tag 标签: 高频

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  • 热度 10
    2020-4-10 14:33
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    USB4™技术解读(五):连接器高频测试对比与认证要点
    欢迎大家继续关注百佳泰测试实验室,在上一次的技术解读中,我们讲解了“ USB4 ™ Hubs/Docks 测试项目 ”,“ USB4 ™ Hosts 测试项目 ”,“ USB4 ™ 外围设备测试项目 ”,“ USB4 ™ 测试产品类型及隧道(Tunneling)支持规范总结 ” ,“ USB4 ™ 测试项目总览(芯片&成品) ” 。 接下来这一章节介绍如下: 第五章节知识点概况 USB4 ™ 连接器认证注意事项 USB4 ™ 连接器认证流程(暂定) 图面审查重点 针对USB Type-C ® 连接器的高频SI测试项目比较 (USB 3.2 Gen2 vs. USB4Gen3) 第五章节知识讲解 USB4 ™ 连接器认证注意事项 - 提高 认证测试时的 技术及数量门槛 -不接受样品线的Golden Samples, 必须是量产品 进行认证 - 加强 并确保 量产的稳定性 USB4 ™ 连接器认证流程(暂定) 图面审查重点 -工程图纸都需要有公司名 /品名/明确料号PN/版本别Rev -连接器图纸需要相应尺寸标示,上视图,侧视图,剖面图,电镀及材质说明, PCB layout等 针对USB Type-C ® 连接器的高频SI测试项目比较 (USB 3.2 Gen2 vs. USB4Gen3) 号外: 随着USB Type-C的推出,USB-IF将在2021年2月28日之后不再接受USB 3.x Micro-B和Micro-AB连接器的认证。 在2021年2月28日之后,相关应用USB 3.x Micro-B和Micro-AB连接器的产品将不再开放认证。 End of life for USB 3.x Micro-B Products and Connectors Certifications Mandate: Required Effective Date: February 2021 With the introduction of Type-C ® , the USB-IF will end all USB 3.x Micro-B and Micro-AB connector certifications after February 28th, 2021. All products implementing USB 3.x Micro-B and Micro-AB connectors will no longer be eligible for certification after February28th, 2021. 版权申明:如需转载请注明出处。 USB、USB-C ® 、USB Type-C ® 和USB-IF是USB Implementers Forum的注册商标。 免责声明 本资讯仅为便于参考使用,非USB Implementers Forum (USB-IF)之正式通讯。USB-IF之正式通讯可于网站usb.org取得。
  • 热度 2
    2019-8-15 11:23
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    随着科技的日新月异,高速影音数据传输的需求也不断进化,例如HDMI的规范从 HDMI 2.0 发展到 HDMI 2.1 ,传输速率由6.0 Gbps 直接发展至 12 Gbps,让影像传输的效率更上一层楼;又如目前 USB 3.2 Gen 2的最大传输速度为10 Gbps,但为了让速度快上加快,USB-IF 协会即将在全新的USB 4 让传输速度跃升至20 Gbps,等同于 Thunderbolt3 的传输速度。 然而,当用户在追求绝佳传输质量与实时性的那一刻,线材的稳定性和优劣必然会直接影响到使用者体验;举例来说,当使用者将未认证的线缆插上设备后,常会发生装置无反应的情况。 高频测试常见五大问题 百佳泰为多家国际连接器协会所认证的实验室,可为客户执行验证测试,提供测试所需要的相关高频治具设计。从2016年开始可针对标准或是特殊规格的连接器提供高频量测试治具设计的客制化服务,我们累积了多达百件以上的High Frequency治具设计案量及经验,并找出以下在高频测试时最常发生的五大问题: 一. 阻抗不匹配(Impedance NOT Matching) 阻抗匹配(Impedance matching)是指为了使信号功率能从信号源(source)到负载(load)得到最有效的传递,让信号在传递过程中尽可能不发生反射现象。 Issue : 阻抗不匹配若发生时,会形成反射、能量无法传递,不仅降低效率还会产生震荡、辐射、干扰等不良影响。 