标签: 霍尔效应实验仪

产品概述： 本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必 * 的工具。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。 可测试材料: 半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等； 低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等； 高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等。 技术指标: * 电磁铁 磁场：10mm间距为2T 、 30mm间距为1T * 样品电流：0.05uA~50mA(调节0.1nA) * 测量电压：0.1uV~30V * 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同） * 分辨率极小值：0.1GS * 磁场范围：0-1T * 配合高斯计或数采板可计算机通讯 * I-V 曲线及I-R曲线测量等 * 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线 * 电阻率范围： 5*10 -5 ～5*10 2 Ω.cm * 电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms * 载流子浓度： 5*10 12 ～51*10 20 cm -3 * 霍尔系数：±1*10 -2 ～±1*10 6 cm 3 /C * 迁移率：0.1~10 8 cm 2 /volt*sec * 温度调节0.1K * 温区：78K-475K,室温-773K（选配） * 测试全自动化，一键处理 * 可实现相同温差间的连续测量

霍尔效应测试仪介绍该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。 霍尔效应实验仪通常用于测量材料中的电荷载流子密度、电导率等参数。在进行实验时，需要将被测样品放置在磁场中，并通过霍尔探头来检测样品表面上的霍尔电压。读取霍尔效应实验仪的数据通常需要根据具体型号和使用说明书来操作。 霍尔效应实验是指为了解霍尔效应测量磁场原理而进行的实验。具体目的： 1 ．了解霍尔效应测量磁场的原理和方法； 2 ．观察磁电效应现象； 3 ．学会用霍尔元件测量磁场及元件参数的基本方法。 霍尔效应实验是指为了解霍尔效应测量磁场原理而进行的实验。霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。 霍尔效应实验仪器有霍尔效应实验仪 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转所产生的。

低温型产品概述： 霍尔效应测试仪由电磁铁、电 磁铁电源 、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件组成。为本仪器系统专门研制的 JH10效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。 用途： 用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必 * 的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度 (Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。 技术指标： 物理学参数 载流子浓度 5*10 12 ～ 51*10 20 cm -3 迁移率 0.1 ～ 10 8 cm 2 /volt*sec 电阻率范围 5*10 -5 ～ 5*10 2 Ω.cm 电阻范围 10 m Ohms ～ 6MOhms 霍尔系数 ±1*10 -2 ～ ±1*106cm 3 /C 磁场环境 磁铁类型 可变电磁铁 磁场大小 N，S 间距 10mm 时最大磁场 20000Gs N，S 间距 20mm 时最大 13000 高斯 N, S 间距 30mm 时最大磁场 10000 高斯 均匀区：间距 60mm 时直径 10mm 均匀度 范围1% 最小分辨率 0.1GS 磁场范围 0-1T 可选磁场环境 可根据客户需求定制相关磁性大小的电磁铁 电学参数 样品电流 0.05uA ～ 50mA(调节0.1nA) 测量电压 0.1uV ～ 30V 温度环境 温度调节 0.1K 温区 78K-325K,4K-325K（选配） 可测试材料 半导体材料 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等 低阻抗材料 石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、 TMR 材料等 高阻抗材料 半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等 提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同） ； 配合高斯计或数采板可计算机通讯 ； I-V 曲线及 I-R 曲线测量等 ； 霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线 ； 测试全自动化，一键处理 ； 可实现相同温差间的连续测量