原创 3N60-ASEMI电源与逆变器专用3N60

编辑：LL

3N60-ASEMI电源与逆变器专用3N60

型号：3N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：3A

漏源击穿电压：600V

批号：最新

RDS（ON）Max：3.60Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

封装尺寸：如图

特性：MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

‌高耐压与强可靠性‌
3N60系列MOS管采用先进平面技术，漏极-源极电压（VDS）高达650V，栅极-源极电压（VGS）范围±30V，可应对高压环境下的严苛需求‌。其优异的击穿电压和雪崩特性，保障了设备在过载或瞬时高压下的稳定运行‌。

‌低导通损耗与高效能‌
该系列产品在VGS=10V时，导通电阻（RDS(ON)）最低可达2560mΩ，显著降低功率损耗，提升系统能效‌。部分型号通过优化设计进一步降低栅极电荷（典型值10nC），加快开关速度，适用于高频应用‌。

‌多样化封装适配多场景‌
提供TO-220F、TO-252、TO-251等多种封装形式，满足不同散热和空间需求，尤其适合紧凑型设计‌。TO-220F封装凭借卓越的散热性能，成为工业级设备的理想选择‌

典型应用场景

‌电源与逆变器‌
在开关电源和DC-DC转换器中，3N60系列凭借快速响应和低损耗特性，提升电能转换效率，适用于工业电源及消费电子产品‌。

‌智能照明系统‌
用于LED驱动器的高压控制模块，确保照明系统在宽电压范围内稳定运行，延长灯具寿命‌。

‌电机与工业控制‌
支持PWM调速和桥式电路设计，广泛应用于电机驱动、自动化设备及电动汽车的功率管理模块‌。

‌消费电子与通信‌

在智能手机、射频放大器等高频设备中，提供低功耗、高信号保真度的解决方案‌。