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【哔哥哔特导读】国内“MCU+Flash”技术优势双第一，兆易创新重点展品一探究竟！ 作为中国高性能通用微控制器领域的领跑者，兆易创新GD32 MCU已提供超过51个系列、600+款型号选择，累计出货量超15.7亿颗；在SPI NOR Flash领域，兆易创新市场占有率位居全球第二、中国第一，累计出货量超237亿颗；同时深耕传感器、信号链、算法及解决方案，做到指纹芯片行业领先。 7月8日，兆易创新携80余款创新方案隆重亮相2024年慕尼黑上海电子展，展台主题涵盖数字能源、工业-边缘计算、汽车、物联网及消费等领域，凭借突破性的技术革新、多元化的产品阵容、深入的市场钻研，全面展现了其追求卓越和开放创新的理念，为客户带来前所未有的便捷和智能体验。 1.数字能源领域 双碳目标下的可再生能源新浪潮席卷光伏、储能、充电桩、工业及通讯电源等领域，兆易创新数字能源解决方案致力实现复杂的能源管理和效率提升，并保障能源使用的可靠性。 图：工业/数字能源展台 该展台重点展示了基于GD32H7超高性能MCU AI直流拉弧检测方案、基于GD32E51x系列的500W PFC+LLC数字电源解决方案及基于GD32F527高性能 MCU和GD32VW553 RISC-V Wi-Fi 6 MCU的无线能源监控通讯方案等。 基于GD32H7超高性能MCU AI直流拉弧检测方案： 方案采用GD32H7 MCU，支持500K采样率下的12路ADC拉弧实时AI检测，基于深度卷积神经网络，适配1024/2048/4096采样点，模型占1.7KB Flash，推理≤0.6ms，即时响应直流拉弧，兼容0~40A电流，准确率100%。配数据采集与一键训练工具，简化模型开发与评估。外接16位ADC，8路采集，适应多场景；集成Wi-Fi模块及内存卡，自动上传数据至云端；备有串口/CAN接口，便于扩展。支持云端数据处理、模型训练与OTA升级，确保模型持续优化，适应复杂环境。 图：采用AI算法的直流拉弧检测方案 基于GD32E51x系列的500W PFC+LLC数字电源解决方案： 该方案采用有桥PFC+半桥LLC拓扑，PFC部分使用GD32E230系列MCU，输入220V交流电，输出415V直流电压；LLC部分使用GD32E51x系列MCU，输入415V直流电压，输出24V直流电压，并采用SHRTIMER控制LLC MOS管的频率变化获取更高的控制精度。这款数字电源方案满载PF值大于0.99，输出纹波小于±1.5%，包含辅助电源的整机最大效率可达90.85%，能够广泛用于电机控制、设备供电、LED灯组供电等场景中。 图：GD32E51x 500w PFC+LLC 数字电源解决方案 2.工业领域-边缘计算 在工业领域，边缘计算正成为提升效率和优化运营的关键技术，兆易创新Arm® Cortex®-M7内核的GD32H7 600MHz超高性能MCU具备卓越的处理能效、丰富的链接特性以及多重安全机制，为工业4.0提供强有力的支撑，助力智能制造和自动化的发展。 图：工业展台 该展台重点展示了基于GD32H7系列超高性能MCU的EtherCAT伺服从站应用方案、基于GD32H7系列超高性能MCU的Profinet工业以太网解决方案、LVGL/emWin/ThreadX RTOS GUI图形显示方案、基于GD32H7系列超高性能MCU的AI 语音识别方案等。 基于GD32H7系列超高性能MCU的EtherCAT伺服从站应用方案： 方案采用基于Arm® Cortex®-M7内核的GD32H7系列MCU，主频高达600MHz，配备了最高4MB Flash及1MB SRAM存储资源。伺服驱动采用标准CIA402协议，通过TwinCAT进行实时控制；支持轮廓位置模式(PP)，30种原点回归模式(HM)和循环同步位置模式(CSP)，在轮廓位置模式(PP)下采用梯形曲线规划。