标签: FDD5614P

型号：FDD5614P丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：-1.3Vth-封装：TO252应用简介：FDD5614P是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-38A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：可用于负极电源开关和正负电源控制的电路。2.电机驱动模块：适用于驱动小型直流电机或步进电机的控制器。3.转换器模块：可用于直流-直流转换器和逆变器的输出调节。总之，FDD5614P适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和转换器模块等。