原创低温型霍尔效应测试仪技术参数分析

 2023-6-9 13:16  1140 9 9 分类: 测试测量文集: 霍尔效应

低温型产品概述：

霍尔效应测试仪由电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源、高精度电压表、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件组成。为本仪器系统专门研制的JH10效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10可单独做恒流源、微伏表使用。

用途：用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。

技术指标：

物理学参数	载流子浓度	51012～511020cm-3
	迁移率	0.1～108cm2/volt*sec
	电阻率范围	510-5～5102Ω.cm
	电阻范围	10 m Ohms～ 6MOhms
	霍尔系数	±110-2～±1106cm3/C
磁场环境	磁铁类型	可变电磁铁
	磁场大小	N，S 间距 10mm 时最大磁场 20000Gs N，S 间距 20mm 时最大 13000 高斯 N, S 间距 30mm 时最大磁场 10000 高斯均匀区：间距 60mm 时直径 10mm 均匀度范围1%
	最小分辨率	0.1GS
	磁场范围	0-1T
	可选磁场环境	可根据客户需求定制相关磁性大小的电磁铁
电学参数	样品电流	0.05uA～50mA(调节0.1nA)
电学参数	测量电压	0.1uV～30V
温度环境	温度调节	0.1K
温度环境	温区	78K-325K,4K-325K（选配）
可测试材料	半导体材料	SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等
	低阻抗材料	石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等
	高阻抗材料	半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
提供各类测试标准材料，各级别硅与砷化镓（灵敏度与精度不同）；配合高斯计或数采板可计算机通讯；I-V 曲线及 I-R 曲线测量等；霍尔系数、载流子浓度等参数随温度的变化曲线；测试全自动化，一键处理；可实现相同温差间的连续测量