速度观测器实时进行速度观测，提高了速度的平滑性和响应速度。体现了GD32H7强劲性能、高实时性、高集成度，在高精度运动控制系统中具备优势。 图：GD32H7-EtherCAT 伺服从站应用方案 基于GD32H7系列超高性能MCU的Profinet工业以太网解决方案： 方案采用基于Arm® Cortex®-M7内核的GD32H7系列MCU，支持更快的执行效率，内置4MB Flash及1MB SRAM，单芯片可运行多协议。使用软协议栈方式，只需简单的外围器件即可实现协议通信。相比专用芯片，成本更优。支持Profinet，Profibus，CANopen，Modbus，EtherNet/IP， CC-Link IE Field Basic，DeviceNet等10种从站协议，支持协议转换。提供Keil/IAR/GCC库，支持用户在GD32H7上进行二次开发；支持用户进行Profinet等一致性认证。 图：GD32H7 Profinet 工业以太网解决方案 3.汽车领域 随着汽车电子电气化程度不断加速，兆易创新提供的车规级GD32MCU具有主流型配置、优异特性和配套的产品级软件，以及车规级GD25/55 SPI NOR Flash可为车身控制、车用照明、智能座舱、智能驾驶、中央网关及电机电源等多种车用场景提供主流开发之选。 图：汽车电子展台 该展台重点展示了搭配GD25/55 SPI NOR Flash的汽车电子解决方案及基于GD32MCU的多款汽车电子解决方案等。 搭配GD25/55 SPI NOR Flash的汽车电子解决方案： GD25/55高速、大容量车规级SPI NOR Flash支持DTR和ECC功能，具有高读取速率和高可靠性等特点，已成功应用于芯驰、黑芝麻、联阳ITE等国内及海外主流平台，为智能座舱、智能驾驶、中央网关、车身控制等系统提供可靠的代码及数据存储。 图：搭载GD25LF256F的智能驾驶方案 基于GD32MCU的多款汽车电子解决方案： 采用GD32A503车规级MCU和GD25 SPI NOR Flash的全国产化数字仪表方案，支持H.264解码、双图层缓存、图像缩放和MIPI DSI/LVDS输出；采用GD32E230 MCU设计的多款充电桩方案，提供高性价比；同时还展出了基于将要推出的GD32A7系列的自适应矩阵大灯、车身控制以及BMS等参考设计。 Ÿ-搭载GD32A503+GD25B512ME的汽车仪表盘： 该方案搭载GD25B512ME车规级SPI NOR Flash, 配合GD32A503车规级MCU。支持H.264解码，双图层缓存， 图像缩放和MIPI DSI/LVDS输出。 图：搭载GD32A503+GD25B512ME的汽车仪表盘 4.物联网及消费领域 在诸如可穿戴产品、智能手表、TWS耳机、移动手机、家用电器等消费电子应用中，超长待机时间、小尺寸、即时启动等对芯片提出了更高的需求，从Flash、利基型DRAM、MCU、指纹传感器到电源芯片，兆易创新具有丰富完善的产品系列和解决方案，提供具有超低功耗、无线连接等特性的产品，为客户带来一站式采购体验，解锁更多创新应用。 图：IOT及消费电子展台 该展台重点展示了基于GD32L235低功耗MCU的智能键盘方案、基于RISC-V内核的GD32VW553 无线双模MCU Matter无线连接方案、基于GD32E235 的吸尘器电机控制方案等。 基于GD32L235低功耗MCU的智能键盘方案： 支持常用功能、截屏、语音助手唤醒、背光控制等多种智能键盘功能，支持唤醒手机功能和通过外扩键盘给所连接手机充电功能，充分利用GD32L235的多种低功耗模式，实现键盘更低的睡眠功耗。 