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先看看为什么现在高效能的步进电机驱动芯片受到关注： 发热：这样系统需要加额外的风扇来排热，以及需要更大的散热片。体积更大。 震动：终端客户对噪声要求更高，以及尺寸的要求，需要紧凑。 根据以往的经验，减少发热有三个途径： 1、DMOS，内部MOS的RON更小，发热更小。 2、电流自适应，空载时候半流，或者闭环检测负载，自动调节电流。 3、优化PWM斩波，以及斩波频率，降低MOS开关损耗。 下面看LV8702V怎么解决这样的问题：   嵌入两相PWM电流控制电路 Ron=0.3+0.25，减少发热。 细分模式，这个大部分芯片细分都比这个高，没优势 脉冲控制，短路保护 无需控制电源，内部5V调整管 嵌入高效驱动功能 嵌入步进输出检测功能 BICDMOS，最大2.5A,嵌入过热保护 典型应用在：打印机，复印机，扫描仪，工业控制，娱乐设备，纺织。 另外几个重要的参数和功能值得关注： 电压电流：36V，2.5A VREF电流设置电压：最大3V Ron=0.3+0.25 斩波频率，50KHZ推荐 充电泵输出：28.7V 时钟125K   输入功能描述 芯片使能：待机模式和工作模式，内部调整管无输出，充电泵停止工作，所有的逻辑复位。当ST为悬空或者低电平的时候，将工作为待机模式。 脉冲输入：同样为上升沿触发步进，这里要注意的是，输入的最小脉宽是12.5us，但是在恒流控制的时候，斩波频率入股太慢，则可能在一个步进阶梯内没有一次斩波。 输入的时序，这个时间规定，设置的值必须保持一定的时间长度，具体看手册。 位置检测，开漏输出，在初始化位置时输出ON状态。 参考电流设置：VREF/5分压后输出，公式为Iout=VREF/5/RF。如果电流不需要控制，直接在饱和条件下，可以直接设置VREF=5V，否认需要VREF在推荐范围之类，同时，采样电阻的功率为PD=I2RF，设计的时候需要考虑采样电阻的功率。 复位：复位会丢失位置，为高时复位，为低时在下一个上升沿在初始化位置继续步进。 输出使能：这个允许脱机，输出为高阻，但是逻辑电路还在工作，步进继续在进行，只是功率电路没工作。 方向：这个功能都一样，没什么不同。 斩波频率设置：Fchop = Ichop/(Cchop × Vtchop × 2) (Hz)  比如200pf对应50KHZ,这个频率的设置，过大，则开关损耗变大，发热大，如果设置太小，则电流纹波大，噪声大，可以在40KHZ到125KHZ的范围设置。 空白时间周期：这个在很多芯片中没有说明，本芯片固定为1us，避免在衰减到充电过程中，开关产生的噪声误操作。 输出电流向量，这个处理很简单，4级向量分别为38%，70%，92%，100%。这里注意，有两个2细分模式，一个是第一梯为70%，第二梯为100%，而满力矩情况，直接到100%，100%。 细分切换：细分可以在工作的时候进行切换，各种不同的细分切换表格在手册中可以找到。 各种细分下的电流波形，可以根据电流向量表推导出来，具体看手册。 电流控制操作说明（PWM斩波）         这个是电机运行效果的核心部分，电流增加的波形如下：           三个过程，充电，慢衰减，快衰减。在电流下降的过程中直接跳过慢衰减，充电后，然后立刻进行快衰减。         这里有几个重要参数，充电时间好说，慢衰减和快衰减的时间比重呢？         电流比较后，如果绕组电流小于参考电流，则充电到超过参考电流，然后进行慢衰减，最后1us进行快衰减。如果是下降的过程中，强制充电完成，发现绕组电流还比参考电流大，则立刻还是快衰减过程。 高效率驱动功能，这个是芯片的特色，看如何实现：当高效能功能打开，Iout自动在设置的电流范围内调整，当高效能模式关闭的时候，电流输出最大值为Vref设置的值。当没有带负载的情况下，这种高效能模式不稳定，建议关闭。 使能：通过GAD引脚来使能，如果在整步或者GAD=H的情况下，此模式无效。如果调整GMG和GST，如果电机突然加速或者负载变化超出调整期的范围，则不能够跟随，导致电机丢步。这个时候需要暂时关闭高效能模式，工作于低速也建议关闭此功能。当然有负载的情况下，低速时候也可以打开。 高效能模式的余量调整：                                  上面的表格中，可以设置余量，比如如果设置为00，则余量是最小的，功耗也是最小的，但是带负载的能力就比较低。当然这样可以设置“上举”的功能，但是轻微的负载变化都会产生“上举”操作。可以这样来设置这两个参数：将"上举"设置 最小，此时负载能够稳定工作，就OK. 上举功能：从上面我们可以看出上举的好处，当然上举也是有严重的缺陷的，就是电流变化比较大，会引起电机的震动，设置的表格如下：                另外跟上举有关的电路，还有需要外接两个电阻以及一个滤波电容，这个电阻越大越好，在手册中有推荐的值。 晶体管的输出模式              其中，这六个过程，有2，4，6三个过程只是一个过度的过程，时间很短，是防止交叉电流的产生。 其他的保护功能以及电流的波形，可以在手册的设计参考中找到，根据上面的内容很容易理解。