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    2015-3-11 17:46
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    铁电存储器(FRAM)产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度,像工业标准的串行和并行接口,工业标准的封装类型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。 FRAM 提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性。 FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点,它是全新创造的产品,一个非易失性随机存取储存器。 这些令人振奋的发展使FRAM在人们日常生活的各个领域找到了应用的途径。从办公复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设备, FRAM 使一系列产品的性能得到改进并在全世界范围内得到广泛的应用。 很多用过铁电的人都知道,一直以来Ramtron公司就是铁电的代名词,作为未来存储发展趋势的铁电,只有Ramtron一家对存储这个市场来说是不健康的,没有竞争的市场是不利于技术的发展,日本富士通公司致力于铁电存储器的技术研发和生产,此举打破了Ramtron在铁电领域一家独大的历史,对市场来说是十分利好的消息!! 目前富士通的铁电存储器已经正式批量生产,并且都有相对应的型号与Ramtron替换,价格很有竞争力,从富士通代理商上海本宏电子科技有限公司可以申请免费样品以便测试!! 目前富士通开始销售的FRAM型号如下: MB85RC64:   64Kb, 2.7~3.6V, I 2 C 接口 , 直接替换 FM*4CL64                MB85RC128:   128Kb, 2.7~3.6V, I 2 C 接口 , Ramtron 没有 128Kb 的 MB85RS256:  256Kb, 2.7~3.6V, SPI 接口 , 直接与 FM*5CL256 替换       MB85R256H:  256Kb, 2.7~3.6V, 并行 接口 , 直接与 FM18L08 替换     MB85R1001 : 1Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口 , 128k x 8, 可替换 FM*0L08 MB85R1002 : 1Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口 , 64k x 16 MB85R2001 : 2Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口, 256k x 8, 可替换 FM*1L16 MB85R2002 : 2Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口, 128k x 16 以上来自:上海本宏电子科技有限公司  周本亮(销售工程师;直线:021-54997750;138 1722 1825,Email:zhoubenliang@hobos.com.cn; QQ:539570524)
  • 热度 2
    2012-11-5 15:13
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      众所周知,铁电非易失性随机存取存储器(FRAM)是一种高性能、低功耗的非易失性存储器,结合了传统非易失性存储器(闪存和E2PROM)和高速RAM(SRAM和DRAM)的优点。因此,可以说FRAM代表了新一代通用存储器。FRAM产片应用颇广,作为存储器中神奇的一笔,不得不说,FRAM系列产品非常受应用方案的欢迎。   FRAM 的工作原理是什么 ? FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时,晶体中心原子在电场的作用下运动,并达到一种稳定状态;当电场从晶体移走后,中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶,中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置,因此FRAM保持数据不需要电压,也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性,与电磁作用无关,所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件(诸如磁场因素)的影响,能够同普通ROM存储器一样使用,具有非易失性的存储特性。另外,FRAM的特点是速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低,不存在E2PROM的最大写入次数的问题;闪存和E2PROM的读/写周期的最大次数是在5000和10万次之间。FRAM超过10000亿次的读/写周期相当于每隔1秒读/写一次存储单元,寿命可达30000年之久。所以FRAM存储器的寿命基本上是无限的。 但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制。FRAM还提供了2-3位数纳秒范围的读写存取时间,使得它的性能可与标准RAM媲美。