二. 串音干扰(Crosstalk) 两条信号线之间的耦合干扰现象,可分为近端及远程干扰。 Issue : 串音干扰发生时,会影响信号完整性。 三. 频域的衰减(Attenuation) 高频信号由A传递至B,于传输过程中产生的信号损失以及各种损耗成分的总和。 Issue : 频域的衰减发生时,会造成信号传导不良,降低效率等不良影响。 四.反射损失(Return Loss) 高频信号由A传递至B,于传输过程中产生的信号损失以及各种损耗成分的总和。 Issue : 频域的衰减发生时,会造成信号传导不良,降低效率等不良影响。 五.衰减串音比ACR (Attenuation to Crosstalk Ratio) 远程串音与衰减的差值。 Issue : 当ACR发生时,即代表Crosstalk与Insertion Loss可能也有相应的问题发生,造成信号完整性可能有所影响及讯号效率降低的不良情况产生。 针对五大问题百佳泰可提供相对应的解决方案 百佳泰高频治具应用于实际案例 我们以测试验证和实际上遇到的案例提供客制化高频治具解决方案,可逐一对应,让您的产品无论从开发初期到上市都能保有良好的质量。以下为百佳泰在高频治具设计上所搜集的一些案例: Example 1 : 待测物 pin脚与治具板连接处,接触面所造成的阻抗不匹配(Impedance not matching): 解决方案 : 减少待测物 pin脚与治具板连接处,因电容效应过大而造成阻抗偏低的影响。 Example 2:客户连接器加工方式所造成的Insertion Loss影响 解决方案 : 改善加工方式,减少Insertion Loss。 Example 3: 同一平面,相邻太近的Trace,造成Crosstalk的现象 解决方案 : 相邻的Differential pair采不同层面的走线方式,减少信号太近造成的串音干扰。同时利用贯穿孔(via),缩短信号的Return Path。 Example 4:HDMI ACR Test Failed 解决方案 : 由于ACR是测试远程串音与衰减的差异值,藉由减少Crosstalk & Insertion Loss来让ACR test更容易通过。
  • 热度 20
    2014-1-6 11:34
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        从电容的充放电特性曲线理解电容的阻低频通高频特性 电容为什么具有阻低频通高频的能力,RC 高通滤波器和 RC 低通滤波器的工作原理是什么。 很多书都会从电容的容抗进行讲解,Xc = 1/(2πfC) ,信号频率越高,电容容抗越小,电容两端电压就越小,信号频率越低,电容容抗越大,电容两端电压就越大。比如图 1 所示的 RC 低通滤波器电路,这个电路可以看做一个分压电路,输出电压为电容上的分压。   图1  RC 低通滤波器 电容 C 的容抗与输入信号的频率有关。当输入信号频率高时,电容 C 的容抗小,电容 C 分到的电压也就很小,输出信号 Vout 幅度很小,相当于 Vin 被衰减了,输出信号的幅度被减小了。当输入信号频率低时,电容 C 的容抗很大,电容 C 分到的电压也就大,输出信号 Vout 大,输入信号 Vin 相当于没有被衰减,信号顺利通过。 这样可以解释电容的阻低频通高频特性,但是这是从数学上去解释的。电容的容抗是什么,为什么它会跟信号的频率有关, 式子 Xc = 1/(2πfC) 又是怎么来的。上面的解释是通过数学式子去理解电容的阻低频通高频特性,没什么问题,但总感觉缺点什么。 下面讲述一种以更贴近电容本质,从感性上认识和理解电容阻低频通高频特性的方法。 我想从电容的充放电曲线来理解电容阻低频通高频的特性,因为电容的充放电曲线是实际测量出来的,非常地直观。图 2 和图 3 是典型的电容充放电曲线。            图2 电容充电曲线                          图3 电容放电曲线 对于图 1 的 RC 电路(为了问题简化,忽略时间常数),当输入信号的周期远大于电容的充放电时间(即低频信号),电容有足够的时间进行充电和放电(电容两端的电压可以充到与输入信号 Vin 的电压相等,放电时也可以完全放完,电容两端的电压为零)。输入信号 Vin 输出信号 Vout 变化曲线如图 4 所示。   图4 低频信号输入与输出变化曲线 从图中可以看出,输出信号的幅度并没有衰减,信号从输入端被完整地传输到了输出端。 而当输入信号的周期远小于电容的充放电时间时(即高频信号),电容没有足够的时间进行充放电,只是在输入信号的高电平期间刚刚充了一点点电,输入信号就跳变为低电平,此时电容就要开始放电。这种情况下,输入信号与输出信号如图 6 所示。   图6 高频信号输入与输出变化曲线 从图中可以看出,输出信号相比于输入信号,信号幅度有了大幅度地衰减,说的严重点,信号被衰减没了。 补充:文中是通过一个 RC 低通滤波器作为例子来考虑的,文中所说的阻低频通高频可以看做高频信号通过电容进入地,而低频信号则不能进入地。这样应该不会有误解了。:) 下接: 电容阻低频通高频续  
