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【NTR4170NT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024-02-28
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资料介绍
型号:NTR4170NT1G
丝印:VB1330
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 类型:N沟道MOSFET
- 最大耐压:30V
- 最大电流:6.5A
- 导通电阻:30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V
- 门源电压:20Vgs (±V)
- 门阈电压:1.2~2.2Vth
- 封装:SOT23

应用简介:
NTR4170NT1G是一款N沟道MOSFET,适用于中等电压和中等电流的应用。其最大耐压为30V,最大电流为6.5A,具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:
1. 电源管理模块:适用于低电压电源开关和电池管理系统等。
2. 照明模块:可用于LED驱动和照明控制。
3. 消费电子模块:适用于手机、平板电脑和数码相机等消费电子设备中的功率管理。

总之,NTR4170NT1G适用于中等电压和中等电流应用领域的模块设计,包括电源管理、照明模块和消费电子模块等。
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