标签: 霍尔实验平台

本科生微电子器件及材料实验目的 通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。 本科生微电子器件及材料实验目录 实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验 实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验 实验三： MOS电容的CV特性测试实验 实验四：半导体霍尔效应测试实验 实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验 实验六：太阳能电池的特性表征实验 本科生微电子器件及材料实验测试平台优势 满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求 测试设备简单易用，专业权威，方便学生动手操作 核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求 测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构 以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求 本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能 实验名称 测试参数 金属-氧化物-半导体场效应晶体管IV特性测试实验 l输出特性曲线 l转移特性曲线 l跨导gm l击穿电压BVDS 四探针法测量半导体电阻率测试实验 l四探针法电阻率ρ l材料阻值R MOS电容的CV特性测试实验（低频 + 高频） lCV特性曲线 半导体霍尔效应测试实验 l霍尔电压VH l霍尔电阻率ρ l霍尔系数RH l载流子浓度n l霍尔迁移率u 激光二极管LD的LIV特性测试 lLIV特性曲线 l阈值电流Ith l阈值电流对应电压值Vth l拐点Kink l线性电阻Rs 太阳能电池的特性表征 l开路电压Voc l短路电流Isc l功率最大值Pmax l填充因子FF l转换效率η l串联电阻Rs l旁路电阻Rsh 本科生微电子器件及材料实验测试平台核心 测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU） 普赛斯国产源表五表合一四象限模式 四线/开尔文测试功能 小信号测试 满足先进器件和材料测试需求 交流测试使用LCR表 探针台：4寸或6寸手动探针台