编辑： LL 3N60-ASEMI 电源与逆变器专用 3N60 型号： 3 N60 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 最大漏源电流： 3A 漏源击穿电压 ： 600V 批号：最新 RDS （ ON ） Max ： 3.60 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管 封装尺寸：如图 特性： MOS 管、 N 沟道 MOS 管 工作结温 ： - 55 ℃~1 50 ℃ 高耐压与强可靠性 3N60系列MOS管采用先进平面技术，漏极-源极电压（VDS）高达650V，栅极-源极电压（VGS）范围±30V，可应对高压环境下的严苛需求。其优异的击穿电压和雪崩特性，保障了设备在过载或瞬时高压下的稳定运行。 低导通损耗与高效能 该系列产品在 VGS=10V时，导通电阻（RDS(ON)）最低可达2560mΩ，显著降低功率损耗，提升系统能效。部分型号通过优化设计进一步降低栅极电荷（典型值10nC），加快开关速度，适用于高频应用。 多样化封装适配多场景 提供 TO-220F、TO-252、TO-251等多种封装形式，满足不同散热和空间需求，尤其适合紧凑型设计。TO-220F封装凭借卓越的散热性能，成为工业级设备的理想选择 典型应用场景 电源与逆变器 在开关电源和 DC-DC转换器中，3N60系列凭借快速响应和低损耗特性，提升电能转换效率，适用于工业电源及消费电子产品。 智能照明系统 用于 LED驱动器的高压控制模块，确保照明系统在宽电压范围内稳定运行，延长灯具寿命。 电机与工业控制 支持 PWM调速和桥式电路设计，广泛应用于电机驱动、自动化设备及电动汽车的功率管理模块。 消费电子与通信 在智能手机、射频放大器等高频设备中，提供低功耗、高信号保真度的解决方案 。
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