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2015-4-2 11:05
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电容等效模型以及阻抗计算公式 电容测量有串联模式 (Cs-D, Cs-Rs) 和并联模式 (Cp-D, Cp-Rp) 当使用串联模式测量 Cs的计算是如下图(即直接使用虚部,认为虚部的值就是电容值): 这种情况下,Cs的值等于C,仅仅在Rp值非常大( 1/Rp 1 )并且L的电抗可以忽略( ω L1/ ω C )的情况下。通常,在高频时候,L不可忽略,但是Rp则在很多情况下可以忽略。对于高值电容,c的电抗相对Rp来说非常小;而低值电容,其本身的Rp就很大。因此,大多数电容可以使用下面的等效图来表示: Figure5-5(a)和Figure5-5(b)示出了陶瓷电容器的典型阻抗特性和Cs-D特性: 我们可以从高频区的谐振点,认知到L的存在。 电容测量应当注意到,测量是和电容值相关的。 高值电容的测量: 它属于低阻抗测量,因此必须把接触电极、测量夹具、电缆中的接触电阻和残余阻抗减到最小。这里应当使用4端、5端或者4端对测量方法。为了避免电磁场耦合影响,应当按照下图方式连接电缆: 此外为了进行精准测量,必须进行开路,短路校准补偿。特别是对于施加直流偏置电压的电解电容器,应该在偏置设置为On,并且为0V的时候进行开路短路补偿。 低值电容测量: 属于高阻抗测量。接触电极间的杂散电容比残余阻抗有更大的影响。应该使用3端(屏蔽2T)、5端(屏蔽4T)或4端对(4TP)测量。正确的接地、开路/短路补偿可以把杂散电容影响减小到最小。 除了电容量以外,损耗因素D和等效串联电阻ESR也是需要测量的电容参数。对于低D值,或者低ESR值的测量需要格外注意。即使使用4端测量,测试夹具和电缆间的接触电阻、残余阻抗也会影响测量结果。 参考: Impedance Measurement Handbook.pdf chapter 5