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抗干扰、 EMC部分 一、长线路抗干扰 在图二中 ，PCB 布局时，驱动电阻 R3 应靠近 Q1 （ MOS 管），电流取样电阻 R4 、 C2 应靠近 IC1 的第 4Pin ，如图一所说的 R 应尽量靠近运算放大器缩短高阻抗线路。因运算放大器输入端阻抗很高，易受干扰。输出端阻抗较低，不易受干扰。一条长线相当于一根接收天线，容易引入外界干扰。 在图三的A 中排版时， R1 、 R2 要靠近三极管 Q1 放置，因 Q1 的输入阻抗很高，基极线路过长，易受干扰，则 R1 、 R2 不能远离 Q1 。 在图三的B 中排版时， C2 要靠近 D2 ，因为 Q2 三极管输入阻抗很高，如 Q2 至 D2 的线路太长，易受干扰， C2 应移至 D2 附近。 =2.0mm 。 三、小信号线处理：电路板布线尽量集中，减少布板面积提高抗干扰能力。 四、一个电流回路走线尽可能减少包围面积。 如：电流取样信号线和来自光耦的信号线 五、光电耦合器件，易于干扰，应远离强电场、强磁场器件，如大电流走线、变压器、高电位脉动器件等。 六、多个IC 等供电， Vcc 、地线注意。 串联多点接地，相互干扰 七、噪声要求 1 、尽量缩小由高频脉冲电流所包围的面积，如下（图一、图二） 一般的布板方式： 2 、滤波电容尽量贴近开关管或整流二极管如上图二， C1 尽量靠近 Q1 ， C3 靠近 D1 等。 3 、脉冲电流流过的区域远离输入、输出端子，使噪声源和输入、输出口分离 。 图三：MOS 管、变压器离入口太近，电磁的辐射能量直接作用于输入端，因此， EMI 测试不通过。 图四：MOS 管、变压器远离入口，电与磁的辐射能量距输入端距离加大，不能直接作用于输入端，因此 EMI 传导能通过。 4 、控制回路与功率回路分开，采用单点接地方式，如图五。 控制IC 周围的元件接地接至 IC 的地脚 ；再从地脚引出至大电容地线 。光耦第 3 脚地接到 IC 的第 1 脚，第 4 脚接至 IC 的 2 脚上 。如图六。 5 、 必要时可以将输出滤波电感安置在地回路上。 6 、 用多只 ESR 低的电容并联滤波。 7 、 用铜箔进行低感、低阻配线，相邻之间不应有过长的平行线，走线尽量避免平行、交叉用垂直方式，线宽不要突变，走线不要突然拐角（即： ≤ 直角）。（同一电流回路平行走线，可增强抗干扰能力） 八、抗干扰要求： 1 、尽可能缩短高频元器件之间连线，设法减少它们的分布参数和相互间电磁干扰，易受干扰的元器件不能和强干扰器件相互挨得太近，输入输出元件尽量远离。 2 、某些元器件或导线之间可能有较高电位差，应加大它们之间的距离，以免放电引出意外短路。