标签: NTR4170NT1GVB

型号：NTR4170NT1G丝印：VB1330品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-门阈电压：1.2~2.2Vth-封装：SOT23应用简介：NTR4170NT1G是一款N沟道MOSFET，适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为30V，最大电流为6.5A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：1.电源管理模块：适用于低电压电源开关和电池管理系统等。2.照明模块：可用于LED驱动和照明控制。3.消费电子模块：适用于手机、平板电脑和数码相机等消费电子设备中的功率管理。总之，NTR4170NT1G适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、照明模块和消费电子模块等。