图：GD32L235 智能键盘方案 基于RISC-V内核的GD32VW553无线双模MCU Matter无线连接方案： 采用RISC-V内核产品GD32VW553双模无线MCU，支持高达4MB Flash，320KB SRAM；支持Wi-Fi 6, BLE 5.2, 符合Matter Over Wi-Fi应用标准，支持各种Matter设备无缝互联，增强智能家居系统的兼容性和互操作性。 兆易创新产品以“高性能、低功耗”著称，技术实力备受行业认可。同时公司积极推进产业整合，拓展战略布局，并与全球多家领先晶圆厂、封装测试厂达成战略合作伙伴关系，通过加强产业上下游合作、优化供应链管理，共同推进半导体领域的技术创新。 未来，兆易创新将始终坚守追求卓越和开放创新的精神，在细分领域深入挖掘和精心培育，为能源、工业、汽车、物联网、消费电子、移动通讯和网络通信等多个行业的客户提供全面一站式解决方案，助力客户实现价值最大化。 本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载

根据 SEMI发布的世界晶圆厂预测报告最新版本的预测，2019年的晶圆厂设备总支出预计将下降8％，与此前预测的7％的增幅大幅逆转，因为晶圆厂投资增长从2018年的预测下调至8月的14％至10％。 进入2018年，半导体行业预计将在2019年连续第四年出现设备投资增长。但SEMI世界晶圆厂预测报告追踪了400多家晶圆厂及主要投资项目，并在八月份预测2018年下半年增速放缓，直到2019年的上半年。现在，随着近期行业发展，预计晶圆厂设备将出现更加迅速的下滑（图1）。 图1 该报告显示，2018年下半年总体支出下降13％，2019年上半年下降16％，预计2019年下半年晶圆厂设备支出将大幅增加。 由于贸易紧张局势导致内存价格暴跌以及公司战略的突然转变正在推动资本支出的迅速下降，特别是在中国领先的内存制造商，一些晶圆厂和一些成熟节点如28nm的项目中。预计2019年创纪录的增长（如存储器和中国）的行业目前正在引领下滑。 继今年早些时候NAND闪存定价大幅下挫之后，2018年第四季度的DRAM价格开始走软，似乎结束了两年的DRAM热潮。库存修正和CPU短缺继续，促使预测价格下跌幅度更大。 存储器制造商通过调整资本支出（资本支出）迅速应对不断变化的市场状况，并且工具订单已被搁置。DRAM支出可能会在2019年出现更深的调整，而NAND闪存相关的投资也可能在明年遭遇两位数的下滑。 对行业支出的回顾显示，虽然预计2019年内存资本支出将增长3％，但现在预计它们将同比下降19％（同比）。DRAM受到的打击最为严重，下降了23％，而3D NAND将在2019年收缩13％。 自8月报告以来，中国和韩国的支出下降幅度最大。 中国晶圆厂支出下降 对2019年中国设备支出的预测已经从8月的170亿美元修改为120亿美元，其中包括内存市场放缓，贸易紧张以及某些项目时间表延迟等多种因素。 预计SK海力士将在2019年放缓DRAM扩张.GLOBALFOUNDRIES重新考虑其成都晶圆厂的计划，推迟匝道。中芯国际和联华电子正在放慢支出。福建金华DRAM项目已被搁置。 韩国晶圆厂支出下降 8月，SEMI预测韩国晶圆厂设备支出将在2019年下降8％，达到170亿美元 - 这一预测目前已削减至120亿美元，同比下降35％。三星在2018年第四季度开始减少设备投资，预计削减开支将持续到2019年上半年。三星最受欢迎的项目是P1（放缓）和P2阶段1（延迟）。还预计会对S3计划进行调整。 并非所有内存制造商都削减了资本支出 虽然SEMI详细的晶圆厂级数据显示，一些内存制造商将缩减2019年的资本支出，但一家公司脱颖而出。美光将把FY19的资本支出增加到105亿美元，比18财年增加约28％，即82亿美元。美光公司计划扩大和升级设施，在FY19投资的NAND比2017财年少，并预计没有新的晶圆启动。 成熟技术仍然乐观 在其他行业，特别是非尖端和专业技术领域，一些晶圆厂仍在增加投资（图2）。 