原创 SMU数字源表搭建半导体霍尔效应测试实验平台

2024-5-30 14:45 169 2 2 分类: 测试测量

本科生微电子器件及材料实验目的
通过实验动手操作,加深对半导体物理理论知识的理解,掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能,培养分析问题和解决问题的能力。


本科生微电子器件及材料实验目录
实验一:金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二:四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三: MOS电容的CV特性测试实验
实验四:半导体霍尔效应测试实验
实验五:激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六:太阳能电池的特性表征实验


本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用,专业权威,方便学生动手操作
核心设备测试精度高,满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全,平台化设计,有专人维护支持,与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点,可逐步升级,满足日益增加的实验室测试需求


本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

实验名称

测试参数

金属-氧化物-半导体场效应晶体管IV特性测试实验

l 输出特性曲线

l 转移特性曲线

l 跨导gm

l 击穿电压BVDS

四探针法测量半导体电阻率测试实验

 

l 四探针法电阻率ρ

l 材料阻值R

MOS电容的CV特性测试实验(低频 + 高频)

l CV特性曲线

半导体霍尔效应测试实验

l 霍尔电压VH

l 霍尔电阻率ρ

l 霍尔系数RH

l 载流子浓度n

l 霍尔迁移率u

 

激光二极管LD的LIV特性测试

 

l LIV特性曲线

l 阈值电流Ith

l 阈值电流对应电压值Vth

l 拐点Kink

l 线性电阻Rs

太阳能电池的特性表征

 

l 开路电压Voc

l 短路电流Isc

l 功率最大值Pmax

l 填充因子FF

l 转换效率η

l 串联电阻Rs

l 旁路电阻Rsh

本科生微电子器件及材料实验测试平台核心

测试平台的核心– 源测量单元(源表, SMU)

普赛斯国产源表五表合一 四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求

交流测试使用LCR表

探针台:4寸或6寸手动探针台



作者: 普赛斯仪表, 来源:面包板社区

链接: https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-4004825.html

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