因此,FRAM结合了非易失性存储器和高性能RAM的优势。 但是,什么事儿都是寸长尺短。SRAM/DRAM具有快速无限的读/写次数,但是没有非易失性,其非易失性需要电源;闪存/E2PROM具有非易失性,访问ROM却很慢;FRAM却结合了闪存/E2PROM和SRAM/DRAM的优点。 当然, FRAM产品集中运用在计量、工业自动化控制、数据记录等方面。说起能够在市场上占有大量需求的关键因素不外乎:不需要电压即可保持数据、资料撷取、高速写入以及高耐用性等。 生产FRAM的厂商很多,技术领先的主要是富士通,Ramtron,富士通算是FRAM的鼻祖了,具有十几年的开发经验;FRAM既有快速无限的读/写次数,又有非易失性。细数起来,FRAM的优势包括五个方面:非易失性、安全性、可靠性、高速和低功耗。具体讲,FRAM可以覆盖(无需擦除),写周期与读周期相等,具有防篡改功能。FRAM写入的数据不能通过物理分析被盗用,没有备用电池要求,是一种环保的存储器。近些日子,富士通推出了一款新产品MB85RC256V,对于2.7V-5.5V这个工作电压范围来说,这一款产品的加入,直接添补了富士通宽电影FRAM产品的空缺。     图片:MB85RC256V芯片图   顺带提一下 MB85RC256V 的参数吧。 256Kb存储容量,32kx 8位结构,10 12 次的读写次数,+85度左右数据保存10年(+85°C),2.7V-5.5V工作电压范围,串行外设接口-I2C(4.5V-5.5V,工作频率达1MHz;2.7V-4.5V,工作频率达400KHz),温度及封装配置(-40°C至 +85°C的工业温度范围,支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm两种尺寸的SOP-8封装) 当然,FRAM产品肯定是结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM快速存储的优势,具有几乎无限次的读写次数、高速读写和低功耗等特点,不过,作为富士通来说,它的独立FRAM器件不仅丰富,它的FRAM产品线更有着自己的特色,多接口和多种容量的产品库,带标准内存引脚配置且兼容标准E 2 PROM器件,包含工业标准的串行和并行接口,确实给工程师提供了一定意义的便捷。接下来,我们来看下富士通最新的FRAM产品列表:       富士通各条战线上已经开始加紧完善,这次的256K容量FRAM产品的面世再好不过的证实了富士通会不断填充FRAM产品的誓言,当然,市场需要才是王道! 曾经,FRAM一般被认为是异步SRAM的取代品。在需要FRAM存储器的高性能应用领域方面,FRAM也可替代一部分EEPROM和FLASH器件。设计人员可能会在以往使用EEPROM和FLASH器件的场合选用FRAM。在许多情况下,利用FRAM特性可能改进客户的最终产品。而现在,这句话却可以去掉可能,真正的大声说出来。 随着FRAM产品应用的不断扩散,当下十分火热的汽车电子、金融POS、医疗电子都对这个特别的存储器有着特别的青睐,不知道几大厂商有没有做好迎接最新一波产品变革的准备,当然,根据很多工程师的反馈,价格也一定要在考虑范围哦!  
  • 热度 1
    2010-3-5 16:06
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    富士通在正于美国举行的ISSCC 2006上发表了配备FRAM的无源型UHF频带无线标签系统的技术详情(演讲序号:17.2)。虽然FRAM已经应用于使用13.56MHz频带的无线标签中,但UHF频带还存在若干问题没有解决。此次通过采用面向无线标签的新技术解决了这些问题,比如采用“电流检测”方式、通过电流值来读取信号。 通过电流检测确保直线性   与作为非挥发性内存广泛使用的EEPROM相比,FRAM的特点是:数据写入时的电压低、写入速度快。因此利用13.56频带的无线标签大多使用FRAM。 据富士通称,目前“已经供货3亿个FRAM”。 不过,要在通信距离大大延长的UHF无线标签上使用FRAM,就需要解决几个问题。分别是(1)过近距离的通信不畅;(2)如果用CMOS技术加工标签中的整流电路的话,转换效率就会过低、无法确保足够的通信距离。   (1)的原因是使用FRAM的无线标签用的IC的耐压低。耐压低的话,为防止标签接收到较大电信号,就需要保护电路。这样,就很难保证相对于接收电信号的电源电压的直线性和动态范围(图1)。一般情况下,电子电路中传送的“0”、“1”的信息都通过“电压检测”这一基于电压高低的方式来识别。当无线标签的接收电压太大时,也就是说通信距离太小时,相对于电力的变化幅度而言,电压的变化幅度也非常之小,从而导致信号无法识别。 图1:电压的直线性较低,难以进行近距离通信。 图2:电压保持一定,以电流强弱来检测信号。    对于这一问题,富士通的解决办法是:强化保护电路、保持电源电压几乎不变,然后通过信号识别来检测电流(图2)。电流检测就是电流的强弱分别代表“0”和“1”,以此来交换信息。“在无线标签上采用目前世界上尚无先例”(富士通)。如果电压保持一定的话,电流对电力的变化就会表现出较好的直线性和较大的动态范围。   这样做的优点是:不仅近距离通信容易实现,而且通信时的振幅调制中,振幅的高低差也可以控制在较小的范围。如果振幅高低差比较小的话,在数据传输速度一样的情况下,电波所占的频带宽度就会小一些。 通过CMOS实现低阀值整流电路    (2)中的CMOS技术引起的整流电路效率低的问题,富士通在2005年2月ISSCC上东芝发表的“阀值消除”技术的基础上加以解决。无线标签用IC的整流电路的作用是:不浪费接收电波的电力,并使用于从无线标签到读写器的信号传输。