图2 Opto - 特别是CMOS图像传感器 - 显示出强劲增长，在2019年飙升33％至38亿美元。微型（MPU，MCU和DSP）预计2019年将增长40％以上，达到48亿美元。模拟和混合信号投资在2019年也显示出强劲增长（19％），使支出达到6.6亿美元。晶圆代工行业是总投资额为130亿美元的第二大产品部门，2019年增长了10％。 最近三年半导体市场的繁荣主要是由内存部分（例如DRAM和3D NAND闪存）推动的。 三星以前所未有的投资水平，拉动了整个行业。其他内存制造商通过增加投资来刺激繁荣周期的浪潮。随着巨额投资，中国的形象也随之增强。该行业已连续四年实现收入增长 - 这是自20世纪90年代以来未见的连续增长。 现在该行业面临众所周知的库存纠正和贸易战的威胁。这两种现象都可能显著地减缓增长，如果两者同时全力展开，影响可能会很严重。SEMI最新出版的世界晶圆厂预测数据显示，连续四年的增长势头可能不会实现。 自2018年8月出版以来，SEMI 已对世界晶圆厂预测进行了260多次更新。该报告包括了从大批量生产到研发的1,200多条当前和115个未来前端半导体设施的记录。该报告涵盖了到2019年的数据和预测，包括里程碑，按季度进行的详细投资，产品类型，技术节点以及制造和项目级别的容量。 SEMI World Fab Forecast检查各个前端设备制造商的资本支出计划，而SEMI两年半导体设备销售预测基于从设备制造商收集的年初至今的数据，并模拟两者的公布资本支出计划前端和后端设备制造商。

尘埃落定！ 芯谋研究独家获悉，台积电大陆选址建厂终于水落石出：台积电将在南京市浦口区新建12寸生产线，总投资额大约在30亿美元，将引进先进的16纳米技术，独资发展，初步产能规划为2万片/月，计划2018年下半年量产，后续产能将会扩到4万片。 作为全球最大的Foundry，台积电宣布有意在大陆建厂以来，一石激起千层浪，包括南京、深圳和重庆等众多地方政府积极对接，最终南京还是依靠“感情”因素胜出。   台积电为何来大陆，又为何选南京？这对大陆产业链有哪些影响。芯谋研究第一时间分析如下： 1：为何来大陆？ 因为众所周知的原因，台积电之前对来大陆发展之前一直比较谨慎。但近几年，大陆的芯片设计业突飞猛进，目前台积电大陆客户的销售额已经超过日本区和欧洲区，成为仅次于美国和台湾地区的第三大市场！大陆客户在台积电的销售已经由之前的微不足道，上升到去年的7%，今年预估还会再创新高！并且海思还是台积电16纳米工艺的全球第一个客户，展讯也是台积电的战略客户。大陆客户在台积电的重要性不言而喻。市场是台积电下定决心来大陆的最重要原因。另外去年集成电路产业纲要和大基金出台以来，地方政府对半导体的积极性上升到一个新的高度。本土龙头企业中芯国际和华力将纷纷建厂，岛内的“小兄弟”联电和力晶纷至沓来，开辟第二战场。而Global Foundry等也在紧锣密鼓地推进在大陆建厂事情。与此同时，在更先进工艺（10和7nm）上，台积电也面临英特尔和三星激烈的竞争，这样在大陆新建16纳米的生产线，既能就地服务大陆客户，还能借力在大陆发力，挤压16/14纳米的竞争对手，腾出精力在更先进工艺上和三星、英特尔硬碰硬。一举多得！ 2：为何是南京？ 在和台积电接洽的众多城市中，南京因为自身的历史原因和近几年两岸紫金山峰会的众多原因，给张忠谋留下比较好的印象。2002年，台积电想在大陆选址建8寸厂的时候，张忠谋就亲自考察过南京，并且有意在南京建厂。除了地理便利、南京政府的大力支持外，考虑到张忠谋在台积电一言九鼎的地位，“感情因素”是南京胜出的最重要原因！ 3：对大陆产业链的影响： 毫无疑问，中芯国际和华力等大陆12寸Foundry受影响最深！按照台积电南京厂的规划，2018年量产16纳米，估计那时中芯的16纳米应该开始小规模量产，而华力还在研发中。