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时源芯微 EMC （电磁兼容）领域，充斥着众多专业术语，令人眼花缭乱。 1 电磁兼容（ EMC） 定义：指电气装置或系统在共同的电磁环境条件下，既能保持正常功能，又不会对周围环境产生不良影响。 2 电磁环境 Electromagnetic Environment 定义：指存在于某一特定场所的所有电磁现象的总和。 3 半电波暗室 Semi-anechoic Chamber 定义：一种屏蔽室，除地面安装反射接地平板外，其余内表面均覆盖有吸波材料。 4 远场 Far Field 定义：在天线辐射的场域中，功率密度与距离的平方成反比的区域。对于偶极子天线，此区域通常指距离大于 λ /2 π（λ为辐射波长）的范围。 5 场强 Field Strength 定义：远场测量中使用的术语，可测量电场或磁场分量，单位包括 V/m 、 A/m 或 W/m ²等。 6 噪声 Noise 定义：环境或电路中产生的无意或无用的信号。 7 骚扰 Disturbance 定义：可能引起装置、设备或系统性能降低或损害生命体的电磁现象。骚扰可能表现为电磁噪声、无用信号或传播媒介的变化。 8 电磁干扰 EMI 定义：骚扰引起的设备、传输通道或系统性能的下降。 9 发射 Emission 定义：指从源向外发出电磁能的现象。 10 辐射发射 Radiate Emission 定义：能量以电磁波形式从源发射到空间的现象，也称辐射骚扰。 11 传导发射 Conduct Emission 定义：能量以电压或电流形式通过导电介质从一个源传导到另一个介质的现象，也称传导骚扰。 12 传导干扰 Conduct Interference 定义：由电压或电流骚扰引起的设备、传输通道或系统性能的下降。 13 辐射干扰 Radiate Interference 定义：由电磁波骚扰引起的设备、传输通道或系统性能的下降。 14 性能降低 Degradation of Performance 定义：装置、设备或系统的工作性能与正常性能的偏离。 15 抗扰度 Immunity to a Disturbance 定义：装置、设备或系统面临电磁骚扰但不降低运行性能的能力。 16 电磁 敏感性 ElectromagneticSusceptibility 定义：在电磁骚扰下，装置、设备或系统无法避免性能降低的能力。高敏感性意味着低抗扰性。 17 静电 放电 ESD 定义：具有不同静电电位的物体相互接触时引起的电荷转移。 18 骚扰 限制 Limit of Dischargeturbance 定义：对应于规定测量方法的最大电磁骚扰允许电平。 19 电磁 兼容电平 Electromagnetic Compatibility Leve 定义：在指定条件下，预期加在装置、设备或系统上的最大电磁骚扰电平。 20 骚扰 源的发射电平 Emission Level of a Disturbance Source 定义：用规定方法测得的由特定装置、设备或系统发射的电磁骚扰电平。 21 抗扰度电平 Immunity Level 定义：施加于装置、设备或系统的最大骚扰电平，在此电平下仍能正常工作并保持所需性能。 22 抗扰度限值 Immunity Limit 定义：规定的最小抗扰度电平。 23 抗扰度裕量 Immunity Margin 定义：装置、设备或系统的抗扰度限值与电磁兼容电平之间的差值。 24 电磁兼容裕量 Electromagnetic Compatibility Margin 定义：装置、设备或系统的抗扰度限值与骚扰源的发射限值之间的差值。 25 骚扰抑制 Disturbance Suppression 定义：采取措施削弱或消除骚扰。 26 干扰抑制 Interference Suppression 定义：采取措施削弱或消除干扰。 27 瞬态 Transient 定义：在两相邻稳定状态之间变化的物理量或现象，其变化时间小于关注的时间尺度。 28 脉冲 Pulse 定义：在短时间内发生突变并迅速返回初始值的物理量。 