原创 NT5CB256M8GN-CG

       NT5CB256M8GN-CG是南亚（NANYA）公司推出的一款2GB DDR3 同步动态RAM,该芯片除按照DDR3 DRAM特性进行设计外，所有的控制及地址输入都能与外部提供的时钟保持同步。在一般应用程序数据传输中，其DDR传输速率可高达1600Mb/sec/pin。该芯片主要适用于需大量存储密度和高带宽的主内存的应用程序。（更多详情）

NT5CB256M8GN-CG的采购信息如下：

NT5CB256M8GN-CG的主要功能特性包括：

1、VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V (JEDEC Standard Power Supply)

2、VDD = VDDQ = 1.35V -0.0675V/+0.1V (Backward Compatible to VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V)

3、8 Internal memory banks (BA0- BA2)

4、Differential clock input ( ， )

5、Programmable  Latency ( )：5, 6, 7, 8, 9, 10, 11

6、 WRITE Latency (CWL): 5,6,7,8,9

7、POSTED CAS ADDITIVE Programmable Additive Latency (AL): 0, CL-1, CL-2 clock

8、Programmable Sequential / Interleave Burst Type Through ZQ pin (RZQ:240 ohm±1%)

9、Programmable Burst Length：4, 8

10、8n-bit prefetch architecture

11、Output Driver Impedance Control

12、Differential bidirectional data strobe

13、Internal(self) calibration:Internal self calibration   

14、OCD Calibration

15、Dynamic ODT (Rtt_Nom & Rtt_WR)  

16、Auto Self-Refresh

17、Self-Refresh Temperature

18、RoHS compliance and Halogen free

19、Packages：78-Balls BGA for x4, x8 components

NT5CB256M8GN-CG的功能框图如下：

NT5CB256M8GN-CG的管脚图如下：