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2013-3-19 12:38
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NT5CB256M8GN-CG是南亚(NANYA)公司推出的一款2GB DDR3 同步动态RAM,该芯片除按照DDR3 DRAM特性进行设计外,所有的控制及地址输入都能与外部提供的时钟保持同步。在一般应用程序数据传输中,其DDR传输速率可高达1600Mb/sec/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。(更多详情) NT5CB256M8GN-CG的采购信息如下: NT5CB256M8GN-CG的主要功能特性包括: 1、VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply) 2、VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V) 3、8 Internal memory banks (BA0- BA2) 4、Differential clock input ( , ) 5、Programmable Latency ( ):5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 6、 WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9 7、POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock 8、Programmable Sequential / Interleave Burst Type Through ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%) 9、Programmable Burst Length:4, 8 10、8n-bit prefetch architecture 11、Output Driver Impedance Control 12、Differential bidirectional data strobe 13、Internal(self) calibration:Internal self calibration 14、OCD Calibration 15、Dynamic ODT (Rtt_Nom Rtt_WR) 16、Auto Self-Refresh 17、Self-Refresh Temperature 18、RoHS compliance and Halogen free 19、Packages:78-Balls BGA for x4, x8 components NT5CB256M8GN-CG的功能框图如下: NT5CB256M8GN-CG的管脚图如下: