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【FDD5614P-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023-12-27
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资料介绍
型号:FDD5614P
丝印:VBE2610N
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 类型:P沟道MOSFET
- 最大耐压:-60V
- 最大电流:-38A
- 导通电阻:61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:-1.3Vth
- 封装:TO252

应用简介:
FDD5614P是一款P沟道MOSFET,适用于负极电压控制或负载开关的应用。其最大耐压为-60V,最大电流为-38A,具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:可用于负极电源开关和正负电源控制的电路。
2. 电机驱动模块:适用于驱动小型直流电机或步进电机的控制器。
3. 转换器模块:可用于直流-直流转换器和逆变器的输出调节。

总之,FDD5614P适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和转换器模块等。
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