原创 磁光克尔转角应该怎样测量

在实际测量时，通常采用He-Ne激光作为光源，波长λ=632.8 nin.磁光介质样品安放在电磁铁建立的磁场之中，磁场的磁感应强度为4 000 Gs左右.在此条件下，通过偏振分析器可顺利地分析出磁光克尔转角θk的大小，如果测量时光信号十分微弱，采用锁相放大器可大大提高测量的精﹡度。

磁光介质材料极其θk的大小

  随着磁光信息存储技术的发展，目前已经开发出多种磁光介质材料.在这些材料中比较优﹡的有:非晶态稀土一过渡金属合金材料(例如Fe-co)、非晶态锰铋铝硅(MnBiA1Si)合金材料和非晶态锰铋稀土(MnBiRE)合金材料等。这些材料通常是采用真空蒸镀、磁控溅射等方法将合金材料沉积于玻璃基底上，磁光薄膜的厚度一般在几百纳米左右。为了提高材料的磁光性能，采取多层膜技术十分有效.磁光克尔转角一般并不大，以铽铁钴(1bFeco)合金薄膜材料为例，在室温下其磁光克尔转角仅为0.3L右。MnBiA1Si的磁光克尔转角可达2.04。如果仅考虑磁光克尔转角的大小，采用简单工艺制备的MnBi合金薄膜的磁光克尔转角达到1.6。左右并不困难.当然，在实际制造磁光盘时，除了考虑磁光克尔转角这一性能外，还需要综合考虑其他性能.目前市场上做成磁光盘产品的磁光介质以铽铁钴(1bFeco)合金薄膜材料为主。