尤其是随着5G时代的到来,半导体芯片功率不断增加,轻型化和高集成度的发展趋势日益明显,散热问题的重要性也越来越突出,这无疑对封装散热材料提出了更为严苛的要求。如何做好芯片热管理,将会是很长一段时间内行业必须要面对的问题。 在功率型电子元器件的封装结构中,封装基板作为承上启下、保持内外电路导通的关键环节,兼有散热和机械支撑等功能。受到了越来越多的制造商的重视。 怎么样才算是好的基板材料? 高热导率,低介电常数,有较好的耐热、耐压性能;有足够的强度、刚度,对芯片和电子元器件起到支撑和保护的作用;热膨胀系数接近芯片材料(如Si,GaAs),避免芯片的热应力损坏;成本尽可能低,满足大规模工业生产应用的需求;具有良好的加工、组装和安装性能。 陶瓷作为典型的无机非金属材料,似乎与金属站在了完全相反的位置上,但两者各自的优势又实在太突出,于是人们开始想法将陶瓷和金属结合起来,各显所长。陶瓷金属化技术就这么诞生了。多年来,陶瓷金属化一直是一个热门的课题,国内外学者都对其展开了深入的研究。 陶瓷材料的优势 1.低通讯损耗-陶瓷材料本身的介电常数使得信号损耗更小。 2.高热导率-芯片上的热量直接传导到陶瓷片上面,无需绝缘层,可以做到相对更好的散热。 3.更匹配的热膨胀系数-陶瓷和芯片的热膨胀系数接近,不会在温差剧变时产生太大变形导致线路脱焊、内应力等问题。 4.高结合力-斯利通陶瓷电路板产品的金属层与陶瓷基板的结合强度高,最大可以达到45MPa(大于1mm厚陶瓷片自身的强度)。 5.高运行温度-陶瓷可以承受波动较大的高低温循环,甚至可以在500-600度的高温下正常运作。 6.高电绝缘性-陶瓷材料本身就是绝缘材料,可以承受很高的击穿电压。 陶瓷用于电路中,必须首先对其金属化,即在陶瓷表面敷一层与陶瓷粘结牢固而又不易被熔化的金属薄膜,使其导电,随后用焊接工艺与金属引线或其他金属导电层相连接而成为一体。 可以说,陶瓷金属化效果的优劣,将直接影响最终的封装效果。 陶瓷金属化常用的制备方法主要有Mo-Mn法、活化Mo-Mn法、活性金属钎焊法、直接覆铜法(DBC)、磁控溅射法。 1、Mo-Mn法 Mo-Mn法是以难熔金属粉Mo为主,再加入少量低熔点Mn的金属化配方,加入粘结剂涂覆到Al2O3陶瓷表面,然后烧结形成金属化层。传统Mo-Mn法的缺点在于烧结温度高,能源消耗大,且配方中无活化剂的参与导致封接强度低。 2、活化Mo-Mn法 活化Mo-Mn法是在传统Mo-Mn法基础上进行的改进,改进的方向主要有:添加活化剂和用钼、锰的氧化物或盐类代替金属粉。这两类改进方法都是为了降低金属化温度。 活化Mo-Mn法的缺点是工艺复杂、成本高,但其结合牢固,能极大改善润湿性,所以仍是陶瓷-金属封接工艺中发明最早、应用范围比较广的工艺。 3、活性金属钎焊法 活性金属钎焊法也是一种应用较广泛的陶瓷-金属封接工艺,它比Mo-Mn法的发展晚10年,特点是工序少,陶瓷-金属的封接只需要一次升温过程就能完成。钎焊合金含有活性元素,如Ti、Zr、Hf和Ta,添加的活性元素与Al2O3反应,在界面处形成具有金属特性的反应层,这种方法可以很容易地适应大规模生产,与钼-锰工艺相比,这种方法相对简单经济。 活性金属钎焊法缺点在于活性钎料单一,导致其应用受到一定限制,且不适于连续生产,仅适合大件、单件生产或小批量生产。 4、直接敷铜法(DBC) DBC是在陶瓷表面(主要是Al2O3和AlN)键合铜箔的一种金属化方法,它是随着板上芯片(COB)封装技术的兴起而发展出来的一种新型工艺。其基本原理是在Cu与陶瓷之间引进氧元素,然后在1065~1083℃时形成Cu/O共晶液相,进而与陶瓷基体及铜箔发生反应生成CuAlO2或Cu(AlO2)2,并在中间相的作用下实现铜箔与基体的键合。 5、磁控溅射法 磁控溅射法是物理气相沉积的一种,是通过磁控技术在衬底上沉积多层膜,具有优于其他沉积技术的优点,如更好的附着力,更少的污染以及改善沉积样品的结晶度,获得高质量的薄膜。此法所得金属化层很薄,能保证零件尺寸的精度。DPC工艺支持PTH(电镀通孔)/Vias(导通孔)。可进行高密度组装-线/间距(L/S)分辨率可以达到20μm,从而实现设备的轻量化,小型化,集成化。 陶瓷金属化作为一种新型材料具有许多独特的优点,在不远的将来,陶瓷金属化材料必将大放光彩。斯利通作为一家专注于陶瓷金属化多年的高新技术企业,旗下生产的陶瓷基板一直广受制造商的喜爱。