电容等效模型以及阻抗计算公式
电容测量有串联模式(Cs-D, Cs-Rs)和并联模式(Cp-D, Cp-Rp)
当使用串联模式测量
Cs的计算是如下图（即直接使用虚部，认为虚部的值就是电容值）：
这种情况下，Cs的值等于C，仅仅在Rp值非常大（1/Rp <<1）并且L的电抗可以忽略（ωL<<1/ωC）的情况下。通常，在高频时候，L不可忽略，但是Rp则在很多情况下可以忽略。对于高值电容，c的电抗相对Rp来说非常小；而低值电容，其本身的Rp就很大。因此，大多数电容可以使用下面的等效图来表示：
Figure5-5（a）和Figure5-5(b)示出了陶瓷电容器的典型阻抗特性和Cs-D特性：
我们可以从高频区的谐振点，认知到L的存在。
电容测量应当注意到，测量是和电容值相关的。
高值电容的测量：
它属于低阻抗测量，因此必须把接触电极、测量夹具、电缆中的接触电阻和残余阻抗减到最小。这里应当使用4端、5端或者4端对测量方法。为了避免电磁场耦合影响，应当按照下图方式连接电缆：
此外为了进行精准测量，必须进行开路，短路校准补偿。特别是对于施加直流偏置电压的电解电容器，应该在偏置设置为On，并且为0V的时候进行开路短路补偿。
低值电容测量：
属于高阻抗测量。接触电极间的杂散电容比残余阻抗有更大的影响。应该使用3端（屏蔽2T）、5端（屏蔽4T）或4端对（4TP）测量。正确的接地、开路/短路补偿可以把杂散电容影响减小到最小。
除了电容量以外，损耗因素D和等效串联电阻ESR也是需要测量的电容参数。对于低D值，或者低ESR值的测量需要格外注意。即使使用4端测量，测试夹具和电缆间的接触电阻、残余阻抗也会影响测量结果。
参考：
Impedance Measurement Handbook.pdf chapter 5
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