标签: 磁光克尔转角

在实际测量时，通常采用 He-Ne 激光作为光源，波长 λ=632.8 nin. 磁光介质样品安放在电磁铁建立的磁场之中，磁场的磁感应强度为 4 000 Gs 左右 . 在此条件下，通过偏振分析器可顺利地分析出磁光克尔转角 θk 的大小， 如果 测量时光信号十分微弱，采 用锁相放大器可 大大提高测量的精 ﹡ 度。 磁光介质材料极其 θk 的大小 随着磁光信息存储技术的发展，目前已经开发出多种磁光介质材料 . 在这些材料中比较优 ﹡ 的有 : 非晶态稀土一过渡金属合金材料 ( 例如 Fe-co) 、非晶态锰铋铝硅 (MnBiA1Si) 合金材料和非晶态锰铋稀土 (MnBiRE) 合金材料等。这些材料通常是采用真空蒸镀、磁控溅射等方法将合金材料沉积于玻璃基底上，磁光薄膜的厚度一般在几百纳米左右。为了提高材料的磁光性能，采取多层膜技术十分有效 . 磁光克尔转角一般并不大，以铽铁钴 (1bFeco) 合金薄膜材料为例，在室温下其磁光克尔转角仅为 0.3L 右。 MnBiA1Si 的磁光克尔转角可达 2.04 。如果仅考虑磁光克尔转角的大小，采用简单工艺制备的 MnBi 合金薄膜的磁光克尔转角达到 1.6 。左右并不困难 . 当然，在实际制造磁光盘时，除了考虑磁光克尔转角这一性能外，还需要综合考虑其他性能 . 目前市场上做成磁光盘产品的磁光介质以铽铁钴 (1bFeco) 合金薄膜材料为主。 物质 科尔转角（度） Fe 0.87 Co 0.85 Ni 0.19 Gd 0.16 Fe 3 O 4 0.32 MnBi 0.7 PtMnSb 2.0