29 脉冲的上升时间 Rise time of a Pulse 定义：脉冲从给定下限值首次上升到给定上限值所需的时间。 30 上升沿 Rise 定义：一个量从峰值的 10% 到 90% 所需的时间。 31 脉冲噪声 Pmpulsive Noise 定义：在特定设备上出现的、表现为一连串清晰脉冲的噪声。 32 脉冲骚扰 Impulsive Disturbance 定义：在某一特定装置或设备上出现的、表现为一连串清晰脉冲的电磁骚扰。 33 电源骚扰 Mains-borne Disturbance 定义：通过供电电源线传输到装置上的 骚扰。 34电源抗扰度MainsImmunity 定义： 对电源骚扰的抗扰度。 35电源去耦Mains Decoupling 定义： 施加在电源某一规定位置上的电压与施加在装置规定输入端且对装置产生同样骚扰效应的电压值之比。 36 壳体辐射Cabinet Radiation 定义： 由设备外壳产生的辐射，不包括所接天线或电缆产生的辐射。 37耦合Coupling 定义： 在给定电缆中，电磁量（通常是电压或电流）从一个规定的位置通过磁场、电场电压、电流的形式传输到另一个规定的位置。 38耦合路径CouplingPath 定义： 部分 或全部电磁能量从规定路径传输到另一电路或装置所经由的路径。 39屏蔽Screen 定义： 用来减少场向指定区域穿透的措施。 40电磁屏蔽Electromagnetic Screen 定义： 用导电材料减少交变电磁场向指定区域穿透的屏蔽 。 41线性阻抗稳定网络Line Impedance Stabilization Network，LISN 定义： 能在射频范围内，在 EUT 端子与参考地之间，或端子之间提高一稳定阻抗，同时将来自电源的无用信号与测量电路隔离开来，而仅将 EUT 的干扰电压耦合到接收机的输入端。 42 被测设备Equipment under Test，EUT 定义： 被测试的设备。 43辅助设备 AE 定义： 进行 EMC 测试时，用来保证被测设备正常工作的设备。

随着电子技术的不断发展，T-core电感也在不断演进。未来，T-core电感可能会朝着更高频率、更小尺寸、更低损耗和更高性能的方向发展。同时，随着智能制造和自动化生产技术的普及，T-core电感的生产效率和质量也将得到进一步提升。 产品制作 T-core的设计和生产过程通常涉及以下八大工站： 冷压 金属粉末或其他材料压制成所需形状的冷压本体。 绕线 按照特定的匝数和方向将漆包线或其他绝缘导线绕制在冷压本体上。 热压 将包覆性粉材通过热压工艺紧密地包覆在绕线上，形成一层绝缘层。 滚喷 通过滚喷工艺对T-core进行表面处理，如喷涂绝缘漆、防锈漆等。 这步工艺可能用于增强T-core的绝缘性能、耐腐蚀性能或美观度。 剥漆 在电镀引脚连接区域剥除绕线或冷压本体上的绝缘漆层，以便进行电镀。 电镀 在剥漆后的引脚连接区域电镀一层金属层，形成电镀引脚。 测试 对T-core进行电气性能测试，如电感量、互感量、电阻等，以确保其符合设计要求 包装 将经过测试的T-core进行包装，以便运输和存储。 产品优势 磁屏蔽结构：磁路闭合，抗电磁干扰强，能有效降低电磁干扰(EMI),EMI抑制效果好； 寄生电感小：无引线端头，减少了寄生电感； 通流能力强：可在大电流环境下持续长期工作，且功耗低； 体积小、侧面低：节省PCB空间，能适应电子产品小型化的趋势； 电感啸叫声小：线圈与磁粉紧密结合，从结构上避免了线圈震动，从而降低了电感工作时产生的噪音; 同尺寸直流阻抗(DCR)最低；低损耗、低阻抗； 产品应用 应用场景 电脑主板 笔记本电脑 显卡 服务器 主要作用 稳定电源/滤波降噪/提升效率/抗电磁干扰/适应高负载 滤波/稳定电压/抗电磁干扰 稳定供电/滤波/储能/抗电磁干扰 稳定供电/滤波/储能/抗电磁干扰 应用电路 电源管理部分，DC-DC电压转换电路，CPU供电电路，DDR内存电压转换电路 电源模块，音频电路中及CPU供电电路中 GPU供电电路DC-DC转换电路，滤波电路 CPU和GPU供电路，DC-DC转换电路，高速数据传输电路，电源管理模块，存储系统电路 应用场景 