晶体和晶圆质量3.7晶圆准备3.8切片3.9晶圆刻号3.10磨片3.11化学机械抛光3.12背面处理3.13双面抛光3.14边缘倒角和抛光3.15晶圆评估3.16氧化3.17包装3.18工程化晶圆(衬底)习题参考文献第4章晶圆制造和封装概述4.1引言4.2晶圆生产的目标4.3晶圆术语4.4芯片术语4.5晶圆生产的基础工艺4.6薄膜工艺4.7晶圆制造实例4.8晶圆中测4.9集成电路的封装4.10小结习题参考文献第5章污染控制5.1引言5.2污染源5.3净化间的建设5.4净化间的物质与供给5.5净化间的维护5.6晶片表面清洗习题参考文献第6章生产能力和工艺良品率6.1引言6.2良品率测量点6.3累积晶圆生产良品率6.4晶圆生产良品率的制约因素6.5封装和最终测试良品率6.6整体工艺良品率习题参考文献第7章氧化7.1引言7.2二氧化硅层的用途7.3热氧化机制7.4氧化工艺7.5氧化后评估习题参考文献第8章十步图形化工艺流程——从表面制备到曝光8.1引言8.2光刻工艺概述8.3光刻十步法工艺过程8.4基本的光刻胶化学8.5光刻胶性能的要素8.6光刻胶的物理属性8.7光刻工艺:从表面准备到曝光8.8表面准备8.9涂光刻胶(旋转式)8.10软烘焙8.11对准和曝光8.12先进的光刻习题参考文献第9章十步图形化工艺流程——从显影到最终检验9.1引言9.2硬烘焙9.3刻蚀9.4湿法刻蚀9.5干法刻蚀9.6干法刻蚀中光刻胶的影响9.7光刻胶的去除9.8去胶的新挑战9.9最终目检9.10掩模版的制作9.11小结习题参考文献第10章下一代光刻技术10.1引言10.2下一代光刻工艺的挑战10.3其他曝光问题10.4其他解决方案及其挑战10.5晶圆表面问题10.6防反射涂层10.7高级光刻胶工艺10.8改进刻蚀工艺10.9自对准结构10.10刻蚀轮廓控制习题参考文献第11章掺杂11.1引言11.2扩散的概念11.3扩散形成的掺杂区和结11.4扩散工艺的步骤11.5淀积11.6推进氧化11.7离子注入简介11.8离子注入的概念11.9离子注入系统11.10离子注入区域的杂质浓度11.11离子注入层的评估11.12离子注入的应用11.13掺杂前景展望习题参考文献第12章薄膜淀积12.1引言12.2化学气相淀积基础12.3CVD的工艺步骤12.4CVD系统分类12.5常压CVD系统12.6低压化学气相淀积(LPCVD)12.7原子层淀积12.8气相外延12.9分子束外延12.10金属有机物CVD12.11淀积膜12.12淀积的半导体膜12.13外延硅12.14多晶硅和非晶硅淀积12.15SOS和SOI12.16在硅上生长砷化镓12.17绝缘体和绝缘介质12.18导体习题参考文献第13章金属化13.1引言13.2淀积方法13.3单层金属13.4多层金属设计13.5导体材料13.6金属塞13.7溅射淀积13.8电化学镀膜13.9化学机械工艺13.10CVD金属淀积13.11金属薄膜的用途13.12真空系统习题参考文献第14章工艺和器件的评估14.1引言14.2晶圆的电特性测量14.3工艺和器件评估14.4物理测试方法14.5层厚的测量14.6栅氧化层完整性电学测量14.7结深14.8污染物和缺陷检测14.9总体表面特征14.10污染认定14.11器件电学测量习题参考文献第15章晶圆制造中的商业因素15.1引言15.2晶圆制造的成本15.3自动化15.4工厂层次的自动化15.5设备标准15.6统计制程控制15.7库存控制15.8质量控制和ISO9000认证15.9生产线组织架构习题参考文献第16章形成器件和集成电路的介绍16.1引言16.2半导体器件的形成16.3可替换MOSFET按比例缩小的挑战16.4集成电路的形成16.5BiMOS16.6超导体习题参考文献第17章集成电路的介绍17.1引言17.2电路基础17.3集成电路的类型17.4下一代产品习题参考文献第18章封装18.1引言18.2芯片的特性18.3封装功能和设计18.4引线键合工艺18.5凸点或焊球工艺示例18.6封装设计18.7封装类型和技术小结
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