编辑： LL 5N60-ASEMI 电源 AI 器件专用 5N60 型号： 5 N60 品牌： ASEMI 封装： TO-220F 最大漏源电流： 5A 漏源击穿电压 ： 600V 批号：最新 RDS （ ON ） Max ： 2.20 Ω 引脚数量： 3 沟道类型： N 沟道 MOS 管 封装尺寸：如图 特性： MOS 管、 N 沟道 MOS 管 工作结温 ： - 55 ℃~1 50 ℃ 5N60 系列 MOS 管作为 N 沟道增强型高压功率器件，凭借 600V 耐压 与 5A 连续漏极电流 的核心参数，成为工业电源、消费电子等领域的优选元件 。其采用 TO-220/TO-220F 封装 ，兼容性强且散热性能优异 ，同时具备以下特性： 低导通电阻 ：典型值低至 1.8Ω （ @VGS=10V ），显著降低导通损耗，提升系统能效 ； 快速开关性能 ：低电荷量与反向传输电容设计，支持高频开关场景（如 DC-DC 转换器） ； 宽温度适应性 ：最高结温达 150℃ ，适应复杂工况环境 。 二、典型应用场景 5N60 MOS 管凭借高耐压与低损耗特性，广泛应用于： 电源管理系统 开关电源（SMPS ）、 AC/DC 适配器中的主控开关元件，保障高效电能转换 ； DC-DC 转换器（升降压拓扑），适用于手机、数码相机等便携设备电源模块 。 工业控制与驱动 电机驱动电路（如直流电机、无刷电机），实现精准控制与高能效输出 ； 工业自动化设备的功率开关模块，支持高压脉冲与快速响应需求 。 新能源与家电领域 太阳能逆变器、LED 驱动电源中的高压开关单元，提升系统稳定性 ； 空调、洗衣机等家电的逆变器模块，优化设备能效与使用寿命 。
标签: 5N60