因此,如果整流电路的转换效率降低的话,无线标签的通信距离也将缩短。   此次富士通将本来面向有源无线标签开发的阀值消除技术用到了没有电源的无源无线标签上。为了实现很小的电力也能工作,开发出了将寄生容量等减至最小的电路结构。“东芝只使用了nMOS二极管,而我们还使用了pMOS”(富士通系统LSI开发研究所泛在研究中心主任研究员桝井升一)。   这样,在保持低阀值的同时,使用0.35μm规格的CMOS技术加工出了整流电路。整流电路的转换效率方面,4m距离通信时高达36.6%。此次试制的无线标签在写入时,通信距离可达4.3m。“使CMOS技术的使用成为可能,而且制造成本也大大降低了”(桝井升一)。   原来的UHF无线标签方面,高于阀值过高而无法在整流电路中使用CMOS技术,一直采用的是使用肖特基二极管的电荷泵。但基于该技术的整流电路的转换效率太低,只有10%左右,而且由于电路形成方面需要使用特殊工艺技术,所以在微细化以及制造成本降低方面均存在问题。在2005年的ISSCC上,东芝曾宣布开发成功了使用nMOS二极管代替肖特基二极管的整流电路、转换效率达到16.6%。
  • 热度 2
    2010-3-3 10:34
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    FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势,具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。我们的F-RAM产品线具有多种接口和容量,包括工业标准的串行和并行接口;工业标准的封装类型;64Kb、128Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb, 8Mb存储容量 所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点,使其不同于其他非易失性存储技术: 快速写入 F-RAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言,F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有任何延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比,F-RAM的写入速度只为几十纳秒,在汽车安全系统应用中必不可少。 高耐久性 F-RAM提供几乎无限次写入的耐久性,这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言,存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入,不适合应用于高耐久性的应用。 低功耗 F-RAM操作无需(高压)充电激励,因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持,而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压:5V,3V或通过提高工艺使电压更低。
  • 热度 3
    2010-3-3 10:33
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    富士通公司继成功量产64Kb 铁电存储器后,最近又成功量产全球第一颗128Kb的铁电存储器,这给全球众多的铁电存储器用户带来了方便,之前Ramtron公司主要提供64Kb和256Kb的FRAM, 富士通此举有力地推动了铁电存储器FRAM的技术进步和发展!最终受益的是全球的用户!! 技术问题或样品需求可以随时联系我们:13816339719; 021-54383567.或者登录www.hobos.com.cn。
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    基于FRAM的海水深度记录仪基于FRAM的海水深度记录仪作者:国家海洋技术中心门雅彬武东生李冠宇李永军时间:2007-12-05来源:电子产品世界摘要:设计了一种以铁电存储器FM20L08为非易失性存储器,C8051F020为数据采集核心的海水深度自动测量仪。关键词:海水深度测量;FM20L08;C8051F020引言海洋的深度是海洋水体的一个重要参数。知道海洋的深度,就可防止海面航行的船只搁浅、触礁。潜艇在海底活动时,测量海洋深度可利用海底地形作屏障以避免被搜索,可使对方的讯号接收仪器收不到潜艇发出的噪音。在笔者所做的一个课题中,直升飞机从空中投掷测量仪器到海表面,仪器从海表面下沉至海底后,自动上浮至海水表面。该项目要求研制一个海水深度记录仪,记录上述过程中测量仪器在海水中的深度变化。测量仪器自动上浮至海面后,打捞并回放测量数据。深度数据要求每秒采样100次,具有非易失性。测量数据通过串口向PC机回放。测量的基本原理如下式所示:P=rgh+P0(1)其中P是指仪器所受到的绝对压力,r是指海水密度(常数),g是指当地的重力加速度(常数),h是指仪器下降的深度,P0是指当时的大气压力(短时间认为恒定)。所以,只要测出仪器受到的压力,根据式(1)就很容易计算出仪器下降的深度。仪器在海水中的位置越深,受到的压力越大。系统硬件设计根据系统设计要求,海水的深度数据采集频率要求至少100Hz,连续采集时间为5分钟以上。以分辨率为12位的ADC……
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