原创 富士通公司铁电存储器的技术优势

FRAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。我们的F-RAM产品线具有多种接口和容量，包括工业标准的串行和并行接口；工业标准的封装类型；64Kb、128Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb, 8Mb存储容量

所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点，使其不同于其他非易失性存储技术：
快速写入
F-RAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言，F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有任何延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比，F-RAM的写入速度只为几十纳秒，在汽车安全系统应用中必不可少。

高耐久性
F-RAM提供几乎无限次写入的耐久性，这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言，存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入，不适合应用于高耐久性的应用。

低功耗
F-RAM操作无需(高压)充电激励，因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持，而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压：5V，3V或通过提高工艺使电压更低。