原创 【晒一波电源】抗干扰、EMC部分

2024-6-25 07:23 207 1 1 分类: PCB 文集: 我的自学旅程

抗干扰、EMC部分
一、长线路抗干扰

在图二中,PCB布局时,驱动电阻R3应靠近Q1MOS管),电流取样电阻R4C2应靠近IC1的第4Pin,如图一所说的R应尽量靠近运算放大器缩短高阻抗线路。因运算放大器输入端阻抗很高,易受干扰。输出端阻抗较低,不易受干扰。一条长线相当于一根接收天线,容易引入外界干扰。

在图三的A中排版时,R1R2要靠近三极管Q1放置,因Q1的输入阻抗很高,基极线路过长,易受干扰,则R1R2不能远离Q1

在图三的B中排版时,C2要靠近D2,因为Q2三极管输入阻抗很高,如Q2D2的线路太长,易受干扰,C2应移至D2附近。

二、小信号走线尽量远离大电流走线,忌平行,D>=2.0mm

三、小信号线处理:电路板布线尽量集中,减少布板面积提高抗干扰能力。

四、一个电流回路走线尽可能减少包围面积。

如:电流取样信号线和来自光耦的信号线

五、光电耦合器件,易于干扰,应远离强电场、强磁场器件,如大电流走线、变压器、高电位脉动器件等。

六、多个IC等供电,Vcc、地线注意。

串联多点接地,相互干扰

七、噪声要求

1、尽量缩小由高频脉冲电流所包围的面积,如下(图一、图二)

一般的布板方式:

2、滤波电容尽量贴近开关管或整流二极管如上图二,C1尽量靠近Q1C3靠近D1等。

3、脉冲电流流过的区域远离输入、输出端子,使噪声源和输入、输出口分离 。

图三:MOS管、变压器离入口太近,电磁的辐射能量直接作用于输入端,因此,EMI测试不通过。

图四:MOS管、变压器远离入口,电与磁的辐射能量距输入端距离加大,不能直接作用于输入端,因此EMI传导能通过。

4、控制回路与功率回路分开,采用单点接地方式,如图五。

控制IC周围的元件接地接至IC的地脚 ;再从地脚引出至大电容地线 。光耦第3脚地接到IC的第1 脚,第4脚接至IC2脚上 。如图六。

5、 必要时可以将输出滤波电感安置在地回路上。

6、 用多只ESR低的电容并联滤波。

7、 用铜箔进行低感、低阻配线,相邻之间不应有过长的平行线,走线尽量避免平行、交叉用垂直方式,线宽不要突变,走线不要突然拐角(即:直角)。(同一电流回路平行走线,可增强抗干扰能力)

八、抗干扰要求:

1、尽可能缩短高频元器件之间连线,设法减少它们的分布参数和相互间电磁干扰,易受干扰的元器件不能和强干扰器件相互挨得太近,输入输出元件尽量远离。

2、某些元器件或导线之间可能有较高电位差,应加大它们之间的距离,以免放电引出意外短路。

作者: 丙丁先生, 来源:面包板社区

链接: https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-3996156.html

版权声明:本文为博主原创,未经本人允许,禁止转载!

文章评论0条评论)

登录后参与讨论
EE直播间
更多
我要评论
0
1
关闭 站长推荐上一条 /5 下一条