原创 5N60-ASEMI电源AI器件专用5N60

编辑：LL

5N60-ASEMI电源AI器件专用5N60

型号：5N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：5A

漏源击穿电压：600V

批号：最新

RDS（ON）Max：2.20Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

封装尺寸：如图

特性：MOS管、N沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

5N60系列MOS管作为N沟道增强型高压功率器件，凭借‌600V耐压‌与‌5A连续漏极电流‌的核心参数，成为工业电源、消费电子等领域的优选元件‌。其采用‌TO-220/TO-220F封装‌，兼容性强且散热性能优异‌，同时具备以下特性：

‌低导通电阻‌：典型值低至1.8Ω（@VGS=10V），显著降低导通损耗，提升系统能效‌；

‌快速开关性能‌：低电荷量与反向传输电容设计，支持高频开关场景（如DC-DC转换器）‌；

‌宽温度适应性‌：最高结温达150℃，适应复杂工况环境‌。

二、典型应用场景

5N60 MOS管凭借高耐压与低损耗特性，广泛应用于：

‌电源管理系统‌

开关电源（SMPS）、AC/DC适配器中的主控开关元件，保障高效电能转换‌；

DC-DC转换器（升降压拓扑），适用于手机、数码相机等便携设备电源模块‌。

‌工业控制与驱动‌

电机驱动电路（如直流电机、无刷电机），实现精准控制与高能效输出‌；

工业自动化设备的功率开关模块，支持高压脉冲与快速响应需求‌。

‌新能源与家电领域‌

太阳能逆变器、LED驱动电源中的高压开关单元，提升系统稳定性‌；

空调、洗衣机等家电的逆变器模块，优化设备能效与使用寿命。