真正等到中芯和华力批量量产16纳米的时候，台积电南京厂应该到了4万片的产能规模。原来中芯和华力的在地优势和价格优势将荡然无存！而技术、服务和产能的劣势却显而易见。更致命的是，大陆本土客户由于自身研发实力相对较弱，与国际公司相比，更依赖Foundry的total solution，所以大陆设计公司16纳米的Foundry首选是台积电，这对中芯和华力有非常大的影响！当然，更希望中芯和华力能够“知耻而后勇”，化压力为动力，变挑战为机遇，加快先进工艺研发，提升核心竞争力，毕竟Foundry的主战场还是在国际。“鳄鱼效应”还是“鲶鱼效应”，就看“打铁自身硬”！ 短期内，中国的设计公司可以“微微一笑”，目前海思、展讯等多家大陆设计公司的先进工艺首选是台积电，而南京厂的量产，短期来说，绝对为大陆客户享受就地服务等提供了“地利”！但长远来看，中国的设计公司也肯定需要本土的、长久的、战略的Foundry伙伴。毕竟放眼全球，大陆设计公司还是很难成和苹果、高通等巨无霸相提并论，成为国际领先Foundry的首选客户！如果大陆的Foundry没有发展起来，对国内的设计公司也是“人无近虑，必有远忧”的隐患。估计有长远战略的设计公司会认真评估，谨慎选择。当然，这也很大程度上取决于本土Foundry自身的实力！ 而对台积电来说，来大陆发展也必须“共襄盛事”，“多赢”才能“长远”。除了提供先进工艺、充分产能和全面服务来帮助下游设计公司外，在设备、材料等配套上的采购，最好能“入乡随俗”，尽可能采购本土的相关设备和材料，帮助大陆半导体产业供应链的提升！某种意义上来说，南京市政府在给予台积电巨大支持的同时，也应该在相关设备和材料的国产化采购上，与台积电达默契。 “共襄盛事”还是“一家独美”，就看台积电未来的动作！ 4：对地方政府的借鉴意义： 台积电宣布大手笔、先进工艺在大陆设厂，台湾之外最大的投资金额，最先进的技术，“前车后辙”，这为其他国际公司和大陆的合作提供了典范和标杆：首先企业要大手笔投入。众所周知，半导体产业，尤其涉及到制造，是需要大资金投入的。而不少企业，尤其是一些忽悠企业，无心无意在大陆认真发展，而是通过所谓的“合资”，忽悠地方政府出大钱，空手套白狼，用一些落后的技术，破旧的设备入股，这根本就不是诚心发展，如果企业真有实力，真有信心，真有诚意在大陆发展，就应该先拿“投名状”，自己掏真金白银！毫不客气地说，一切“企业靠无形资产，政府资金占大头”的都是“耍流氓”！其次台积电用先进工艺来大陆发展，更是给其他企业以借鉴意义。大陆产业发展迅速，不要再靠那些落后好几代的技术来忽悠了，不愿意把先进的东西拿过来，只想把破铜烂铁，陈旧工艺包装下，利用国内的资本、国内的资源、打击国内的厂商，抢占国内的市场，已经行不通了！ 真希望其它国际企业来中国发展时，能够有诚心拿真金白银，有诚意用先进技术，而不是嘴上讲的甜言蜜语，背后说中国“人傻钱多速来”！ 更希望我们的地方政府，能够以此为鉴，擦亮眼睛，不要再被轻易忽悠。真正能够做好的企业，真正能够有诚意发展的企业，看中的绝不应该是政府手里那点纳税人的钱。对企业来说，“市场”的钱要远远大于“市长”的钱！反过来，政府真想靠这点钱，也不可能招来真正的有实力的企业！ 5：对顶层设计的意义： 联电来了，力晶来了，台积电来了，Global Foundry快来了，一年之内，大陆代工厂泛滥，存在着产能过剩、恶性竞争、自相残杀、引狼入室的隐忧，这对中国的产业有着“杀鸡取卵”的恶果；并且地方政府混乱无序、各自为战、缺乏大局观的“招商引资”---尤其是崇“洋”媚“外”---会给大陆的集成电路产业带来致命的隐患。最后或许某个地方政府的GDP起来了，但中国的产业却并没有起来。这绝对不是国家出台集成电路产业纲要的初衷和目的！希望相关部门能够加强顶层设计，统筹规划，“有”为而治，加强与地方政府互动，认真落实布局规划，真正让中国的集成电路产业纲要能够为中国的集成电路产业服务！