智能电视 机顶盒 通信基站 网络交换机 主要作用 选频/滤波/稳定电压 滤波/稳定电压/抗电磁干扰 滤波/稳定电流/抗电磁干扰/阻抗匹配/储能和释能 稳定供电/滤波/抗电磁干扰/通流能力强/适应温度变化/节省空间 应用电路 高频头电路，信号处理芯片电路，具有VG信号接收功 能的电路 电源模块，高频头电路及信号处理芯片电路 电源模块，射频前端电路，时钟电路，信号传输与处理电路 电源管理模块高速数据传输电路，时钟电路 应用场景 手机 平板电脑 智能手表 手环 主要作用 滤波/稳定电压 滤波/稳定电流/抗电磁干 扰/提升效率/增强可靠性 储能/滤波/稳定电压/抗 电磁干扰 优化电源管理/增强续航 能力/抗电磁干扰/提高信 号质量 应用电路 电源管理部分，射频电路中及功率电路中 电源管理模块，存储模 块，无线通信模块，显示 模块及处理器相关电路， 音频电路中 电源管理模块，无线通信 模块，传感器模块及处理 器相关电路 电源管理模块，无线通信 模块，传感器模块 应用场景 汽车电子 游戏机 VR/AR 蓝牙耳机 主要作用 稳压/滤波/储能/减少损耗,提高电源效率/抗电磁干扰/支持快速充电/适应高温环境 稳定电源供应/过滤噪声/抗电磁干扰/节省空间/减少能量损耗 滤波/稳定电流/抗电磁干扰 储能/滤波/高效供电/抗电磁干扰/稳定性能 应用电路 电源管理系统，DC/DC变换器，汽车操作系统，电机控制系统，充电系统，各种控制单元 电源管理模块，图形处理 GPU电路，音频处理电路，CPU相关电路，高速数据传输电路 电源管理模块，信号传输与处理电路 充电盒电路，耳机电路 P/N L0(μH) @(0A)1MHz Rdc(mΩ) Heatratingcurrent Irms(A) Saturationcurrent Isat(A) Typical Max Typical Max Typical Max TSMI252012P-R33MT 0.33 11 17 6.8 6.4 8.3 7.8 TSMI252012PMX-R33MT 0.33 10 12 9.0 8.5 9.0 8.5 TSMI252012P-R47MT 0.47 13 19 6.5 6.0 7.5 7.0 TSMI252012PMX-R47MT 0.47 11 13 8.0 7.5 8.5 8.0 TSMI252012P-R68MT 0.68 17 23 6.3 5.5 6.5 6.0 TSMI252012PMX-R68MT 0.68 15 18 7.5 7.0 6.7 6.0 TSMI252012P-R82MT 0.82 19 24 5.8 5.3 6.5 5.8 TSMI252012PMX-R82MT 0.82 19 23 6.3 5.8 6.5 5.8 TSMI252012P-1ROMT 1.0 35 42 4.0 3.6 5.6 5.0 TSMI252012PMX-1ROMT 1.0 16 22 6.1 5.6 6.5 6.0 TSMI252012P-1R2MT 1.2 40 45 3.8 3.4 4.5 4.1 TSMI252012PMX-1R2MT 1.2 29 35 5.7 5.2 5.3 4.8 TSMI252012P-1R5MT 1.5 44 50 3.7 3.2 4.5 4.1 TSMI252012PMX-1R5MT 1.5 27 32 4.6 4.2 4.7 4.4 TSMI252012P-2R2MT 2.2 55 65 3.0 2.7 3.8 3.3 TSMI252012P-3R3MT 3.3 80 97 2.3 1.8 3.0 2.7 TSMI252012P-4R7MT 4.7 150 170 1.8 1.5 2.4 2.1 TSMI252012P-6R8MT 6.8 245 270 1.6 1.4 2.0 1.7 TSMI252012P-100MT 10.0 330 400 1.2 1.05 1.6 1.45 TSMI252012P-150MT 15.0 500 565 1.4 1.3 1.4 1.3 TSMI252012P-220MT 22.0 740 800 1.2 1.1 1.1 1.0