  • 热度 10
    2014-1-2 15:54
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      电容阻低频通高频续          上一篇博客中谈到 RC低通滤波器对高频信号的衰减,并配了一张图对其解释。有网友提出这张图是错的,后来我深入地思考了这个问题,配图确实有误,这里先谢谢各位网友 :)。           上一篇博客链接  http://forum.eet-cn.com/BLOG_ARTICLE_19007.HTM     上一篇博客中的配图如图 1,这是 RC 低通滤波器对高频信号衰减的图。   图1 RC 滤波器对高频信号衰减     这个问题是我没有去深入地理解电容的充放电曲线造成的。当时我想当然地认为电容的充放电都是按照曲线最开始的那一段进行充放电的,而忽略了电容本身已经充了一定电的情况。真实情况是,电容的充电和放电刚开始并不是对称的。电容的充电曲线应该是图 2 中的红色线之间的部分往逐渐右移,曲线的斜率越来越小(也就是充电速度变得更慢),直至达到一个平衡状态。   图2 电容充电曲线    而放电曲线是图 3 中的红线部分逐渐往左移,曲线斜率的绝对值越来越大(也就是电容放电速度加快了),直至达到一个平衡状态。   图3 电容放电曲线     最终,电容充电和放电的速率将趋于平衡。RC 低通滤波器电容上的电压,在高频信号刚加进来到一段时间后稳定下来的过程如图 4 所示。   图4 电容充放电稳定过程     刚开始充电快,放电慢,后来充电速度逐渐变慢而放电速度逐渐变快,最终达到平衡!     由于当时想着把“RC 低通滤波器对高频信号的衰减”这一机理讲明白,就按照“充一点点电,放一点点电”的思路画了一张草图进行讲解。     上一篇博客中犯的错值得我反思。我当时画那张图是为了解释“RC 低通滤波器对高频信号的衰减”,而那张图确实把这件事说清楚了,省下了很多的文字描述,让人一目了然。但是却没有去思考这张图带来了哪些不好的地方,我根本就没有去思考这张图的正确性,这会给阅读那篇博客的人以误导,我自己也会把错误当成正确。幸好有网友及时发现并指出错误和改进意见。     今后无论是在做设计还是生活中,引入一个东西,它解决了关注的矛盾点,但是千万不能为此昏了头,还需要思考引入的这个东西带来了哪些不好的地方!
  • 热度 7
    2013-1-25 08:29
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    12 个评论
    让我们首先来看一下阻抗值同为600ohm@100MHz但尺寸大小不同的磁珠在不同偏置电流电流和工作频率下的特性。 Part Number / Size (All 600 Ohm chip beads) Z (Ohms) Z (Ohms) Z (Ohms) @ 100 MHz @ 500 MHz @ 1 GHz Zero Bias 100 mA Zero Bias 100 mA Zero Bias 100 mA 1206C601R 1206 size 600 550 220 220 105 120 0805E601R 0805 size 600 380 304 250 151 120 0603C601R 0603 size 600 300 330 420 171 200 0402A601R 0402 size 600 175 644 600 399 500 上面是四个不同大小的磁珠分别工作在0A,100mA偏置电流及在100MHz,500MHz和1GHz工作频率下的阻抗值。 从上表的测试数据中可以看出,1206尺寸的磁珠在低频100MHz工作时,其阻抗值仅从0A下的600ohm减小到100mA偏置电流下的550ohm,而0402尺寸的磁珠阻抗值却从0A下的600ohm大幅减小为175ohm。 由此看来,在低频大偏置电流应用的情况下,应该选择大尺寸的磁珠,其阻抗特性会更好一些。 让我们来看一下磁珠在高频工作时的情形。 1206尺寸的磁珠其1GHz下的阻抗从100MHz下的600ohm大幅减小为105ohm,而0402尺寸的磁珠其1GHz下的阻抗则只由100MHz下的600ohm小幅减小为399ohm。 这也就是说,在低频大偏置电流的情况下,我们应该选择较大尺寸的磁珠,而在高频应用中,我们应该尽量选择小尺寸的磁珠。 至于为什么大小磁珠会表现为如此特性,希望看了前面磁珠特性的读者会自己找到答案。 如需转载,请注明出处,多谢! EMC磁珠到底是什么特性?(1) EMC磁珠到底是什么特性?(2) EMC磁珠到底是什么特性?(3) EMC磁珠到底是什么特性?(4) EMC磁珠到底是什么特性?(5) EMC磁珠到底是什么特性?(6)终结篇
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